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公开(公告)号：CN105693285B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610037886.6
申请日：2016-01-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种在2D针刺碳毡上制备碳化铪纳米线的方法，采用催化剂辅助聚合物先驱体转化技术在2D针刺碳毡上制备HfC纳米线的方法，利用该方法可以简单高效地合成出HfC纳米线。该方法选用HfC聚合物先驱体PHC为反应原料,硝酸镍为催化剂，高纯氩气为保护气氛，氢气为还原气体。通过调整热处理的工艺参数，在2D针刺碳毡上一次性制备出HfC纳米线。本发明的有益效果是：合成工艺简单、成本低、制备周期短，不需要预先合成工艺(制备碳纳米管等)；HfC纳米线在常压下制得，对设备的要求低；并且可通过调节热处理参数有效控制合成的HfC的形貌和纯度。这些优点使该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。
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公开(公告)号：CN106747549A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611004314.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种采用高温‑浸渍裂解工艺制备HfC‑SiC改性C/C复合材料的方法，将碳毡清洗烘干，通过等温化学气相沉积制备出多孔低密度预制体；配制HfC前驱体和聚碳硅烷的混合溶液作为HfC‑SiC陶瓷相的前驱体，在110℃左右的环境中真空浸渍，将混合溶液浸渍到预制体内部，然后进行裂解，重复高温浸渍‑裂解过程直至材料致密，从而制备出HfC‑SiC改性C/C复合材料。有益效果：利用高浓度聚碳硅烷和HfC前驱体混合溶液粘度随温度的升高而降低的特点，在温度为90～110℃时，向多孔C/C预制体内浸渍高浓度的前驱体混合溶液，使得多孔C/C预制体被较快填满，且陶瓷在预制体内部分布均匀致密，最终密度达2.4～2.7g/cm3，缩短了材料的制备周期，提高了材料的制备效率和陶瓷相在材料内部分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN106673708A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611093834.7
申请日：2016-12-02
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/85
CPC classification number: C04B41/85 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/4596 , C04B41/4582 , C04B41/4539 , C04B41/456 , C04B35/83
Abstract: 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法，采用料浆涂刷法以无水乙醇、硅溶胶和硅碳混合粉为原料在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层，其中使用无水乙醇、硅溶胶和硅碳混合粉配成料浆，然后均匀涂刷在试样表面，放入烘箱烘干，再用高温真空炉氩气保护的情况下1450～1900℃热处理，最后随炉冷却至室温。该方法解决了使用传统反应熔渗法直接在C/C复合材料表面制备的SiC内涂层由于严重硅化导致原基体力学性能下降的问题；另一方面通过料浆涂刷法制备出SiC纳米线多孔层厚度可控，并且纳米线多孔层又可以增韧后续制备的超高温陶瓷抗氧化涂层，同时解决现有制备SiC纳米线的方法需添加催化剂和制备工艺繁琐的弊端。
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公开(公告)号：CN103194734B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310129980.0
申请日：2013-04-15
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，没有使用三维网络结构的模版，直接通过催化剂辅助的化学气相沉积方法首次在2D针刺碳毡的表面制备了自组装的三维HfC晶须网络结构，所制得的产物相比模版法引入的其他元素的杂质含量少。
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公开(公告)号：CN103147280B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310044978.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纤维表面生物活化改性方法，用于解决现有的碳纤维表面生物活性差的技术问题。技术方案是通过氧化反应在碳纤维的表面引入含氧官能团，然后采用电沉积工艺在其表面制备碳纳米管增强含锶羟基磷灰石涂层。从而使得生物活性涂层覆盖碳纤维表面并与碳纤维之间形成强键合，该方法一方面借助碳纳米管增强相提高了纯羟基磷灰石涂层的力学性能，另一方面通过引入锶微量元素改善了纯羟基磷灰石的组织响应行为，提高了碳纤维表面的生物活性。另外，该方法在较低温度条件下进行，易于操作且设备简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102730685B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210226110.0
申请日：2012-07-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种一维碳化铪纳米材料的制备方法，其特征在于：配制浓度为0.05～2mol/L的Ni(NO3)2的乙醇或水溶液，将清洗干净的石墨基底放于溶液中浸泡、烘干；然后悬挂于立式的管式电阻炉内进行沉积，沉积结束后停止通入反应气体，关闭加热电源自然降温，制备出一维HfC纳米线、纳米带。本发明方法，利用CVD工艺可控的优点，可有效控制一维HfC纳米材料的形貌和尺寸，获得HfC纳米带和高纯、高性能的HfC纳米线。同时采用的CVD方法沉积温度较低，沉积压力处于低真空范围内，而且使用的催化剂为常见的催化剂化合物试剂，降低了制备高纯和高性能HfC纳米线的成本。
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公开(公告)号：CN102417375B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110237500.3
申请日：2011-08-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种炭/炭复合材料SiC/ZrB2-SiC/SiC涂层及其制备方法。包括内涂层、外涂层和中间涂层，内涂层的厚度为20～50μm，外涂层的厚度为30～80μm，中间涂层的厚度为50～80μm。通过包埋发法制备SiC内涂层，降低中间层ZrB2-SiC与C/C复合材料的热应力。通过超音速等离子喷涂制备ZrB2-SiC中间层，ZrB2-SiC为C/C复合材料提供良好的高温烧蚀、中低温抗氧化及隔热性能。通过沉积法制备SiC外涂层，有效愈合涂层表面缺陷，阻止氧气的渗入，为C/C复合材料提供良好的高温氧化保护。同时在中低温氧化过程中，ZrB2的氧化产物B2O3可有效愈合涂层中的缺陷，为涂层试样提供良好的中温氧化保护。
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公开(公告)号：CN103127555A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310042458.9
申请日：2013-02-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管/含锌羟基磷灰石生物活性涂层的制备方法，用于解决现有的方法制备的含锌羟基磷灰石稳定性差的技术问题。技术方案是采用原位生长的方式在含锌羟基磷灰石涂层中引入碳纳米管增强相，使得碳纳米管的管体在含锌羟基磷灰石涂层中均匀分散且碳纳米管的底部与基体材料相结合，碳纳米管管体之间形成了相互的交织，含锌羟基磷灰石一部分对单根碳纳米管的表面形成了包裹，另一部分则填充在碳纳米管之间的空隙中。提高了含锌羟基磷灰石的稳定性。
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公开(公告)号：CN102730685A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210226110.0
申请日：2012-07-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种一维碳化铪纳米材料的制备方法，其特征在于：配制浓度为0.05～2mol/L的Ni(NO3)2的乙醇或水溶液，将清洗干净的石墨基底放于溶液中浸泡、烘干；然后悬挂于立式的管式电阻炉内进行沉积，沉积结束后停止通入反应气体，关闭加热电源自然降温，制备出一维HfC纳米线、纳米带。本发明方法，利用CVD工艺可控的优点，可有效控制一维HfC纳米材料的形貌和尺寸，获得HfC纳米带和高纯、高性能的HfC纳米线。同时采用的CVD方法沉积温度较低，沉积压力处于低真空范围内，而且使用的催化剂为常见的催化剂化合物试剂，降低了制备高纯和高性能HfC纳米线的成本。
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公开(公告)号：CN119039029A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411074720.2
申请日：2024-08-07
Applicant: 西北工业大学 , 河南省科学院碳基复合材料研究院
IPC: C04B35/83 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于基体改性C/C复合材料制备技术领域，具体为一种碳化物超高温陶瓷‑SiC梯度及均匀改性C/C复合材料的快速制备方法。本发明将SPS技术与基体改性C/C复合材料制备技术相结合达到快速制备的目的。本方法对纤维损伤低，所制备材料内部陶瓷相与基体结合紧密，铺设粉料可以充分渗入基体，避免了样品外部堆积粉料的结块浪费现象，同时可以通过控制基体上下铺设的粉料总量、SPS压力和反应温度协同控制粉料渗入深度以制备梯度及均匀改性C/C复合材料，可控性强。本方法制备周期短，可在1‑2小时内制备出改性C/C复合材料，适用于碳基/陶瓷基复合材料的大规模及低成本制备。
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