公开(公告)号：CN2911713Y

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200520099618.4

申请日：2005-12-23

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 刘文 ,  曾云 ,  陈龙 ,  罗勇

IPC: G02B27/10 ,  G02B27/28 ,  G02F1/01 ,  H04B10/12

Abstract: 一种可调光功率分配器，它有一个输入端口，两个输出端口，其间依次放置有偏振分光器，相位延迟部件，偏振分光器，光耦合器，或其间依次放置有相位延迟部件，偏振分光器，光耦合器，其特征在于：所述的光耦合器由斜方棱镜、双折射晶体、屋脊棱镜依次放置组成。可以免去现有可调光功率分配器中偏振方向旋转部件(如半波片)的使用；可以大大减小现有可调光功率分配器的波长相关损耗(WDL)，在较大的带宽范围内都有好的使用效果，有利于可调光功率分配器的推广应用。

公开(公告)号：CN201740945U

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201020126734.1

申请日：2010-03-10

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 刘文 ,  张博 ,  张玓

IPC: G02F1/133 ,  G05D23/19

Abstract: 本实用新型公开一种通过温控提高液晶性能的波长选择光开关，包括有依次设置的入射光纤、准直透镜、第一偏振分束器、第一衍射光栅、第一透镜、第一液晶阵列、检偏器、第二液晶阵列、第二偏振分束器、第二透镜、第二衍射光栅、一对准直透镜以及一对出射光纤，所述的第一偏振分束器的出射光侧设置有一半波片，所述的第一液晶阵列和第二液晶阵列连接在一个使该光路在变动的环境温度下可以保持在一个设定温度下的温度控制单元。本实用新型有效地利用温控电路与液晶阵列相结合的方式，提高了液晶阵列的响应速度并完全消除TDL。在同等液晶阵列制作工艺水平下，提高了基于液晶阵列技术的波长选择光开关的性能。

公开(公告)号：CN201035057Y

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200720084517.9

申请日：2007-04-30

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 李传文 ,  刘文 ,  周日凯 ,  刘翠青 ,  彭定敏 ,  范林涛

IPC: G01R15/00

Abstract: 本实用新型公开了一种宽量程光纤电流传感器及其测量装置，涉及一种无源式光纤电流传感器。传感器(100)为一密封容器，包括温度传感头(110)、第1－5电流传感头(121－125)。电流测量装置包括传感器(100)、光纤(200)、耦合器(300)、光源(400)、监控光源探测器(500)、信号光强探测器(600)和光电处理系统(700)。本实用新型提高了测试灵敏度，各量程电流传感头可独立工作也可同时工作，提高测试精度和测试灵活性；传感头全密性玻璃化封装，提高了系统的绝缘性和可靠性；传感头中有一温度探头，提高了测试精度；适用于电力系统电流测量。

公开(公告)号：CN201007744Y

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200620163687.1

申请日：2006-12-11

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 马卫东 ,  王定理 ,  肖清明 ,  刘文 ,  罗勇 ,  李林松

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/00 ,  G02F1/17

Abstract: 本实用新型是一种大功率可变光学衰减片，通过在表面镀有增透膜的楔角玻璃基片上镀制一层很厚的金属反射膜，并在其上制作沿着基片长度方向透光面积逐渐增大的透光孔，实现延长度方向光衰减量的线性变化。这种光学衰减片的每个透光孔的形状是对称分布的，以减小衰减片的偏振相关损耗；并在小孔的排列位置上引入随机分布，以减小衰减片的波长偏振相关损耗。这种衰减片具有支持大光功率输入，有低的偏振相关损耗以及低的波长相关损耗的特点。

公开(公告)号：CN201331670Y

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200820144819.5

申请日：2008-12-24

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 刘文 ,  王定理 ,  周宁 ,  赵彦立 ,  徐智谋

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种纳米压印用二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈DFB光栅结构。分布反馈DFB光栅结构的光栅周期为：di＝λi/(2neff)，其中，di为光栅周期，λi为符合ITU－T要求的激光器波长，其值为1525～1565nm或1565～1605nm，波长间隔为0.8nm或0.4nm，neff为激光器材料的有效折射率，典型值为3～3.5。本实用新型，由于一次压印模板只含有少量DFB光栅图形，因此制作上占用电子束曝光机机时少，成本比较低。而且采用同一个一次压印模板可以制作出多个二次压印模板，适合于大批量生产，所以采用二次压印模板的纳米压印方法制作DFB半导体激光器光栅，具有光栅分辨率高、重复性好，以及制作成本低，生产效率高的特点。

公开(公告)号：CN201181345Y

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200820065451.3

申请日：2008-01-24

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 马卫东 ,  吴凡 ,  刘文

IPC: G02B6/34

Abstract: 本实用新型提供一种具有弯曲切割形状的阵列波导光栅(英文名称为：arrayed waveguide grating，简称AWG)芯片，其特征在于：它具有弯曲形状的边界轮廓线。阵列波导光栅芯片为弯曲型AWG芯片，则同样大小的硅片可能产出更多的AWG芯片，大大降低成本。