保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111093987B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201880060022.3

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上,规定HSP空间,并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时,该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

    扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片

    公开(公告)号:CN111886673A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201980017581.0

    申请日:2019-03-05

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法,该方法包括:贴合工序,将多个被粘附物贴合于粘合片(10)的第一粘合剂层(12)或第二粘合剂层(13);扩片工序,使粘合片(10)伸展,以扩大所述多个被粘附物的间隔;以及能量射线照射工序,对第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)照射能量射线,以使第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)固化,所述粘合片(10)具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层(12)、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层(13)、以及基材(11)。

    粘合剂组合物及粘合片
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107325740B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201710212388.5

    申请日:2013-10-09

    Abstract: 本发明涉及一种粘合片,其具有由粘合剂组合物形成的粘合剂层,所述粘合剂组合物含有50质量%以上的丙烯酸类共聚物(A),所述丙烯酸类共聚物(A)包含来源于具有碳原子数1~20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(a1)的结构单元(a1),并且含有3摩尔%以上的来源于丙烯酸衍生物(a2)的结构单元(a2),所述丙烯酸衍生物(a2)具有羧基且其均聚物的玻璃化转变温度为80℃以下。所述粘合片即使将该粘合剂层薄膜化至10.0μm以下,也具有高粘合力,且耐热黄变性优异。

    保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN111093986A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880059994.0

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片,其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用复合片中,该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b),该支撑片中的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X),该树脂成分(X)的HSP的极性项δP为7.5MPa1/2以下,规定HSP空间,并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时,该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

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