公开(公告)号：CN1574264A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410049534.X

申请日：2004-06-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 梅本光雄 ,  谷田一真

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078

Abstract: 一种半导体器件。在将有电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，实现电极间的良好电气及机械连接。在第一半导体芯片(1)的表面上形成凸点电极(3)。在第二半导体芯片(10)中，形成通孔(11)，形成在该通孔(11)的中央有空隙(13)的贯通电极(12)。在凸点电极(3)和贯通电极(12)的接合面中，夹置低熔点金属构件(4)，同时使低熔点金属构件(4)的一部分在熔融时流入到贯通电极(12)的空隙(13)中。由此，可以防止因在相邻的凸点电极(3、3)之间供给过剩的低熔点金属构件(4)而导致凸点电极(3、3)间的短路。

公开(公告)号：CN1503337A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116443.9

申请日：2003-11-21

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三菱电机株式会社 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  梅本光雄

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成由金属构成的、在给定位置上具有开口的阻挡掩模层的工艺；向上述阻挡掩模层的开口内供给金属材料并形成由该金属构成的凸出电极的金属材料供给工艺；在该金属材料供给工艺之后除去上述阻挡掩模层的工艺。