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公开(公告)号：CN105428992A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510800418.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片结构，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。
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公开(公告)号：CN104966991A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510367669.9
申请日：2015-06-29
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种新型高速半导体激光器的制作方法，所述方法包括：制作外延片的脊波导结构；脊波导结构上通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO2绝缘层，所述SiO2薄膜的厚度为2-3um；在所述SiO2薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，光刻的窗口宽度为1.5-2.5um；基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO2层，获取电极柱接口；通过所述电极柱接口制作P面电极，并通过减薄所述外延片制作N面电极。本发明实施例通过这种新型结构设计与传统激光器制作方法比较起来，本发明方法制作可以解决了后面打线封装的问题，利于大规模生产的需要。
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公开(公告)号：CN105429000B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510828598.8
申请日：2015-11-25
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上；利用电子束蒸发SiO2，并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后，控制托盘温度进行退火；在完成退火后，再次进行电子束蒸发SiO2，并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量，并针对SiO2层中可能存在的应力，提出了将原本待生长指定厚度的SiO2，分离成多次生长和退火的过程，从而将应力有效的减小。
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公开(公告)号：CN105356297B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510729473.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明适用于半导体激光器领域,提供了种GaN基激光器和相应制造方法,所述方法包括:在衬底上生长非掺的GaN层;在所述非掺的GaN层上生长非掺的AlGaN/GaN超晶格层;在所述非掺的AlGaN/GaN超晶格层上生长多量子阱有源区;分别向用于转化为P型电流注入层和N型电流注入层的量子阱区域注入Mg和Si;退火活化所述Mg离子和Si离子;在没有注入Mg或Si的量子阱区域沉积生成上限制层。本发明实施例通过注入的方法形成P型和N型电流注入层,因此对上限制层材料的导电性无要求,因此可低温生长沉积ITO、SiO、AlO、SiN和TiO等低折射率材料,形成上限制层,限制光场。
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公开(公告)号：CN105932544A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610478194.5
申请日：2016-06-24
Applicant: 武汉电信器件有限公司
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3434
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种高速激光器芯片结构及其制作方法。其中所述高速激光器芯片包括腐蚀停止层(3)，在所述腐蚀停止层(3)上设置有电流注入区，其中，所述腐蚀停止层(3)为N型半导体材料构成；所述电流注入区的第一指定区域设置有P型上电极(14)，所述腐蚀停止层(3)的第二指定区域设置有N型上电极(15)；所述腐蚀停止层(3)的底部设置有衬底(0)。本发明设计出共面电极的结构，使得激光器工作的刺激电流无需通过现有的技术中的衬底，从而降低了激光器工作电容，它的电容与传统比较得到相应的减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105429000A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510828598.8
申请日：2015-11-25
Applicant: 武汉电信器件有限公司
CPC classification number: H01S5/2272 , C23C14/10 , C23C14/30 , H01S5/2275
Abstract: 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上；利用电子束蒸发SiO2，并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后，控制托盘温度进行退火；在完成退火后，再次进行电子束蒸发SiO2，并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量，并针对SiO2层中可能存在的应力，提出了将原本待生长指定厚度的SiO2，分离成多次生长和退火的过程，从而将应力有效的减小。
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公开(公告)号：CN105356292A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510856643.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 武汉电信器件有限公司
CPC classification number: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种可调谐波长半导体激光器，包括有源区、一段进行波导区以及光栅区，取样布拉格光栅反射谱为梳状反射谱，其中：有源区、波导区以及光栅区依序纵向相连，各区分别具有电极，在有源区中，有一部分端面镀有反射膜，同时光栅区的端面镀有低反射膜，其中有源区电极用于有源区电流注入，相位区电极及光栅区电极用于对波导进行电流注入或者通过加热的方式改变相位区波导及光栅区波导的折射率，藉由前述构造，解决了复杂光子集成器件的制作的技术问题，达成了成本低廉、适应面广及调整灵活的良好效果。
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公开(公告)号：CN103208741B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310104299.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体面发射激光器及其制备方法和应用，有源层采用应变五量子阱，下分布式布拉格反射镜DBR层采用二元N型AlAs/GaAs对，上分布式布拉格反射镜DBR层仍采用常规三元N型Al0.92Ga0.08As/Al0.12Ga0.88As的DBR，有源层下面几对采用类似结构，顶部利用高导热层AlN层，台面两侧和台上设置覆盖铜层，氧化孔尺寸约18μm，利用bcb层降低器件的电容，制备方法通过改进工艺步骤，提高面发射激光器的整体散热水平；有效解决较大功率面发射激光器散热问题，把面发射激光器功率提高一个量级，使面发射激光器在材料特性上改善，提高工作寿命和工作可靠性，实现1-3km内自由空间通信。
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公开(公告)号：CN103208741A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310104299.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体面发射激光器及其制备方法和应用，有源层采用应变五量子阱，下分布式布拉格反射镜DBR层采用二元N型AlAs/GaAs对，上分布式布拉格反射镜DBR层仍采用常规三元N型Al0.92Ga0.08As/Al0.12Ga0.88As的DBR，有源层下面几对采用类似结构，顶部利用高导热层AlN层，台面两侧和台上设置覆盖铜层，氧化孔尺寸约18μm，利用bcb层降低器件的电容，制备方法通过改进工艺步骤，提高面发射激光器的整体散热水平；有效解决较大功率面发射激光器散热问题，把面发射激光器功率提高一个量级，使面发射激光器在材料特性上改善，提高工作寿命和工作可靠性，实现1-3km内自由空间通信。
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公开(公告)号：CN103050888A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310008696.8
申请日：2013-01-10
Applicant: 武汉电信器件有限公司
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法。该DFB激光器光栅制作时光栅层结构为两层P-InP层中间夹一层P-InGaAsP层，先在顶端P-InP层外涂覆光栅用光刻胶，烘干后进行全息曝光，显影，制作成均匀光栅；然后使用HCl、H3PO4和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉一层P-InP层；再用H2SO4、H2O2和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉P-InGaAsP层；最后除去光刻胶，得到DFB激光器用光栅。通过这种三明治光栅结构设计和InGaAsP/InP两种材料的选择性腐蚀，可获得深度一致的均匀光栅。本发明方法制作成本低，光栅一致性好，DFB激光器成品率高，利于大规模生产的需要。
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