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公开(公告)号：CN107485784A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710463633.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: A61N1/37 , A61N1/36128 , A61N1/372
Abstract: 本发明涉及一种应用于植入式心脏起搏器的防串扰电压电路，包括可调电阻R1、R2，可调电容C1、C2。所述电阻和电容均与起搏刺激开关n型MOS管的栅极相连接。本发明抑制了植入式心脏起搏器电路中出现的高幅值起搏时心腔间的串扰电压现象，提高了心脏起搏器的安全性。本发明所需器件的种类少，结构简单，灵活性强。
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公开(公告)号：CN107362448A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710488903.2
申请日：2017-06-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于心脏起搏器内部无线通信电路的自动唤醒电路。体外程控仪和体内心脏起搏器通过电感线圈的耦合以无载波的基带数字信号方式进行数据传输，在不进行程控仪和起搏器数据传输的时候关闭体内心脏起搏器通信电路除了唤醒功能以外的功能。在待唤醒时，体内心脏起搏器通信电路唤醒功能的工作方式为不连续工作，即在1s内打开32ms，当体外程控仪需要与体内心脏起搏器进行数据交互时，通过连续发送特定的唤醒脉冲组对体内心脏起搏器通信电路进行唤醒，一旦成功唤醒则打开通信电路转换为连续工作模式。从而能够通过体外程控仪控制打开体内心脏起搏器通信电路，转换其工作模式，还可以防止干扰信号对通信电路的误唤醒。
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公开(公告)号：CN104639107B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410690459.9
申请日：2014-11-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明涉及一种应用于心脏起搏器的正起搏脉冲产生电路，通过改变各个电容的充放电回路，从而达到避免了电路中出现的负电压的效果，大大降低了外围驱动电路的负担与设计难度，实现了起搏脉冲电路的集成化；提供心房和心室的双极性起搏的电路可以通过合并两个心室起搏电路得到，并复用第一片外电容，减少了片外电容数量，提高了集成度；本发明电路所用器件类型少，只有电阻和MOS管；本发明使得起搏脉冲电路在心脏起搏器中所占资源降低，节约了心脏起搏器成本。
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公开(公告)号：CN106075729A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610378783.6
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: A61N1/37
CPC classification number: A61N1/3702
Abstract: 本发明公开了一种应用于心脏起搏器的心脏阻值测量装置，包括与心脏起搏器阳极和阴极连接的心脏电压获取电路，心脏电压获取电路与心脏电压存储电路连接；所述心脏电压获取电路连接心脏起搏器的阳极和阴极，心脏电压获取电路输入恒定电流，在心脏上产生一个反应心脏阻值的电压；所述心脏电压存储电路存储所述反应心脏阻值的电压。能够实时准确检测心脏阻值，通过心脏阻值可初步判断起搏电极是否发生脱位、电极导线折断等故障。此外，根据心脏阻值的变化判断人体的运动状态，从而提供更加适合病人的心脏刺激方案。当然，这一应用要求对心脏阻值测试的精度更高。
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公开(公告)号：CN104399183B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410690588.8
申请日：2014-11-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: A61N1/37
Abstract: 本发明涉及一种应用于心脏起搏器的自动唤醒电路，通过设置的端口电平检测电路和高低电平判断电路，端口电平检测电路的输出端连接高低电平判断电路的输入端，高低电平判断电路的高电平输出端连接至端口电平检测电路，低电平输出端连接至心脏起搏器。从而能够通过端口检测电路判断起搏器是否接入心脏，进而自动控制起搏器切换工作模式，不需人工干预，操作简单，同时电路结构简单，功耗消耗低，仅当检测到心脏起搏器已经植入人体时发出唤醒信号，使心脏起搏器工作，能有效提高起搏器功耗管理效率，节约起搏器电池能量，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103995555B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410222049.1
申请日：2014-05-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种应用于超低功耗带隙基准的正温度系数产生电路，通过利用了工作在亚阈值状态的MOS管特性，根据MOS管的不同宽长比和电流比，构建类差分单元对，实现对热电势VT的无电阻加权，并在支路电路中引入发射区面积成比例的三极管结构，复用支路电流，进而引入新的热电势VT的加权，能够产生多重正温度系数的电压量。本发明的电路结构简单，仅由亚阈值状态的MOS管和三极管构成。无电阻结构实现对负温度系数的补偿，电路面积和噪声得到很大的改善。一个结构单元具有多重正温度系数产生机理，补偿效果明显，串联结构单元数减少。三极管复用了支路电流，提高了电流利用率，降低了功耗，减少了电路的面积，节约了成本。
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公开(公告)号：CN104242927A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410360159.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明涉及一种应用于高速串行接口的环形压控振荡器，包括多级延时单元，通过若干个延时单元相互连接成环路来实现起振所需的正反馈。VC同时改变延迟单元的充电电流以及内部交叉耦合对的耦合强度来增大调谐范围。这样，一个控制电压VC同时控制了延时单元内耦合结构的耦合强度以及延时单元的充电电流，这会大大增大压控振荡器的振荡频率范围，以达到压控振荡器高速、宽频带的目的，同时降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103995555A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410222049.1
申请日：2014-05-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种应用于超低功耗带隙基准的正温度系数产生电路，通过利用了工作在亚阈值状态的MOS管特性，根据MOS管的不同宽长比和电流比，构建类差分单元对，实现对热电势VT的无电阻加权，并在支路电路中引入发射区面积成比例的三极管结构，复用支路电流，进而引入新的热电势VT的加权，能够产生多重正温度系数的电压量。本发明的电路结构简单，仅由亚阈值状态的MOS管和三极管构成。无电阻结构实现对负温度系数的补偿，电路面积和噪声得到很大的改善。一个结构单元具有多重正温度系数产生机理，补偿效果明显，串联结构单元数减少。三极管复用了支路电流，提高了电流利用率，降低了功耗，减少了电路的面积，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101841328B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010193332.8
申请日：2010-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 本发明公开了一种预充电型鉴频鉴相器，包括预充电型鉴频鉴相电路，所述鉴频鉴相电路还连接有一高阻消除电路，所述高阻消除电路由第一至三反相器、第一、二P型MOS管以及第一至三N型MOS管连接构成。本发明在常用预充电型鉴频鉴相器的基础上通过加入高阻消除电路，一是消除了高阻节点，使电路输出节点时钟连接到电源或地上，输出节点电平在任何时刻都是确定的电平，电路抗干扰能力大大提高；二是消除了在输入信号由高到低变化过程中由电流竞争引起的输出电平偏离，使得输出电平回复到标准电平。
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公开(公告)号：CN101483192B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910021093.5
申请日：2009-02-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形开口向上，所述介质层的槽内设置有环状的栅导电层，所述介质层的槽外设置有环状的漏导电层，所述介质层的槽外底部与所述半导体衬底接触，所述沟道区上设置有源导电层，其圆柱形上部掺n+杂质作为源端n+区，与漏导电层底部接触的半导体衬底区域掺n+杂质作为漏端n+区，其特征在于，所述沟道区的圆柱形中部设置有非对称Halo掺杂结构p+区。
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