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公开(公告)号：CN111020329B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201911155317.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于W‑Fe‑C体系腐蚀法制备多孔钨材料的方法，具体步骤如下：1)采用低温烧结形成复合块体：将钨粉、铁粉以及碳粉球磨均匀得到混合粉末，将所得混合粉末装入石墨磨具中，采用放电等离子烧结得到钨铁块体；2)利用化学腐蚀法腐蚀基体材料中的铁：将钨铁块体放入过量的稀硫酸溶液中，并将稀硫酸溶液加热至40～80℃，获得具有微米孔径的多孔钨生坯；3)采用高温烧结制备多孔钨：将步骤3)所得多孔钨生坯进行真空无压烧结得到多孔钨材料。本发明提供的多孔钨材料孔分布均匀，结构一致，没有明显的缺陷，孔隙率为25.8～78％，孔径为1～10μm，用途广泛。
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公开(公告)号：CN112151856A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011200751.X
申请日：2020-11-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种具有梯度界面结构的有机/无机复合固体电解质及全固态锂电池，所述复合固体电解质由有机/无机复合固体电解质层及复合在其表面的梯度结构层组成，所述固体电解质的梯度结构层与电池正极接触或作为正极；所述梯度结构层中含有正极活性物质和导离子电解质，所述导离子电解质为导离子无机物与导离子有机物的混合物，往有机/无机复合固体电解质层方向正极活性物质浓度逐渐减少，导离子无机物浓度逐渐增大。本发明在全固态电池的固体电解质界面设置梯度结构层，匹配电解质端与正极端不同的化学、电化学环境，使得正极与电解质间界面接触得到大大改善，降低电解质/正极界面阻抗，提高全固态电池的充放电性能。
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公开(公告)号：CN112103466A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011061597.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种热激活电池用正极片及其制备方法，所述正极片由氯化铅、熔盐电解质粉体、导电剂混合球磨、压片得到。基于该正极片组装得到的Li‑PbCl2热激活电池以氯化铅作为热激活电池正极活性材料，PbCl2来源可以是含铅相关工业的回收物，如废旧铅酸电池的余量铅等，一定程度上有利于环保，克服了现有Li/FeS2热激活电池正极活性材料高温易分解、利用率低等缺点，所得热激活电池具有正极热稳定性高，活性材料PbCl2纯度要求低，成本低廉，正极活性材料利用率高于当前商用正极材料，倍率性能稳定，对环境和资源友好等优点。
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公开(公告)号：CN110923490B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201911248749.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种钛钼合金去合金化制备高强微米多孔金属钛块体的方法，该方法采用等离子活化烧结钛钼合金，而后利用去合金化选择性地腐蚀合金中的钼，结合熔盐电解的方法对得到的多孔钛进行去氧化和二次烧结，大幅提升多孔钛块体的纯度和机械性能，从而获得高强微米多孔钛块体。本发利用等离子活化烧结制备钛钼双连续的三维网络结构钛钼合金；通过改变钛钼元素含量来调控多孔金属钛块体的孔隙结构；采用熔盐电解的方法对得到的多孔钛进行去氧化和二次烧结，大幅提升多孔钛块体的纯度和机械性能；该工艺可获得孔径5‑10μm，孔隙率78.5％‑44.6％，抗压强度可达152.3MPa的高强微米多孔钛块体；具有工艺简单，成本低，以及实用性强等优点。
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公开(公告)号：CN110004419B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910152980.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si薄膜。本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高，且涉及的沉积工艺简单、重现性好，适合推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107963890B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711239977.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B38/06 , H01B1/06 , H01B13/00
Abstract: 本发明是一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法，即：先将分散剂、胶凝剂配置为组合助剂，加入陶瓷粉体及烧结助剂，搅拌混合均匀后制备出陶瓷料浆，再注入模具中，经固化成型、干燥，制备得到陶瓷坯体，再在特定的排胶制度下进行排胶热处理，选用场助烧结或无压烧结中的一种，在设定的温度及气氛下进行烧结，得到所述的TiN多孔导电陶瓷。该多孔陶瓷的孔隙率为30～70％，孔径尺寸1～20μm，抗弯强度为15～150MPa，电导率为8～25×103S/m。本发明在制备过程中避免了高温氮化过程，所得氮化钛多孔陶瓷纯度更高，孔隙率高，孔径分布均匀，结构可控，且可降低烧结温度，成本低廉，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN111294996A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010013827.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H05B6/02
Abstract: 本发明提供一种梯度银基感应导磁膜及其制备方法，该梯度银基感应导磁膜，包括基体、底层银膜、外层银膜；所述底层银膜丝印在所述基体上，所述外层银膜丝印在所述底层银膜上；所述外层银膜中银粉含量高于所述底层银膜中银粉含量，且所述外层银膜中玻璃粉含量低于所述底层银膜中玻璃粉含量。本发明的梯度银基感应导磁膜创新性地采用梯度结构，在保证导磁膜良好导电、导热性能的前提下，通过缓和界面热应力，避免了因热膨胀系数差异悬殊、界面热应力大而带来的开裂、脱落风险，解决了传统银基感应导磁膜加热功率不稳定、使用寿命短等问题，制备的梯度结构导磁膜兼具良好的结合强度和产热导热效果，具有优良的综合性能。
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公开(公告)号：CN111020329A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155317.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于W-Fe-C体系腐蚀法制备多孔钨材料的方法，具体步骤如下：1)采用低温烧结形成复合块体：将钨粉、铁粉以及碳粉球磨均匀得到混合粉末，将所得混合粉末装入石墨磨具中，采用放电等离子烧结得到钨铁块体；2)利用化学腐蚀法腐蚀基体材料中的铁：将钨铁块体放入过量的稀硫酸溶液中，并将稀硫酸溶液加热至40～80℃，获得具有微米孔径的多孔钨生坯；3)采用高温烧结制备多孔钨：将步骤3)所得多孔钨生坯进行真空无压烧结得到多孔钨材料。本发明提供的多孔钨材料孔分布均匀，结构一致，没有明显的缺陷，孔隙率为25.8～78％，孔径为1～10μm，用途广泛。
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公开(公告)号：CN109378525A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811159924.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0562 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种微米级石榴石型无机固体电解质膜的制备方法，首先将一定粒径的石榴石型无机固体电解质与有机溶剂、分散剂混合球磨，接着加入塑化剂和粘结剂进行二次球磨，所得浆料经除泡、流延成膜、干燥、热压、排胶以及烧结处理，形成厚度为(20-200)μm的石榴石型固体电解质膜。与现有方法相比，本发明具有成本低、设备简单、工艺稳定、易于工业化等优点，所得膜产品离子电导率高、厚度可控。
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公开(公告)号：CN109207829A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811185685.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高熵合金与多组元碳化物共晶型复合材料及其原位制备方法。采用真空电弧熔炼的方法，将Re、Mo、Nb、W纯金属粉体与TaC粉体进行高温熔炼，原位生成高熵合金相与多组元碳化物相形成共晶型复合材料。该复合材料由枝晶初生晶和细小规则的层片状共晶组织组成，相界面干净且结合强度高；表现出良好的室温强韧性综合性能，屈服强度高于1.1GPa，平均极限抗压强度高于1.8GPa，室温塑性应变高于5％，硬度高于5.8GPa，可用于核电技术、国防军工等领域。
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