公开(公告)号：CN100372800C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510021872.7

申请日：2005-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高密度双5000MnZn铁氧体材料的制备方法，针对目前双5000MnZn铁氧体材料的密度都低于5.0g·cm-3，难以保证材料的耐磨性和硬度的特性，采用新配方和新工艺，不经过热压或热等静压，直接制备出密度达5.0g·cm-3以上的高密度双5000MnZn铁氧体材料。

公开(公告)号：CN1951865A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200510021873.1

申请日：2005-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 兰中文 ,  余忠

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高频功率铁氧体材料的低温制备方法，针对现有技术中的高温烧结工艺，采用低温工艺，将应用于500～2000KHz的高频铁氧体材料的晶粒尺寸控制在3～6μm，从而使材料的性能指标达到开关频率f开：500～2000KHz，起始磁导率μi：1400～1500(25℃)，饱和磁感应强度Bs：480～510mT(25℃)，剩磁Br：190mT(25℃)，矫顽力Hc：35A·m－1(25℃)，居里温度Tc：240，单位体积功耗PL(mW·cm－3)：130(25℃)80(60℃)80(100℃)[500kHz50mT]，材料密度d：4.8g·cm－3。

公开(公告)号：CN118133626B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410350850.8

申请日：2024-03-26

Applicant: 电子科技大学 ,  深圳市麦捷微电子科技股份有限公司

Inventor： 邬传健 ,  李源 ,  余忠 ,  张美蓉 ,  孙科 ,  朱圆圆 ,  李启帆 ,  鲁登辉 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/17 ,  G01R33/12 ,  G01R27/26 ,  G06F111/10

Abstract: 一种基于有限元仿真的电感器高频阻抗优化方法，属于磁性元器件仿真设计技术领域。包括：选择磁芯材料和电感器结构参数；进行CAD建模，得到电感器初始几何模型；将磁芯材料的复数磁导率和复介电常数随频率变化的曲线，作为磁芯材料输入属性；以并联接地型二端激励端口方式进行有限元仿真；对电感器初始几何模型进行仿真，得到电感器的高频等效电感和电阻；进行结构参数化，比较各结构参数下电感器的高频等效电感和电阻。本发明以磁芯材料的复数磁导率和复介电常数随频率变化的曲线作为磁芯材料输入属性，赋予磁芯材料频率相关的电磁属性，有效提高仿真的准确性；采用并联接地型二端激励端口方式，实现去嵌测试端口寄生效应，提升了仿真准确度。

公开(公告)号：CN118629767A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410776216.0

申请日：2024-06-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 管弦 ,  邬传健 ,  李源 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/147

Abstract: 本发明提供的一种高直流叠加特性低损耗复合磁粉心的制备方法，选取具备良好球形度的羰基铁磁粉颗粒和FeSiCrB磁粉颗粒作为原料，采用磷酸H3PO4与羰基铁磁粉颗粒表面发生磷化反应生成致密均匀的磷酸盐绝缘物质，作为羰基铁原粉包覆物，制得羰基铁磁粉心；采用硅烷偶联剂KH550调控FeSiCrB原粉表面物理特性，采用正硅酸乙酯TEOS水解得到高阻态的纳米二氧化硅SiO2，作为FeSiCrB原粉包覆物，制得FeSiCrB磁粉心；将羰基铁磁粉心和FeSiCrB磁粉心混合，得到复合磁粉心。本发明采用低矫顽力高电阻率的铁基非晶FeSiCrB磁粉心对羰基铁磁粉心进行改性，同时利用铁基非晶FeSiCrB磁粉心粒径较大的特点，降低复合体系中的粉末颗粒密堆积程度，增加分布式气隙的数量，改善羰基铁磁粉心的直流叠加特性，得到了高直流叠加特性低损耗复合磁粉心，对羰基铁磁粉心的高频大功率应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN118307315A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410397111.4

申请日：2024-04-03

Applicant: 电子科技大学 ,  四川京都龙泰科技有限公司

Inventor： 李启帆 ,  梁亚辉 ,  余忠 ,  唐明星 ,  邬传健 ,  李元兴 ,  蒋晓娜 ,  孙科 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明涉及铁氧体材料技术领域，公开了一种单轴磁场取向制备高取向度平面型六角铁氧体的方法，包括如下步骤：S1按Cu‑18H六角铁氧体的化学计量数，称BaCO3、CuO、TiO2、Fe2O3取原料粉末；S2将原料粉末球磨2‑4h，混合均匀，得到一次球磨混料；S3将一次球磨混料烘干，预烧结，得到Cu‑18H六角铁氧体预烧料；S4向Cu‑18H六角铁氧体预烧料中掺杂NiO，混合均匀；S5将掺杂有NiO的混料进行二次球磨，球磨6‑10h，得到二次球磨混料；S6采用单轴磁场成型压机，将二次球磨混料压制成生坯；S7将生坯进行烧结，得到所述平面型六角铁氧体。本发明利用单轴磁场取向技术，联合Ni2+离子取代调控18H六角铁氧体易磁化轴方向，既能降低生产所需的条件，实现低成本、高效率生产。

公开(公告)号：CN118221429A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410220511.8

申请日：2024-02-28

Applicant: 电子科技大学 ,  东阳富仕特磁业有限公司

Inventor： 孙科 ,  王宇航 ,  李凌峰 ,  蒋晓娜 ,  张方远 ,  余忠 ,  张晓峰 ,  邬传健 ,  兰中文 ,  李启帆

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/34

Abstract: 一种针对高铋取代的高介低损耗石榴石铁氧体的制备方法，属于微波铁氧体材料领域。本发明通过在二磨过程中加入少量的H3BO3、Bi2O3作为添加剂，一方面减少了Bi3+的挥发，另一方面使得在烧结过程中，晶体在高反应活化能的驱动下互相融合，并在低熔点Bi2O3添加剂的液相毛细驱动下加速生长。另外，采用较低的预烧温度以减少预烧时Bi3+的挥发，较低的预烧温度可获得较宽的最佳烧结温度。而且，在最终烧结的高温段以三段式递进保温烧结弥补由烧结保温阶段Bi3+挥发所需的温度补充，可有效改善材料的显微结构，并控制烧结温度与保温时间使晶粒生长至连续生长末期后降温，提高固相反应的均匀性。

公开(公告)号：CN118184331A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410317167.4

申请日：2024-03-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  苏千发 ,  余忠 ,  孙科 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/34

Abstract: 一种低矫顽力锂钛锌铁氧体材料，包括主料和添加剂，主料为Li0.5+0.5x‑0.5yTixZnyMn0.06Fe2.44‑1.5x‑0.5yO4，添加剂为：Sb2O3、Bi2O3和CaCO3。本发明通过Ti4+、Zn2+、Mn3+取代，保证其饱和磁化强度为2500Gs并适当降低矫顽力；采用Bi2O3、Sb2O3和CaCO3作为联合添加剂控制材料的显微结构，结合烧结工艺，降低锂系铁氧体的矫顽力和磁化强度温度系数，同时提高剩磁比，制得的锂钛锌铁氧体在具有低矫顽力、高剩磁比和低磁化强度温度系数的同时，还能保持较低的铁磁共振线宽和介电损耗。

公开(公告)号：CN118145979A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410235523.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 电子科技大学 ,  西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

Inventor： 孙科 ,  郭志强 ,  廖杨 ,  邬传健 ,  张晓峰 ,  蒋晓娜 ,  李启帆 ,  余忠 ,  兰中文

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 一种高介中等饱和磁化强度钇铁石榴石铁氧体制备方法，属于微波与磁性材料技术领域。本发明采用取代石榴石结构中十二面体位Y3+、八面体位和四面体位Fe3+的配方以及二次造粒的工艺，使得到的材料具备中等饱和磁化强度1050G＜4πMs＜1250G，适用于低频段微波铁氧体器件，同时具备高介电常数ε'＞20、低的铁磁共振线宽ΔH≤24Oe和介电损耗tanδε＜1×10‑4，能够减小器件的设计尺寸，有利于微波铁氧体器件的小型化、轻量化。

公开(公告)号：CN116396068B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310284691.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  龚莹 ,  余忠 ,  孙科 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  李启帆

IPC: C04B35/26

Abstract: K～Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的基板材料包括主料和掺杂剂，所述主料包括：0～11.3％BaCO3、2.7％～11.6％SrCO3、3.12％La2O3和80.27％～83.5％Fe2O3，其余为CuO原料；以主料的质量为参照基准，按重量百分比，以氧化物计算，掺杂剂包括：1～2wt％CuO、1～2.5wt％Bi2O3和0.2～1.5wt％SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术，获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板，可满足K～Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。

公开(公告)号：CN118039347A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410222106.X

申请日：2024-02-28

Applicant: 电子科技大学 ,  山东春光磁电科技有限公司

Inventor： 余忠 ,  陈婧莎 ,  宋兴连 ,  孙科 ,  廖文举 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01F41/32 ,  C23C18/12

Abstract: 一种NiZn铁氧体薄膜磁性能及取向生长的调控方法，属于磁性薄膜材料技术领域。本发明使用旋转喷涂设备，基于吸附‑旋转‑加热‑成膜的制备顺序，先将喷嘴接入去离子水溶液，经过高速旋转的液滴在基板表面形成均匀的水膜，待温度稳定后接入还原剂溶液和氧化剂溶液，通过水解反应促进薄膜的成核及生长，最终制得NiZn铁氧体薄膜。本发明通过引入种子层降低薄膜与衬底之间的应力，诱导薄膜生长调控晶体的微观形貌，不仅使制得的薄膜具有更好的磁性能，而且得到了(222)和(511)取向生长的薄膜，提高了薄膜的均匀性。同时，通过控制种子层的厚度，控制晶面沉积速率，调控薄膜生长取向，优化薄膜生长过程，提高晶粒的均匀性。