公开(公告)号：CN104155709A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410414212.4

申请日：2014-08-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李朝明 ,  陈新荣 ,  吴建宏 ,  潘君骅 ,  胡祖元 ,  李林 ,  刘麟跃 ,  常增虎

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明公开了一种透射式脉冲压缩光栅器件及其制备方法，所述器件包括熔融石英基板，设置在所述熔融石英基板的一个光学表面上的透射式脉冲压缩光栅，其特征在于：在所述熔融石英基板的另一个相对的光学表面上设有高频增透光栅微结构。采用全息光刻结合离子刻蚀转移的方法实现器件的制备。本发明通过一个器件可以同时实现光束色散和增透，提高了透射式脉冲压缩光栅激光损伤阈值和光能利用率，在超强超快激光领域具有重要应用价值。

公开(公告)号：CN102279429A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110210161.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈新荣 ,  李朝明 ,  吴建宏

IPC: G02B5/18 ,  B24B19/00

Abstract: 本发明提供了一种取样光栅的制作方法，包括：提供基板，并在所述基板上制作取样光栅；测量所述取样光栅上各个区域的衍射效率；当所述取样光栅上某区域的衍射效率大于预设的衍射效率范围时，对该区域进行研磨，直至该区域的衍射效率在预设的衍射效率范围内。本发明的制作方法可以制作出的均匀性较好的取样光栅。

公开(公告)号：CN101546001B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910031556.6

申请日：2009-04-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李朝明 ,  吴建宏 ,  陈新荣 ,  胡祖元

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明公开了一种无缝拼接大面积全息光栅的制备方法，利用第一参考光栅在干涉记录光场中的光学特性实时检测干涉记录光场与已记录主光栅部分之间位相和倾斜，利用第二参考光栅实时检测主光栅的位置，以实现光栅准确的无缝拼接。本发明创造性地提出了设置两个参考光栅的技术方案，通过第一参考光栅实现左、右两侧的调整，通过第二参考光栅解决移除第一参考光栅时造成的影响，从而实现了大面积全息光栅的无缝拼接，保证了衍射光栅线条的等距和平直性精度要求。

公开(公告)号：CN101315440B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810023116.1

申请日：2008-07-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 刘全 ,  吴建宏 ,  胡祖元 ,  陈新荣 ,  李朝明

IPC: G02B6/02 ,  G02B5/18 ,  G02B27/44

Abstract: 本发明公开了一种248纳米波段的零级抑制相位掩模，主要由石英基片以及设置在石基基片一侧表面的槽形结构的光栅构成，其特征在于：所述相位掩模的光栅周期为1050nm～1090nm，槽形深度为240～260nm，所述光栅的每一凸起结构的截面形状为上窄下宽的梯形，梯形的顶部占宽比为0.40～0.46，梯形角为5～13度。本发明的相位掩模，实现了透射248纳米波段激光的零级抑制，相位掩模的零级透过率可以被抑制在2％以内；±1级透射衍射效率高于36％，且与入射光的偏振状态无关。

公开(公告)号：CN101419426B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200810243775.6

申请日：2008-12-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李朝明 ,  吴建宏 ,  陈新荣

IPC: G03H1/04

Abstract: 本发明公开了一种低噪声小像差全息光栅的记录方法，首先用两平面波制作参考光栅，随后利用两单透镜构建记录全息光栅的光路，借助于参考光栅，调节其中一支光路的星点位置以及透镜的转动，使两个单透镜间的像差相互补偿，实现记录小像差全息光栅的目的。该方法对参考光栅的基片面型无特殊要求，全息记录光路的结构简单，有效地减少了记录系统中的杂散光和鬼像，降低了光栅的噪声。

公开(公告)号：CN101726779A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910231737.3

申请日：2009-12-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 刘全 ,  吴建宏 ,  汪海宾 ,  胡祖元 ,  陈新荣 ,  李朝明

IPC: G02B5/18 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种制作全息双闪耀光栅的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在光栅基片上涂布光刻胶；(2)进行第一次干涉光刻，制作符合A闪耀角要求的光刻胶光栅掩模；(3)对于A光栅区的光栅掩模，通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀，形成三角形的闪耀光栅槽形；清洗基片；(4)重新涂布光刻胶；(5)将B光栅区进行遮挡，利用已制备完成的A光栅区进行莫尔条纹对准，然后去除遮挡，进行第二次干涉光刻，制作符合B闪耀角要求的光刻胶光栅掩模；(6)通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀，将B光栅区刻蚀形成三角形的闪耀光栅槽形；(7)清洗基片，得到全息双闪耀光栅。本发明实现了全息双闪耀光栅的制作，能够精确地分别控制两个闪耀角。

公开(公告)号：CN101393303A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810156771.4

申请日：2008-09-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 刘全 ,  吴建宏 ,  辛煜 ,  陈新荣 ,  李朝明 ,  胡祖元

IPC: G02B6/122 ,  G03F7/00 ,  G03F7/36 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明公开了一种制作近红外波段三维光子晶体的方法，利用全息干涉形成一维光子晶体掩模，通过离子束刻蚀或反应离子束刻蚀把掩模转移到硅基底材料上的SiO2层上，在刻蚀过的沟槽里填入高折射率材料，用离子束刻蚀法抛光表面，接着再沉积上SiO2，涂布光刻胶、全息光刻、离子束刻蚀等形成第二层，重复以上步聚，层与层之间采用莫尔条纹法对准，最后使用酸洗法去除SiO2，获得所需的三维光子晶体。本发明充分利用了全息光刻的亚微米分辨率，可以制作大面积的三维光子晶体，之后可根据需要切割成小块，具有高效低成本的优势；同时，在干涉场中，通过改变两束相干光的波前，便于引入大面积、周期性的缺陷。

公开(公告)号：CN100470405C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610039966.1

申请日：2006-04-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴建宏 ,  李朝明 ,  张伟 ,  刘全 ,  陈新荣 ,  胡祖元

IPC: G03H1/04 ,  G02B5/32

Abstract: 一种全息光栅制作光路的莫尔条纹调节方法，利用球面平凸透镜作为准直器、用莫尔条纹调节方法检测平面全息光栅的制作光路。传统光路调节方法中轴向和离轴方向的调节误差均可以被有效消除。由此制取的脉冲压缩光栅波像差被降至最低。而且对其他常规光栅的制作也同样具有重要的实用价值。

公开(公告)号：CN101382612A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810155640.4

申请日：2008-10-10

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李朝明 ,  吴建宏 ,  陈新荣

IPC: G02B5/18 ,  G03F7/00 ,  G03H1/04 ,  G02B27/60

Abstract: 本发明公开了一种基于参考光栅单次曝光的大面积全息光栅制备方法，在主全息干板上制备衍射光栅，包括下列步骤：(1)固定参考全息干板；(2)遮挡主全息干板，用全息光栅记录光场制备参考光栅；(3)使参考光栅与记录光场形成较疏的莫尔条纹，莫尔条纹的方向与参考光栅的线条方向垂直，记录该莫尔条纹信息；(4)对主全息干板的第一部分曝光、显影；(5)同步移动主全息干板和参考全息干板，调节参考光栅和记录光场的相对位置，使再现的莫尔条纹信息与步骤(3)中一致；(6)对主全息干板的第二部分曝光、显影，完成全息曝光拼接光栅的制作。本发明实现了衍射光栅制备过程中相邻区域的拼接，保证了光栅条纹的平行精度和相位关系，可用于制备大面积的衍射光栅。

公开(公告)号：CN101315440A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810023116.1

申请日：2008-07-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 刘全 ,  吴建宏 ,  胡祖元 ,  陈新荣 ,  李朝明

IPC: G02B6/02

Abstract: 本发明公开了一种248纳米波段的零级抑制相位掩模，主要由石英基片以及设置在石英基片一侧表面的槽形结构的光栅构成，其特征在于：所述相位掩模的光栅周期为1050nm～1090nm，槽形深度为240～260nm，所述光栅的每一凸起结构的截面形状为上窄下宽的梯形，梯形的顶部占宽比为0.40～0.46，梯形角为5～13度。本发明的相位掩模，实现了透射248纳米波段激光的零级抑制，相位掩模的零级透过率可以被抑制在2％以内；±1级透射衍射效率高于36％，且与入射光的偏振状态无关。