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公开(公告)号：CN106026334B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610599055.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 西安科技大学
IPC: H02J7/34
Abstract: 本发明公开了一种超级电容三段式充电电路，包括Buck变换器电路、电流采样电路、充电模式控制电路和充电驱动电路，超级电容与Buck变换器电路的输出端连接，电流采样电路与Buck变换器电路连接，充电模式控制电路与电流采样电路的输出端、超级电容和充电驱动电路的参考电压输出端均连接，充电驱动电路与充电模式控制电路的输出端和电流采样电路的输出端均连接，Buck变换器电路与充电驱动电路的PWM信号输出端连接；本发明公开还公开了一种超级电容三段式充电电路为超级电容快速充电的方法。本发明实现方便且成本低，提高了超级电容的充电速度，工作稳定性和可靠性高，能够有效的保护超级电容的充放电性能，实用性强。
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公开(公告)号：CN108122818A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711351048.7
申请日：2017-12-15
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/02
CPC classification number: H01L2224/18
Abstract: 本发明涉及一种用于系统级封装的防静电装置及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底内制备至少三个二极管；刻蚀所述Si衬底分别在所述二极管两侧形成隔离沟槽和TSV；分别填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区；在所述Si衬底上表面制备所述TSV区的第一端面与所述二极管的互连线；在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的防静电装置通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力力。
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公开(公告)号：CN105703627B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610286037.4
申请日：2016-05-03
Applicant: 西安科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种副边单绕组自复位正激变换电路的设计方法，包括步骤：一、选择组成正激变换器主电路的合适参数的高频变压器T1、开关管Q1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电容C1；二、连接高频变压器T1、开关管Q1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电容C1，组成正激变换器主电路；三、选择组成励磁能量存储电路的合适参数的二极管D3和电容C2；四、连接二极管D3和电容C2，组成励磁能量存储电路，并与正激变换器主电路连接；五、选择组成励磁能量转移电路的合适参数的二极管D4和电感L2；六、连接二极管D4和电感L2，组成励磁能量转移电路，并与正激变换器主电路连接。本发明方法步骤简单，设计合理，实用性强。
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公开(公告)号：CN105576599B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201610146128.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 西安科技大学
IPC: H02H3/08 , G01R19/165 , G01R31/02
Abstract: 本发明公开了一种过流或短路故障信号隔离检测电路，包括光耦隔离器U1和比较器U2，以及电阻RS、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，电阻R1的一端与电阻RS的一端连接，光耦隔离器U1的阳极与电阻R1的另一端相接，且通过电阻R2与第一参考电源的输出端Vref1相接，光耦隔离器U1的阴极与电阻RS的另一端连接，光耦隔离器U1的集电极与比较器U2的反相输入端相接且通过电阻R3与供电电源的输出端VCC相接，比较器U2的同相输入端与第二参考电源的输出端Vref2相接；本发明还公开了一种过流或短路故障信号隔离检测电路的设计方法。本发明实现方便、成本低、工作稳定和可靠性高，能够有效地检测过流或短路故障。
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公开(公告)号：CN105140127B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510555994.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB‑SOI TFET及制备方法，该制备方法包括步骤：选取UTB‑SOI衬底；在衬底上形成浅沟槽隔离；在衬底上采用带胶离子注入工艺形成漏区；在衬底上采用干法刻蚀工艺形成源区沟槽；采用倾斜离子注入工艺向源区沟槽的侧壁注入离子形成薄层掺杂区；在源区沟槽内淀积本征硅材料，并同时进行原位掺杂形成源区；在衬底的顶层硅表面形成栅介质层和前栅极层，采用干法刻蚀工艺形成前栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源区、漏区、前栅金属引线，以形成最终的PNIN/NPIP型UTB‑SOI TFET。本发明所提供的具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB‑SOI TFET可有效提高TFET器件的驱动电流以及降低亚阈斜率，同时保持低的泄漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783599A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611187745.9
申请日：2016-12-20
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/329 , H01L29/868
Abstract: 本发明涉及一种制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，所述偶极子天线的Ge基等离子pin二极管天线臂由多个Ge基等离子pin二极管依次首尾相连构成等离子pin二极管串，所述Ge基等离子pin二极管的制备方法包括：选取GeOI衬底并设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以形成氧化层；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以形成所述Ge基等离子pin二极管。
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公开(公告)号：CN106771531A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611261062.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 西安科技大学
IPC: G01R19/175
CPC classification number: G01R19/175
Abstract: 本发明公开了一种电感断开电弧起止时刻检测电路及方法，其电路包括电压信号处理电路、分相延缓电路和比较输出电路；电压信号处理电路包括仪用放大器U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，分相延缓电路包括电容C1，由电阻R5和电阻R7组成的第一比例电阻网络，以及由电阻R6和电阻R8组成的第二比例电阻网络；比较输出电路包括比较器U2、D触发器U3和电阻R10；其方法包括步骤：一、检测电路连接，二、电压信号处理，三、电感断开电弧起止时刻检测。本发明电路结构简单，实现方便且成本低，工作稳定可靠，能够快速有效的检测电感断开电弧起止时刻，适用范围广，具有良好的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN106684825A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610916885.9
申请日：2014-10-28
Applicant: 西安科技大学
Abstract: 本发明公开了一种开关电源输入电压范围拓展电路的设计方法，其电路包括接在直流电压输入电路与开关电源芯片之间的第一电压扩展电路，开关电源芯片上带有过压及欠压保护端，第一电压扩展电路的正极电压输出端与开关电源芯片的过压及欠压保护端相接，第一电压扩展电路的负极电压输出端与开关电源芯片的接地端相接；其设计方法包括步骤:一、确定Vimin和Vimax；二、连接第一电压扩展电路；三、判断是否结束设计，不结束就执行步骤四；四、连接第二电压扩展电路；五、判断是否结束设计，不结束就执行步骤六；六、增加第二电压扩展电路。本发明能够加强开关电源对电网的适应能力，拓宽了开关电源的应用范围，能够有效地提高开关电源工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN105118781A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510555992.9
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L21/7624 , H01L29/0847 , H01L29/401 , H01L29/4232 , H01L29/66484
Abstract: 本发明涉及一种具有突变结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括：选取UTB-SOI衬底；形成浅沟槽隔离；刻蚀形成P型/N型沟槽；在P型/N型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成P型/N型高掺杂源区；刻蚀形成N型/P型沟槽；在N型/P型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成低掺杂N型/P型漏区；在衬底的顶层硅表面形成栅介质层和前栅极层，刻蚀形成前栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源漏区、前栅金属引线。本发明在源漏区通过刻蚀沟槽并选择性外延淀积填充的工艺制备，能够精确的限定隧穿结面积，同时采用原位掺杂，有助于形成陡峭掺杂浓度梯度的隧穿结和掺杂均匀的源漏区，可有效的提高器件驱动电流及降低亚阈斜率。
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公开(公告)号：CN104578366A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510002181.6
申请日：2015-01-04
Applicant: 国家电网公司 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 西安科技大学
CPC classification number: H02J7/345
Abstract: 本发明公开一种用于线路故障检测的自供电超级电容储能电源，包括接在电流互感器和故障检测装置之间并用于提供电源输出的整流电路和预充电及旁路开关电路、与预充电及旁路开关电路相接用于控制给超级电容充放电的双向可控开关电路、与双向可控开关电路相接并用于控制双向可控开关电路开通与关断的充放电控制电路，与充放电控制电路和双向可控开关电路相接用于储能的是超级电容，相接在预充电及旁路电路和基准电路之间用于过压保护控制及驱动的过压控制及驱动电路，基准电路的输入端连接在预充电及旁路开关电路，输出端连接的是充放电控制电路和过压控制及控制驱动电路。本发明可以稳定的长时间的运行于线路故障检测当中。
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