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公开(公告)号:CN1985243A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580017674.1
申请日:2005-05-30
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F12/0844 , G06F12/0862 , G06F12/0864 , G06F2212/6024
Abstract: 次要纹理高速缓存由数个纹理单元公用,和存储主存储器中的一部分数据。高速缓存控制CPU按照数个纹理单元的高速缓存未命中控制从主存储器到次要纹理高速缓存的重新装填操作,以便抑制次要纹理高速缓存中颠簸的出现。当数个操作单元以预定时间差访问相同存储器地址时,高速缓存控制CPU抑制重新装填操作的发生。
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公开(公告)号:CN1317682C
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN03805720.4
申请日:2003-03-11
Applicant: 索尼计算机娱乐公司
IPC: G06T15/00
CPC classification number: G06F9/5083 , G06F9/5066 , G06F2209/501 , G06T1/20 , G06T15/005 , G06T2210/52 , G09G5/393 , G09G2360/121
Abstract: 一种系统包括几何处理器(502、504、506)和图形处理器(508、510、512)。通信信道(514)允许几何处理器与图形处理器之间的通信。控制处理器(524)可以通过通信信道与几何处理器和图形处理器进行通信。提供一种在计算机系统中处理图形数据的方法以确定几何处理器和图形处理器是否被有效地利用。如果必要的话,选择性地分配或不分配一个或多个几何处理器和图形处理器,以便在执行图形任务时提高图形处理电路的效率。
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公开(公告)号:CN1291327C
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN02806348.1
申请日:2002-03-19
Applicant: 索尼计算机娱乐公司
IPC: G06F12/14 , G06F15/16 , G06F15/163 , G06F15/167 , G06F15/17 , G06F15/173 , G06F15/177
CPC classification number: G06F12/1466 , H04L69/12
Abstract: 提供一种用于宽带网络上的高速处理的计算机体系结构和编程模型。该体系结构使用一致的模块化结构,公用计算模块和统一的软件单元。公用计算模块包括控制处理器,多个处理单元,由处理单元处理其程序的多个局部存储器,直接存储器存取控制器和共享主存储器。还提供了一种用于协调处理单元从共享主存储器读数据和向其写数据的同步系统和方法。提供了硬件沙箱结构,用于确保处理单元正在处理的程序中间的数据不会被破坏。
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公开(公告)号:CN1496518A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN02806341.4
申请日:2002-03-19
Applicant: 索尼计算机娱乐公司
IPC: G06F15/177 , G06F15/16 , G06F15/167 , G06F9/445
CPC classification number: G06F9/4843
Abstract: 提供一种用于宽带网络上的高速处理的计算机体系结构和编程模型。该体系结构使用一致的模块化结构,公用计算模块和统一的软件单元。公用计算模块包括控制处理器,多个处理单元,由处理单元处理其程序的多个局部存储器,直接存储器存取控制器和共享主存储器。还提供了一种用于协调处理单元从共享主存储器读数据和向其写数据的同步系统和方法。提供了硬件沙箱结构,用于确保处理单元正在处理的程序中间的数据不会被破坏。
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公开(公告)号:CN1496517A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN02806343.0
申请日:2002-03-19
Applicant: 索尼计算机娱乐公司
IPC: G06F15/167 , G06F15/16 , G06F15/177 , G06F12/14 , G06T1/20
CPC classification number: G06F12/0815 , G06F9/544 , G06F21/79 , H04L69/12
Abstract: 提供一种用于宽带网络上的高速处理的计算机体系结构和编程模型。该体系结构使用一致的模块化结构、公用计算模块和统一的软件单元。公用计算模块包括一个控制处理器、多个处理单元、处理单元从其处理程序的多个局部存储器、一个直接存储器存取控制器和一个共享的主存储器。还提供了一种用于协调处理单元从/向共享的主存储器进行数据读/写的同步系统和方法。提供了硬件沙箱结构,用于确保处理单元正在处理的程序之间的数据不会被破坏。统一的软件单元包含数据和应用程序并被构造为通过任何网络处理器进行处理。
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公开(公告)号:CN1941159B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200610143173.4
申请日:2006-09-04
IPC: G11C5/06
CPC classification number: G11C5/025 , G11C7/10 , G11C7/1006
Abstract: 本发明提供一种能够简化到达存储器的布线、能够防止面积增加和长距离布线所引起的性能下降并能够实现存储器的高速存取的共有存储器装置。处理模块(21)的输入输出端口(211)、各存储器接口(222、232)、各存储体(221-1~221-n、231-1~231-n)通过在Y方向(第1方向)及X方向(第2方向)上以矩阵状(栅格状)方式布线的连接布线连接到多个存储器宏(221、231)的配置区域(的上层)。对连接布线,多层布线指令信息布线(指令地址布线)和数据布线(写数据线和读数据线,或共用布线)。
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公开(公告)号:CN1942949B
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200580010959.2
申请日:2005-04-13
CPC classification number: G11B7/24094
Abstract: 光盘(10)具有:由浸渍有树脂的树脂浸渍纸及被树脂被覆的树脂被覆纸的任何一种构成的基板(11)、和记录层(13),树脂由聚碳酸酯、双酚A型环氧树脂、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物中的至少一种构成。另外,光盘(20)的制造方法具有:在记录层基材上形成轨道而制作记录层片的工序;和将树脂浸渍纸或树脂被覆纸与记录层片贴合,在基板(11)上设置由记录层片组成的记录层(13)的工序。
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公开(公告)号:CN101204851A
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200710160039.X
申请日:2007-12-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: B29C67/00
CPC classification number: G03F7/2022 , B22F3/008 , B29C64/135 , B33Y30/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00
Abstract: 提供了一种通过以光照射可光固化树脂顺序形成硬化层形成所希望形状的模型的光学建模装置。该装置包括发出用于在树脂上绘制的光束的第一光源,在树脂上扫描来自第一光源的光束扫描设备,发出一次照射树脂的一个固定区域的光的第二光源,和空间调制来自第二光源的光以便对树脂的指定区域进行全面曝光的空间光调制器。来自扫描设备的光束和来自空间光调制器的光形成每个硬化层。
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公开(公告)号:CN1433008A
公开(公告)日:2003-07-30
申请号:CN03101057.1
申请日:2003-01-09
CPC classification number: G11B7/2542 , G11B7/24056 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , Y10T428/28 , Y10T428/2891
Abstract: 一种用于光盘的保护膜,该保护膜包括设置在透光底膜一个面上的丙烯酸粘合剂层,其中由式[1]表示的透射率的变化(X)为10%或更小,并且由构成丙烯酸粘合剂层的丙烯酸粘合剂上卤素离子的洗脱量及碱性离子的量均为10ppm或更小;以及使用所述保护膜的光盘。该保护膜用于保护光盘的信息记录层,并使光盘的记录和恢复功能不受负面影响。X(%)=[(Ta-Tb)/Ta]×100---[1](Ta:405nm的光通过保护膜的初始透射率,Tb:当保护膜在80℃下在RH为85%的条件下放置1000小时后,405nm的光通过所述保护膜的透射率)。
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公开(公告)号:CN101714371A
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200910179414.4
申请日:2009-10-09
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C45/263 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0017 , G11B7/1374 , G11B7/1387 , G11B7/261 , G11B7/263 , G11B2007/13727
Abstract: 本发明涉及制造母盘的方法以及制造光盘的方法。一种制造母盘的方法包括以下步骤:在母盘形成衬底上形成无机抗蚀剂层,在无机抗蚀剂层的表面形成含有高折射率材料的保护薄膜以形成无机抗蚀剂母盘,其中高折射率材料的折射率n满足n≥曝光光学系统的NA,并且高折射率材料混合在光透过材料中;使用曝光光学系统从保护薄膜上方在无机抗蚀剂母盘上执行NA>1的近场曝光;将保护薄膜从经受了曝光的无机抗蚀剂母盘上分离;通过对分离了保护薄膜的无机抗蚀剂母盘的显影,形成包括曝光部分和未曝光部分的突起/凹陷图案。
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