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公开(公告)号：CN109343097A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811054735.7
申请日：2018-09-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统，包括核辐射传感器、放大器、测量开关S1、限流电阻、并联忆阻器模块、忆阻器阻值信息处理电路和忆阻器复位电路模块；核辐射传感器依次通过放大器、测量开关S1、限流电阻与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器阻值信息处理电路与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器复位电路模块与并联忆阻器模块并联连接；并联忆阻器模块包括并联连接的n支反向串联忆阻器支路，每一支反向串联忆阻器支路包括串联连接的正向忆阻器和反向忆阻器，其中n为大于等于2且小于等于8的自然数。
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公开(公告)号：CN104316787B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410535909.7
申请日：2014-10-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于声表面波器件测试技术领域，公开了一种声表面波器件测试装置及其测试方法，包括矢量网络分析仪和BNC连接组件，其特征在于，还包括测试校准装置，所述BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试校准装置相连接；本发明利用BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试器件直接连接，减小了器件测试结果的误差，节省了成本；通过双刀双掷开关选择校准端口，实现了对校准类型的选择，可根据需要开启和关闭相应的开关来选择所需的校准类型，解决了现有技术的一次校准将需多次装卸套件导致的不方便操作以及效率低的问题。
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公开(公告)号：CN105391416A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510923241.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种负载阻抗匹配装置及匹配方法，属于阻抗匹配领域。所述发明包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本发明通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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公开(公告)号：CN103177717B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310045633.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 长安大学
IPC: G10K9/122
Abstract: 本发明公开了一种Rayleigh波与love波双模式声波产生器件，包括在同一压电基片材料上制作Love波激发叉指换能器和Love波接收叉指换能器，还包括覆盖在激发叉指换能器、接收叉指换能器和压电基片上的压电波导层，还包括制作在所述压电波导层上的Rayleigh波激发叉指换能器和Rayleigh波接收叉指换能器。该器件结构简单，便于制作，能够在同一个器件上产生Rayleigh波与love波两种模式的声波。
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公开(公告)号：CN103915435A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410122689.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103023318B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210434696.X
申请日：2012-11-02
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。
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公开(公告)号：CN203826386U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420147589.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN204165964U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420644102.2
申请日：2014-10-30
Applicant: 长安大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本实用新型公开了一种用于标定气体传感器的装置，包括安装在底板上的恒温机构，底板上还设置有使得液体蒸发的蒸发片；底板上还设置有混气风扇；底板上设置有一圈能够将恒温机构、蒸发片和混气风扇圈在里面的密封槽，密封槽上盖有一个密封罩，密封罩和底板形成一个用于标定气体传感器的密封的气室。混气风扇位于蒸发片正前方，加速液体的蒸发，促进气体的交换，使气体快速达到均衡稳定；蒸发片与注入孔结合起来，实现在内部环境里液体到气体的转换，减少外围辅助设备转换带来的影响；恒温机构位于气体传感器下方，可以快速实现传感器局部小范围的温度精确控制。
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公开(公告)号：CN203826387U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420148966.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN205160484U
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201521031682.9
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本实用新型公开了一种负载阻抗匹配装置，属于阻抗匹配领域。所述实用新型包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本实用新型通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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