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公开(公告)号：CN215183998U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120852300.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于钝化接触结构的MWT电池，其包括：P型硅基底，形成有贯穿式开孔；正面钝化减反层，形成于所述P型硅基底正面；背面钝化接触层，形成于所述P型硅基底背面；背面介质保护层，层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上；电池正极，填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层；以及电池负极，形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触；其中，所述电池正极为铝电极，并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。本实用新型的MWT电池在硅基底的开孔中实现电荷的收集，无需正面副栅，可以进一步改善MWT电池的光吸收，提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN213635995U
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202022642991.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片，该太阳能电池片具有较高的转换效率，制备较为简单。该太阳能电池片，包括：P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极；其中，P型硅基体具有铝掺杂区域，正面电极与所述P型硅基体的所述铝掺杂区域形成金属接触。铝掺杂区域的制备相较于传统方法，制备过程简单，制备过程温度低，避免体少子寿命降低，保证了电池片的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN215183997U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120851963.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线；其中，所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上，所述正面金属栅线为周期性的分段结构，单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极，其中，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本实用新型的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤，也无需高温的硼扩；而且银电极的遮光面积小，从而提高硅片的光吸收效率。
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公开(公告)号：CN210668389U
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201921593120.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，电池正表面的整体复合速率进一步降低，电池转换效率较高。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209087857U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201822238505.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯晶硅太阳电池结构，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本实用新型相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216819743U
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202122437894.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
Abstract: 本实用新型提供一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置，包括太阳能电池，太阳能电池包括位于其上层的第一透明导电薄膜，装置还包括能够允许光线透过且能够弯曲变形的摩擦层及第二透明导电薄膜，摩擦层位于第一透明导电薄膜的上方，第二透明导电薄膜覆于摩擦层的上表面，装置具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦层弯曲并和第一透明导电薄膜接触；在第二状态时，摩擦层脱离第一透明导电薄膜。本实用新型的一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置在晴天和雨天均能够发电，能够充分利用雨滴的动能，且具有较高的发电功率。
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公开(公告)号：CN214254436U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202022912771.1
申请日：2020-12-08
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括：P型硅片；P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及背面电极，其穿过所述背面介质层。本实用新型可以降低载流子的传输损耗，提升填充因子FF。
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公开(公告)号：CN216389396U
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202122439138.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0525
Abstract: 本实用新型提供一种具有光伏发电和温差发电功能的装置，包括太阳能电池片和温差发电机构，所述太阳能电池片具有背面电极，所述温差发电机构具有热端和冷端，所述装置在工作时所述热端和所述冷端的温度不同，所述装置还包括导热连接膜，所述背面电极设于所述导热连接膜的正面，所述温差发电机构的所述热端设于所述导热连接膜的背面。该装置能够降低太阳能电池的工作温度，提高电能的输出功率。
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公开(公告)号：CN213424999U
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202022503623.4
申请日：2020-11-03
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池片及其基片结构，所述背面介质膜上开设有一组相互平行的第一槽、一组相互平行的第二槽及一组相互平行的第三槽；所述第一槽、所述第二槽及所述第三槽两两倾斜地相交，以在所述第一槽、所述第二槽和所述第三槽之间形成正三角形；所述第一槽、所述第二槽及所述第三槽自下至上贯穿所述背面介质膜，以露出所述衬底。载流子在衬底中横向传输至空槽部分的背面电极。这种结构加工方便，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN209088866U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201822239350.X
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
Abstract: 本实用新型提供一种具有散热功能的光伏瓦，包括瓦片主体、晶硅太阳能模组和散热器，所述晶硅太阳能模组设于瓦片主体的上表面，所述散热器包括基体以及从所述基体下表面向下延伸的散热鳍片，所述散热器的基体安装在所述瓦片主体的下表面，所述基体与瓦片主体之间涂布有导热硅脂。本实用新型相较于现有技术，采用散热器对光伏瓦进行散热处理，防止晶硅太阳能模组过热，稳定组件发电量，降低户外长期作业安全隐患，提高使用寿命；导热硅脂具有良好的导热、耐温、绝缘性能，且提高了散热器与瓦片主体的接触充分度，提高导热效率；散热器成模块化，方便与光伏瓦结合安装。
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