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公开(公告)号：CN113009746A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110200308.0
申请日：2021-02-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的太赫兹二次谐波产生器件。所述超材料由谐振单元和低损耗衬底组成，其中谐振单元由场增强结构和耦合结构两部分构成。在太赫兹波激发时，场增强结构由于谐振增强了局域的磁场和电场，耦合结构处于场增强位置，其载流子受磁场力的驱动做非谐振动，进而在室温下辐射出太赫兹二次谐波。本发明创造性地采用磁电耦合的超材料结构，其二阶非线性特性可通过调整超材料结构参数实现精确控制，具有超高设计自由度，且该超材料结构紧凑，易集成，在0.1‑30THz频率范围内具有相当广泛的应用前景。
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