一种保偏光纤
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108845389A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810526552.4

    申请日:2018-05-22

    Abstract: 本发明公开了一种保偏光纤,涉及光纤领域,保偏光纤由内到外依次包括纤芯、石英包层、内涂层和外涂层,所述石英包层位于所述纤芯的外围,所述石英包层和纤芯之间设有两个应力区,且两个所述应力区沿所述纤芯的中心对称分布;所述纤芯由内到外依次包括圆形的中心芯区和至少一个与所述中心芯区同心设置的环形区,所述中心芯区和环形区的折射率不同;所述内涂层和外涂层均为双层结构,每层所述内涂层和外涂层的模量均不同,且由内到外模量依次增大。本发明提供的保偏光纤,提供了更稳定、更高性能的串音输出和光纤衰减性能。

    一种双包层掺镱光纤
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108761635A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810453097.X

    申请日:2018-05-03

    Abstract: 本发明公开了一种双包层掺镱光纤,涉及光纤技术领域,所述光纤由内到外依次包括纤芯、内包层和外包层,所述纤芯由内到外依次包括圆形的中心芯区、以及至少四个与所述中心芯区同心设置的环形掺杂芯区,所述中心芯区和四个所述环形掺杂芯区的镱离子浓度由内到外依次增加,且所述内包层和外包层均为石英包层。本发明提供的双包层掺镱光纤,优化了掺镱光纤的功率分布,提高其在高功率光纤激光输出条件下的稳定工作能力。

    一种支持多个线偏振模式与轨道角动量模式的少模光纤

    公开(公告)号:CN106772786A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710031428.6

    申请日:2017-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种支持多个线偏振模式与轨道角动量模式的少模光纤,自内而外依次包括第一芯层、第二芯层、第一包层、第二包层、第三包层和有机材料涂覆层;所述第一芯层与所述第一包层的相对折射率差最大值为0.2%~1.2%,所述第一芯层与所述第一包层的相对折射率差最小值为0.05%~0.6%;所述第二芯层与所述第三包层的相对折射率差为0.2%~1.2%;所述第一包层与所述第二包层的相对折射率差为0%~1.1%。本发明通过在掺氟石英内包层处增加第二芯区的设计有效增加了光纤不支持模式的损耗,有利于光纤模式传输的稳定性,同时支持线偏振模式和轨道角动量模式(OAM模式),通过调整光纤芯区的折射率分布以及第二芯层的设计能够调整该光纤中差分群时延。

    一种双包层有源光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN104777552A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510155189.6

    申请日:2015-04-02

    CPC classification number: G02B6/036 C03B37/025

    Abstract: 本发明公开了一种双包层有源光纤及其制造方法,该方法包括以下步骤:S1:制备光纤预制棒前驱体;S2:对石英包层进行石英冷加工,在石英包层上钻圆孔;S3:制备环形波导预制棒;S4:将环形波导预制棒组装至圆孔,形成有源光纤预制棒;S5:对有源光纤预制棒拉丝,形成双包层有源光纤。双包层有源光纤的石英包层为D形或者正多边形;石英包层内设置有环形波导纤芯,环形波导纤芯螺旋环绕于石英纤芯周围,每米石英纤芯上环绕有0.5~120个螺旋。本发明加工精度高,制造难度较低;制造双包层有源光纤时,能够比较容易使环形波导纤芯环绕于石英纤芯周围,保证双包层有源光纤的光学性能和可靠性。

    低损耗光纤及其制造方法
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103472529B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310409732.1

    申请日:2013-09-10

    CPC classification number: C03B2203/22

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法,涉及光纤领域,该低损耗光纤包括阶跃形波导,阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层、芯包过渡层、芯包界面过渡层、深掺氟包层、包套过渡层、包套界面过渡层和套管层,芯层采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成,芯层与纯硅芯之间的相对折射率差为0~0.1%;深掺氟包层采用纯二氧化硅深掺氟制成,深掺氟包层与芯层的相对折射率差为0.24%~0.28%;芯包过渡区中的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布,应力系数的绝对值范围在0.005~0.015之间;基点温度从900℃~950℃逐渐上升到1150℃~1200℃之间。本发明制造出的光纤在1550nm波段的衰减系数能降低到0.158dB/km以下。

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