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公开(公告)号：CN117207723A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311412695.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种共轴水空动力装置与变构型跨介质航行器，包括浮力外壳、设备密封舱以及共轴动力装置；所述设备密封舱置于浮力外壳内部，所述设备密封舱外均匀布置四组共轴动力装置，四组共轴动力装置进行机身的扭矩平衡和控制；所述共轴动力装置通过平行四边形机构连接于设备密封舱上，为航行器提供空中、水下航行动力。本发明共轴水空动力装置具有双电机、空中螺旋桨与水下螺旋桨，且针对介质使用对应类型的旋翼。在满足一般四旋翼航行器垂直起降、稳定悬停、飞行灵活的特征外，收折机臂后能以机体轴线为最小阻力方向前进，通过设置所述空水动力系统，使水空跨介质航行器高速航行，并保持在最佳效率。
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公开(公告)号：CN117207722A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311412289.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: B60F5/02 , B64U10/70 , B64U20/70 , B64U30/293 , B64U50/19 , B63G8/00 , B63G8/22 , B63G8/16 , B63G8/08 , B63B3/13
Abstract: 本发明公开了一种变构型的多旋翼水空跨介质航行器，包括浮力外壳、气密封舱、水密封舱以及可变形共轴螺旋桨装置；所述气密封舱、水密封舱安置于浮力外壳内部，可变形共轴旋翼装置设置于浮力外壳外部；其中，气密封舱位于所述航行器艉部，水密封舱位于所述航行器艏部；所述气密封舱内设置变体积浮力调节装置，变体积浮力调节装置用于对航行器的浮力进行控制，实现航行器的上浮下潜以及悬停运动。本发明极大减小了沿机体轴线航行时阻力；通过机臂的收折切换水中航行模式，在具备共轴双动力输出外，通过变体积浮力调节装置维持水下航行的中性浮力状态，在减小水中动力装置功率输出的同时，可提高推进效率，同时使姿态调整更加灵活。
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公开(公告)号：CN116124320A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310031433.2
申请日：2023-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/26
Abstract: 一种拓宽声表面波无线温度传感器测温范围的设计方法，属于声表面波传感器技术领域。具体为在压电基片上设计两个谐振频率具有特定关系的谐振器，两个谐振器需在压电基片同一平行方向，采用串联方式连接，并确定一个截止频率来区分两个谐振器。本发明需要确定三个参数即可有效拓宽声表面波无线传感器测温范围，且不会影响天线增益，根据温度要求可以增加SAW谐振器数量，相比传统的增加天线带宽方案，测温范围明显增加，且不会减小无线测试距离。
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公开(公告)号：CN114895106B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210309868.4
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 基于近场扫描微波显微镜的电阻率测量方法，涉及材料测量技术。本发明包括下述步骤：1)采用近场扫描微波显微镜在给定距离下测量预定数量的、电阻率已知的各样品的品质因数和谐振频率，形成品质因数比值/电阻率关系曲线，以及谐振频率比值/电阻率曲线；2)测量目标物的品质因素和谐振频率，计算出目标物品质因数比值和目标物谐振频率比值，3)将前述目标物谐振频率比值与谐振频率比值/电阻率曲线进行比对，并将前述目标物品质因数比值与品质因数比值/电阻率曲线进行比对，得到目标物的电阻率的数值。本发明可准确测量目标物的电阻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109633210A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910073039.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/00
Abstract: 一种基于近场微波显微系统测量薄膜尺寸的方法，利用近场微波显微镜的探针沿着薄膜样品待测尺寸方向分别经由不同材料的过渡边界来进行扫描，得到谐振曲线并对其进行求导得到谐振频率变化曲线，经拟合得到谐振频率变化曲线的极值点，然后调整探针与样品的间距后重复上述操作，继而得到一组随探针与样品的间距线性变化的极值点差值或者得到两组随探针与样品的间距线性变化的极值点，通过线性拟合得到直线的截距或者两条直线截距的差值即为即为薄膜样品待测方向的尺寸。本发明实现了对薄膜样品平面尺寸的精确测量，有利于准确的表面形貌分析与材料分析，有利于缺陷精确检测的应用；同时避免测量良导体时探针与其接触情况下使得谐振频率消失导致无法测量的问题。
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公开(公告)号：CN104862659B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510263433.0
申请日：2015-05-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN105242094A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510557642.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法，属于自旋电子学研究以及相关自旋器件制造领域。本发明基于利用终端短路的悬空微带传输线夹具测试FM/NM薄膜结构样品的自旋泵浦-逆自旋霍尔效应电压的方法，采用将样品在微带线夹具中垂直翻转的方式，先后在膜面向上以及膜面向下的位形时测量出样品两端电压，根据样品位形中自旋注入的方向相反的差别，通过简单计算，便可精确获得测量电压中自旋整流分量以及逆自旋霍尔效应电压分量，为精确计算自旋霍尔角提供了参考。
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公开(公告)号：CN104805405A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510150589.8
申请日：2015-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法，属于压电薄膜制备技术领域。该氮化铝压电薄膜，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为1:1.3～1:1.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为1:0.9～1:1.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa。本发明采用同质过渡层技术，通过引入过渡层，提高了薄膜的附着性，克服了钛合金表面粗糙度大的不利影响，在与氮化铝晶格匹配度低的钛合金表面制备了高取向低缺陷的氮化铝薄膜。利用中频磁控溅射设备制备氮化铝薄膜，工艺简单易行，沉积速度快，成本低廉；适用于制备氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN103924204A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410171456.4
申请日：2014-04-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法，属于薄膜材料制备技术领域。首先对钛合金基片表面进行抛光，以尽量降低其表面粗糙度；然后采用磁控反应溅射在350～450℃的基片温度范围内预溅射一层氮化铝，待预溅射氮化铝厚度超过钛合金基片的表面粗糙度后，让钛合金基片自然降温至120～150℃并持续溅射沉积氮化铝直至氧化铝薄膜达到需要的厚度。本发明在钛合金基片表面成功制备出C轴取向的氮化铝薄膜，该薄膜具有高度的C轴取向、较低的表面粗糙度和良好的压电效应，从而为氮化铝薄膜型声表面波器件直接做在钛合金材料表面提供了材料基础，并为氮化铝薄膜型声表面波传感器在航空、航天领域的高可靠性应用提供了一种可能。
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