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公开(公告)号：CN106033137A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510101465.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 武汉邮电科学研究院 , 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/012 , C03B37/025
Abstract: 一种石英包层大功率传输弥散光纤及其制造方法，涉及光通信及相关传感器件技术领域，所述弥散光纤自内而外依次为芯层、第一石英包层、第二石英包层；所述芯层，其中掺杂有Ge元素，该芯层的折射率呈渐变分布，且分布幂指数为1.5～3.3；第一石英包层，其中含有气泡，且具有光散射作用；第二石英包层，其折射率高于第一石英包层的折射率。本发明能耐受较高功率和较高温度，提高了光纤的稳定性与可靠性，有效解决了光纤在照明中颜色变换问题。
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公开(公告)号：CN104777552A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510155189.6
申请日：2015-04-02
Applicant: 武汉邮电科学研究院 , 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/036 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种双包层有源光纤及其制造方法，该方法包括以下步骤：S1：制备光纤预制棒前驱体；S2：对石英包层进行石英冷加工，在石英包层上钻圆孔；S3：制备环形波导预制棒；S4：将环形波导预制棒组装至圆孔，形成有源光纤预制棒；S5：对有源光纤预制棒拉丝，形成双包层有源光纤。双包层有源光纤的石英包层为D形或者正多边形；石英包层内设置有环形波导纤芯，环形波导纤芯螺旋环绕于石英纤芯周围，每米石英纤芯上环绕有0.5～120个螺旋。本发明加工精度高，制造难度较低；制造双包层有源光纤时，能够比较容易使环形波导纤芯环绕于石英纤芯周围，保证双包层有源光纤的光学性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN104536085A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510005831.2
申请日：2015-01-07
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 武汉烽火锐光科技有限公司
CPC classification number: G02B6/024 , C03B37/01217 , C03B2203/31 , C03C25/1065 , G02B6/02395 , G02B6/0286 , G02B6/036 , G02B6/03688 , G02B6/03694 , G02F1/0134 , G02B6/028 , G02B6/443
Abstract: 本发明涉及特种光纤领域，具体涉及一种细径保偏光纤，包括石英光纤，其外围设置有内涂层和外涂层，石英光纤的内部设置有光纤芯层和石英包层，光纤芯层和石英包层之间设置有2个应力区，内涂层和外涂层之间设置有缓冲涂层，每个应力区外围均设置有与应力区同心的缓冲层；细径保偏光纤的工作波长为1310nm时，其衰减达到0.5dB/km以下，串音达到－35dB/km；所述细径保偏光纤的工作波长为1550nm时，其衰减达到0.4dB/km以下，串音达到－30dB/km。本发明不仅具有优良的衰减和串音稳定特性，而且具有优良的长期工作稳定特性，能够为高精度光纤陀螺的研制提供更好的光纤环，进而为光纤陀螺向小型化、高精度方向的发展奠定基础。
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公开(公告)号：CN103630965A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310641596.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 武汉烽火锐光科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/018
Abstract: 一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法，涉及光纤领域，其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层，所述外包层为石英包层，所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小，芯层相对外包层的相对折射率差为0.85～0.95%；内包层相对外包层的相对折射率差为0.10～0.20%；下陷包层相对外包层的相对折射率差为-0.15～-0.25%；制造中利用改进的化学气相沉积法工艺，在石英反应管内依次沉积下陷包层、内包层以及芯层，沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷；本发明在不影响拉锥性能的前提下，提升光纤的抗弯曲性能，保证其在C+L波段的光纤耦合器小型化中的应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1188361C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03157394.0
申请日：2003-09-19
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/018 , C23C16/50 , C23C16/513 , G02B6/00
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体技术的光纤预制棒加工设备，该设备由等离子体谐振腔、同轴线和矩形微波波导管等结构组成，其中采用门钮接触式波导同轴变换结构的微波能量传输变换装置，它是在波导-同轴线变换器中，同轴线内导体在波导管内与底面的门钮式结构环状弹性连接，环状弹性连接通过一特殊的“爪形轴套”实现，保证同轴内导体上下调节时与门钮式结构的紧密接触，而且不改变波导同轴变换装置的性能；接触式有利同轴线内导体散热；还设计有水冷和防泄漏装置，增强冷却和屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN105837025A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610251260.5
申请日：2016-04-21
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B37/018 , C03B37/0183 , C03B37/01869 , C03B2201/36 , C03B2201/50 , C03B2201/54 , C03B2201/58 , Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种高效制备掺杂光纤预制棒的方法及掺杂光纤预制棒，涉及光纤预制棒领域。该方法步骤如下：将稀土材料或功能金属材料与共掺剂配制成掺杂溶液，将高纯石英粉体与掺杂溶液混合，在100℃～150℃温度下烘干12～48小时，粉碎，筛选，得到掺杂石英粉体；将掺杂石英粉体沉积在靶棒的表面，形成掺杂芯层；将掺杂石英粉体替换为高纯石英粉体，使高纯石英粉体沉积在掺杂芯层的表面形成石英外包层；去除靶棒，将掺杂芯层和石英外包层形成的整体在高温下逐步熔缩，得到掺杂光纤预制棒。该方法工艺简单，能够有效减少杂质引入，提高光纤预制棒的掺杂均匀性；该方法能够显著提升掺杂光纤预制棒的生产效率，降低掺杂光纤的研制成本。
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公开(公告)号：CN105607182A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610005835.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/02295
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光子晶体光纤及其制备方法，制备方法包括以下步骤：制备一根高纯芯棒，经外喷、烧结形成中心石英层，高纯芯棒进而形成中心芯棒；以所述中心芯棒为靶棒，在其外围沿圆周方向均匀放置若干第一靶棒，经外喷、烧结形成第一石英层，然后依次向外围设置至最后一层的第N靶棒(N>＝1)，外喷、烧结完毕，其中靶棒的层数与所加工的光纤的石英层的层数相同，各层的靶棒数目与各石英层的孔数相同；接续尾管，采用气压控制拉制成光子晶体光纤。本发明，可高效率、低成本的大规模制造低损耗光子晶体光纤，使制得的光纤具有良好的衰减特性和超强的弯曲不敏感性。
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公开(公告)号：CN105572066A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610101209.6
申请日：2016-02-24
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/31
Abstract: 一种掺稀土光纤预制棒吸收系数的测试装置及方法，涉及特种光纤测试领域，包括LD泵浦源、传能光纤、高反光栅、精密组合位移台、功率计以及样品载台，将待测掺稀土光纤预制棒切成圆柱体切片，测LD泵浦源功率为5W，功率计的功率值P0，将圆柱体切片置于样品载台，Y轴方向调节，保证圆柱体切片的中心轴、V型槽中的传能光纤的中心轴和功率计的中心轴位于同一平面，X轴方向调节，使功率计的中心轴穿过圆柱体切片的一侧边缘，测量LD泵浦源功率为5W时，功率计的功率值P1，根据公式吸收系数＝-10×lg(P0/P1)，得到圆柱体切片该位置吸收系数；本发明能够直接测量掺稀土光纤预制棒的吸收系数，提高研发效率，降低研发成本。
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公开(公告)号：CN103630965B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310641596.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 武汉烽火锐光科技有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/018
Abstract: 一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法，涉及光纤领域，其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层，所述外包层为石英包层，所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小，芯层相对外包层的相对折射率差为0.85～0.95%；内包层相对外包层的相对折射率差为0.10～0.20%；下陷包层相对外包层的相对折射率差为-0.15～-0.25%；制造中利用改进的化学气相沉积法工艺，在石英反应管内依次沉积下陷包层、内包层以及芯层，沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷；本发明在不影响拉锥性能的前提下，提升光纤的抗弯曲性能，保证其在C+L波段的光纤耦合器小型化中的应用要求。
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