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公开(公告)号：CN205271085U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201521098987.1
申请日：2015-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B23K3/06
Abstract: 本实用新型公开了一种用于二极管焊接工艺的刷胶装置，包括骨架和钢网，所述骨架为中空的矩形框，所述钢网为矩形板，并与骨架中空部分相匹配，所述钢网布置于矩形框内，四边通过粘结剂连接在骨架上，且钢网底部与骨架底面齐平；所述钢网上设置有若干下料片印刷孔，且在钢网上还设置有顶针孔；此外，所述钢网上还设置有若干引脚印刷孔，一个引脚印刷孔对应一个下料片印刷孔，且对应的下料片印刷孔和引脚印刷孔相邻并并排布置，所述下料片印刷孔截面积大于引脚印刷孔截面积。结构简单、操作方便快捷，下锡膏时受外界气温、气压等影响较小，印刷质量稳定；此外，使用本装置所下锡膏量均匀，误差在5％以内，焊接效果较好，能更好的保证产品质量。
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公开(公告)号：CN205211747U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521099514.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/01
Abstract: 本实用新型公开了一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片(1)、两铜引线(2)和环氧塑封体(3)，玻钝硅芯片(1)至少为两个，且玻钝硅芯片(1)的小窗口面(1a)均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片(1)之间设置有铜粒(4)，且铜粒(4)与玻钝硅芯片(1)通过焊料(5)焊接固定，所有玻钝硅芯片(1)组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料(5)与对应侧的铜引线(2)的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线(2)的外端头外，其余部分均在环氧塑封体(3)内。承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求；在两个玻钝硅芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性。
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公开(公告)号：CN204257665U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420810327.0
申请日：2014-12-19
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/33 , H01L2224/32245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开了一种大功率薄型贴面封装二极管，包括上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)和塑封体(4)，上料片(1)通过向下的方形凸面(1a)与硅芯片(3)焊接，在方形凸面(1a)的中部设置有焊锡上溢孔(1b)，在方形凸面(1a)远离上料片(1)引出端的一侧设置有外展片(1c)，且外展片(1c)高于方形凸面(1a)，可有效增加上料片与硅芯片的焊接面积，从而提高产品的正向浪涌能力；使焊锡熔化后向预定位置延展，提升焊接质量；进一步，方形凸面(1a)另外两侧的居中位置处设置有缺槽(1d)，以增强上料片的抗机械应力能力，从而有效地提升整个产品的性能。
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公开(公告)号：CN203038929U
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201320025417.4
申请日：2013-01-17
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/31 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种贴面封装二极管，具有硅芯片（1），该硅芯片（1）为双胞胎型的肖特基硅芯片，在所述硅芯片（1）上端面设置有一对薄片形的上料片（2）,在所述硅芯片（1）的下端面设置有一个薄片形的下料片（3）；所述硅芯片（1）、上料片（2）及下料片（3）的外部通过注塑封装，上料片（2）及下料片（3）的一端分别从封装胶体左右侧面伸出。本实用新型通过双胞胎型的肖特基硅芯片注塑封装，以双胞胎型的肖特基硅芯片为芯片的封装二极管使并联二极管上的压降差小，电流更均匀。
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公开(公告)号：CN208315553U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201820977290.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区，所述载流子吸收区包括多个阵列排列的子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206250187U
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201621419328.8
申请日：2016-12-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/40245
Abstract: 本实用新型公开了一种大电流内扣式贴片整流桥，包括塑封体，以及封装于塑封体内的跳线、芯片和下料片，跳线的上水平段底部设置有凸点，第一下料片、第二下料片包括一个芯片焊接部和一个跳线下水平段焊接部，第三下料片包括两个芯片焊接部，第四下料片包括两个跳线下水平段焊接部，芯片共四个且小窗口面朝上，芯片一一对应地焊接在跳线的上水平段与下料片的芯片焊接部之间，跳线的下水平段与下料片的跳线下水平段焊接部一一对应焊接，从而构成共阴极焊接；所有下料片位于塑封体外的引脚部分向内弯折到塑封体下方，从而构成内扣式结构。满足大电流封装、提高生产效率与产品质量。
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公开(公告)号：CN205211761U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521096544.9
申请日：2015-12-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型公开了一种薄型贴片封装二极管，包括塑封体，以及封装于塑封体内的上料片、芯片和下料片，所述上料片弯折成Z形，所述芯片通过锡焊固定在上料片的上水平段与下料片之间，上料片的上水平段上设置有朝向芯片的凸点，所述上料片的下水平段、下料片、塑封体的底面齐平，所述上料片的下水平段露在塑封体外的部位为第一引脚，下料片露在塑封体外的部位为第二引脚，所述上料片的上水平段上设置有防焊锡溢流孔，且通过防焊锡溢流孔至少能看到部分芯片。在上料片的上水平段上增设防焊锡溢流孔，在焊接过程中焊锡过多时，焊锡能首先去填充防焊锡溢流孔，而不至于超过芯片，有效避免了焊锡将上料片、芯片和下料片从侧面包起来所造成的短路。
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公开(公告)号：CN205211746U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521098747.1
申请日：2015-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本实用新型公开了一种薄型贴片封装双向GPP超高压二极管，包括塑封体，以及封装于塑封体内的上料片、下料片和双向GPP芯片，所述上料片弯折成反“Z”字形，在上料片的上水平段设置有向下的凸点，所述下料片上设置有向上的凸点，所述双向GPP芯片共两个，上下布置且两个双向GPP芯片之间设置有铜粒，所述铜粒通过焊料焊接于两双向GPP芯片之间，位于上方的双向GPP芯片的上表面与上料片的凸点、位于下方的双向GPP芯片的下表面与下料片的凸点之间也通过焊料焊接。承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求；在两个双向GPP芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性。
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公开(公告)号：CN117150279A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310931658.3
申请日：2023-07-27
Applicant: 重庆大学 , 中国汽车工程研究院股份有限公司
IPC: G06F18/2135 , G06F18/23 , G06F17/18 , G01M17/007
Abstract: 本发明涉及一种基于多元统计分析对实际道路排放严苛工况场景的提取方法，属于发动机排放优化领域，包括以下步骤：S1：通过固定时长300S时序移动平均窗口法将逐秒采集的信号转换为固定时序长度的短行程窗口数据；S2：采用因子分析方法将影响RDE试验的多因素指标转化为综合行程动力学因子和地形因子；S3：使用聚类分析处理类短行程数据，选出严苛数据片段并对其行驶工况和道路地形分布特征进行分析，得到一系列严苛数据片段的瞬时车速、瞬时坡度变化时序图；S4：将变化时序图应用在整车底盘测功机或转毂台架上进行RDE试验模拟。
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公开(公告)号：CN110762544A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911065313.4
申请日：2019-11-04
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种以天然气辅助燃烧处理有机废液的系统及方法，系统包括炉膛、天然气/沼气供给系统、燃烧器、通过热二次风道与炉膛连接的热二次风机、设置在炉膛底部的灰斗、有机废液储存池、有机废液沉淀池、含硫添加剂储备罐、混合池、第一温度反馈调节系统、水冷急冷系统、第二温度反馈调节系统和脱硫系统；方法包括步骤：A)在有机废液沉淀池中对有机废液进行预处理；B)经步骤A)处理后的有机废液在混合器中与含硫添加剂充分混合；……等。本发明便于实施，普通垃圾焚烧场经过改造即可达到无害化处理有机废液的条件，其不存在膜污染的问题，对于浓缩有机废液也可处理，且能很好的抑制二噁英的产生。
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