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公开(公告)号：CN116732408B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310183283.7
申请日：2023-03-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种MXenes负载超细纳米高熵合金复合材料及其制备方法。本发明制备的复合材料以硫修饰的Ti3C2TX纳米片为载体，纳米高熵合金通过与硫原子形成共价键锚定在上述纳米片上。同时，该制备方法简单、快捷高效，具有普适性，能够制备一系列超细纳米高熵合金复合材料。
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公开(公告)号：CN114643072A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111401690.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料的可控制备方法。本发明制备的复合材料以三维多孔双非金属掺杂的MXenes纳米片为基底，掺杂金属元素以单原子的形式锚定在上述纳米片上。同时，该制备方法简单、快捷高效，具有普适性，能够制备一系列不同金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料。
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公开(公告)号：CN108807370B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810502074.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内从左到右依次设有第一N+注入区以及第一P+注入区，第一P阱内依次设有第二N+注入区、第二P+注入区以及第三N+注入区，第二N阱内依次设有第三P+注入区以及第四N+注入区，第一N+注入区以及第一P+注入区均与阳极相连，第三P+注入区以及第四N+注入区均与阴极相连，静电保护器件的形状为轴对称的八边形。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，增强ESD鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346462A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811162796.5
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，主要由衬底P-SUB，双阱工艺中的第一N阱、第二N阱和P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二P+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区，薄栅氧和多晶硅栅构成。本发明的ESD保护器件的阴极嵌入PMOS的SCR结构，形成了一条电流的泄放路径，这条泄放路径削弱了SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的SCR结构的维持电压。
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公开(公告)号：CN109300895A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811162798.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种LDMOS-SCR结构的ESD保护器件，主要由衬底P-SUB、第一NWD、第二NWD和P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第一栅氧、第一多晶硅栅、第一场氧、第二栅氧、第二多晶硅栅、第二场氧、第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和第五场氧隔离区构成，P阱和第二P+注入区为环形。本发明通过形成一条泄放电流的路径来削弱LDMOS-SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的LDMOS-SCR结构的维持电压。
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公开(公告)号：CN108899313A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810495782.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区以及第四P+注入区，第二P+注入区跨接在第一P阱与第一N阱之间，第三P+注入区跨接在第一N阱与第二P阱之间，第一P+注入区以及第一N+注入区均与阳极连接，第四P+注入区以及第四N+注入区均与阴极连接。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN108807373A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810661331.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区，N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连；第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连；第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层，第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅；第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间，第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。
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公开(公告)号：CN108766964A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810482780.6
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/0296
Abstract: 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区和第二P+注入区互相连接；第一P+注入区、第一N+注入区连接阴极；第三P+注入区、第四N+注入区连接阳极，第三P+注入区、深N阱、第一P阱构成第一PNP型晶体管；深N阱、第一P阱、第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；第二N+注入区、第一P阱、第一N+注入区构成第二NPN型晶体管。本发明能够在不牺牲SCR结构较强泄放电流能力的同时提高维持电压，避免LDMOS器件发生闩锁，维持鲁棒性。
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