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公开(公告)号：CN101060076A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710052167.2
申请日：2007-05-14
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供了一种高晶体质量的GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法，该方法是以Al2O3、SiC或Si为衬底，在衬底经高温氮化后，依次于750～780℃下高温生长AlN成核层，于720～730℃下低温三维生长GaN成核层，再于750～780℃下高温二维生长GaN外延层，继续外延生长GaN的同时，实行原位金属Fe、Cr或Mg掺杂，制备出高位错密度、相对粗糙的GaN绝缘层。此后采用AlGaN/GaN超晶格或多周期间歇式原子层脉冲沉积法，生长GaN过渡层，最后在720～730℃、高III/V比条件下生长出高晶体质量、表面光滑的GaN外延层。以用本发明方法制备的这种GaN绝缘或半绝缘外延层为衬底材料，可生长微波器件结构。
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