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公开(公告)号：CN111279468A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069262.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , B32B27/16 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1-G2)/G1×100为30％以下。
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公开(公告)号：CN111107994A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880060878.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该能量射线固化性成分(a0)与该非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下，该能量射线固化性成分(a0)与该树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。
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公开(公告)号：CN107615454A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680032214.4
申请日：2016-06-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具有：基材、具有活性能量线固化性的粘合剂层、及具有热固性的保护膜形成用膜，其中，该保护膜形成用复合片用于通过下述方式制造带保护膜的半导体芯片：将该保护膜形成用复合片通过该保护膜形成用膜而粘贴于半导体晶片的背面之后，使该保护膜形成用膜固化成为保护膜，接着，在对该半导体晶片进行切割而得到半导体芯片之后，使该粘合剂层固化，然后将该半导体芯片连同该保护膜一起进行拾取，由此制造带保护膜的半导体芯片，该粘合剂层至少在与所述保护膜形成用膜接触的层中含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物，该共聚物具有由构成烷基酯的烷基的碳原子数为8以上的(甲基)丙烯酸烷基酯衍生的结构单元。
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公开(公告)号：CN107001876A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003816.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B9/00 , B32B27/00 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。
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公开(公告)号：CN118165320A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410277853.3
申请日：2021-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 小桥力也
Abstract: 通过将多片本实施方式的保护膜形成膜层叠，制作宽度4mm、厚度200±20μm的试验片，并保持所述试验片，以频率11Hz的拉伸模式、升温速度3℃/分钟的测定条件，测定所述试验片的储能模量，将所述试验片的温度为70℃时的储能模量设为E’70、将所述保护膜形成膜的波长380～780nm的光的反射率的最大值设为Rmax时，根据式：Y＝(log10E’70)2×Rmax算出的Y值为260以上，根据式：X＝(log10E’70)2算出的X值为33以上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111279468B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880069262.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , B32B27/16 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。
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公开(公告)号：CN108966671B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201780016815.0
申请日：2017-03-13
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 小桥力也
IPC: H01L21/301 , B32B3/30 , B32B27/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明的支撑片具备基材、以及层叠于上述基材上的粘合剂层，其中，上述基材的具备上述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下，上述基材的与具备上述粘合剂层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度(Ra)大于具备所述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度，并且为0.053～0.48μm。本发明的保护膜形成用复合片具备上述支撑片、且在上述支撑片中的上述粘合剂层上进一步具备保护膜形成用膜而成。
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公开(公告)号：CN113969114B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111233131.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J133/00
Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。
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公开(公告)号：CN112625609B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202011201640.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B27/26 , C09J11/04 , C09J133/12 , C09J163/02 , C09J163/00 , C09J11/06 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。
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