公开(公告)号：CN102731092B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210227586.6

申请日：2012-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  余盛全 ,  钟朝位 ,  周晓华 ,  张树人

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Zr-Ti基微波介质陶瓷及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件领域。所述微波介质陶瓷包括基料和添加剂；所述基料为(1-x)ZrTi2O6–xZnNb2O6，其中0.20≤x≤0.40；所述添加剂为相当于基料质量0.50%~2.50%的CuO和0.12%~0.90%MnO；所述Zr-Ti基微波介质陶瓷材料的晶相组成包括ZrTi2O6相与TiO2相，介电常数εr为41~53，Q×f值为35000GHz~49000GHz，频率温度系数τf在0两边可调。制备时采用常规工艺制备、空气中烧结，具有很大的推广实用价值，适合用于制作现代通信技术中的介质谐振器、介质滤波器、介质基板以及介质天线等微波通信元器件。

公开(公告)号：CN103232235A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310146478.0

申请日：2013-04-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  余韶阳 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结中等介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由Li2O-Nb2O5-TiO2系材料及占主晶相重量百分比为1～10%的复合降烧剂组成，通过固相反应，即可得到本发明材料。Li2O-Nb2O5-TiO2系材料的组成为LiaNbbTicO3，其中：2

公开(公告)号：CN102442823B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110288487.4

申请日：2011-09-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述微波介质陶瓷材料包括MgO、TiO2、CaO、SiO2、MnO2、Nb2O5和CeO2；各组分的质量百分比含量为：MgO25～35、TiO260～68％、CaO 1～10％、SiO20～2％、MnO20～2％、Nb2O50～2％、CeO20～2％；由MgO、TiO2、CaO、SiO2、MnO2、Nb2O5和CeO2按各自所述质量百分含量配料，并经球磨混合、1050～1200℃下预烧和1250～1360℃下烧结制成。本发明采用传统固相烧结法制备低损耗微波介质陶瓷，其工艺简单、成本低廉；所制备的微波介质陶瓷材料，Q×f值在63000～83000GHz之间，相对介电常数εr在20～22之间，谐振频率温度系数在±10ppm/℃以内，能够满足高性能微波器件的制备需求。

公开(公告)号：CN102503406B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110359697.8

申请日：2011-11-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 一种微波器件陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。微波器件陶瓷基板材料包含主晶相和改性添加剂；主晶相化学通式为Mg1+xCoyTiO3+x+y，其中0.01＜x＜0.05、0.001＜y＜0.01；改性添加剂为CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种，其质量占整个微波器件陶瓷基板材料总质量的0.0～4.0％。其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结过程。所述微波器件陶瓷基板材料具有较高Q×f值(80000～10000)，中等介电常数(17～20)和系列化的介电常数温度系数(0～110)，适用于制作微波器件的基板材料，能够满足微波器件(尤其是微带滤波器)制作要求。所述制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN102503406A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110359697.8

申请日：2011-11-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 一种微波器件陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。微波器件陶瓷基板材料包含主晶相和改性添加剂；主晶相化学通式为Mg1+xCoyTiO3+x+y，其中0.01＜x＜0.05、0.001＜y＜0.01；改性添加剂为CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种，其质量占整个微波器件陶瓷基板材料总质量的0.0～4.0％。其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结过程。所述微波器件陶瓷基板材料具有较高Q×f值(80000～10000)，中等介电常数(17～20)和系列化的介电常数温度系数(0～110)，适用于制作微波器件的基板材料，能够满足微波器件(尤其是微带滤波器)制作要求。所述制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN102442823A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110288487.4

申请日：2011-09-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述微波介质陶瓷材料包括MgO、TiO2、CaO、SiO2、MnO2、Nb2O5和CeO2；各组分的质量百分比含量为：MgO25～35、TiO260～68％、CaO 1～10％、SiO20～2％、MnO20～2％、Nb2O50～2％、CeO20～2％；由MgO、TiO2、CaO、SiO2、MnO2、Nb2O5和CeO2按各自所述质量百分含量配料，并经球磨混合、1050～1200℃下预烧和1250～1360℃下烧结制成。本发明采用传统固相烧结法制备低损耗微波介质陶瓷，其工艺简单、成本低廉；所制备的微波介质陶瓷材料，Q×f值在63000～83000GHz之间，相对介电常数εr在20～22之间，谐振频率温度系数在±10ppm/℃以内，能够满足高性能微波器件的制备需求。

公开(公告)号：CN101182189B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710050521.8

申请日：2007-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  张树人 ,  周晓华 ,  吴孟强

IPC: C04B35/08 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域。多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料，除氧化铍外，还包括0.2～0.6％质量的多元掺杂剂；所述多元掺杂剂由MgO、Al2O3、SiO2、CaO、ZnO和稀土氧化物组成，各组分的质量百分比含量为：MgO：5～60％，Al2O3：0～40％，SiO2：20～95％，CaO：0.1～0.5％，ZnO：0～0.5％，含Y、La、Ce或Sm的单一或任意混合的稀土氧化物：0.01～0.5％。通过溶胶-凝胶法制备多元掺杂剂，然后与高纯氧化铍原料混合、成型、高温烧结后得到本发明的多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料。本发明提供的多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料具有较低的烧结温度、更高的密度、热导率和机械性能；其微观结构具有致密、晶粒均匀、气孔少的特点。其制备方法工艺简单、生产成本较低，且具有良好的重复性，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN101182189A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710050521.8

申请日：2007-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  张树人 ,  周晓华 ,  吴孟强

IPC: C04B35/08 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域。多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料，除氧化铍外，还包括0.2～0.6％质量的多元掺杂剂；所述多元掺杂剂由MgO、Al2O3、SiO2、CaO、ZnO和稀土氧化物组成，各组分的质量百分比含量为：MgO：5～60％，Al2O3：0～40％，SiO2：20～95％，CaO：0.1～0.5％，ZnO：0～0.5％，含Y、La、Ce或Sm的单一或任意混合的稀土氧化物：0.01～0.5％。通过溶胶－凝胶法制备多元掺杂剂，然后与高纯氧化铍原料混合、成型、高温烧结后得到本发明的多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料。本发明提供的多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料具有较低的烧结温度、更高的密度、热导率和机械性能；其微观结构具有致密、晶粒均匀、气孔少的特点。其制备方法工艺简单、生产成本较低，且具有良好的重复性，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN1654414A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410081614.3

申请日：2004-12-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  张树人 ,  钟朝位 ,  王升 ,  李波

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/624 ,  C04B35/622

Abstract: 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，提供一种纳米级陶瓷材料掺杂剂，其主成分为包含以下元素的复合氧化物：a Si+b A+c D+d R，其中，A代表受主元素，至少包括Mg、Mn之一；D代表V、Gd、Sm、Nd、Pr中的一种或多种：R代表稀土元素，包括Ho、Dy、Y、Yb、Er其中之一种或多种；其中，a、b、c、d是系数，以mole比计算，10％≤a≤70％，10％≤b≤40％，10％≤c≤40％，10％≤d≤40％。

公开(公告)号：CN114031402A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111577497.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  倪鹏 ,  唐斌

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子材料及其制造领域，具体提供一种低温烧结微波介质材料MgZrNb2O8及其制备方法，用以解决微波介质材料MgZrNb2O8烧结温度过高、无法与Ag电极共烧形成LTCC陶瓷的问题。本发明通过在预合成MgZrNb2O8基料中添加ZnO‑B2O3玻璃作为助烧剂，大大降低微波介质材料MgZrNb2O8的烧结温度至925～975℃，进而实现与Ag电极共烧形成LTCC陶瓷；并且，微波介电性能仍然优异：介电常数为10～21、Q×f值为33000～40000GHz、谐振频率温度系数为‑80～‑70ppm/℃，在微波介质陶瓷中具有广阔的应用场景。另外，本发明提供低温烧结微波介质材料的制备方法，采用的传统固相法，工艺简单，易于工业化生产，并且低温烧结具有节省能源的显著优势。