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公开(公告)号:CN108706971A
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201810670093.7
申请日:2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3267 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料组成为:Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得,产品经实验测量,具有非常优异的压电应变记忆特性,最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%,工艺简单,成本低廉,适合大规模工业生产。
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公开(公告)号:CN107151138A
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201710301046.0
申请日:2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法,配方为:0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu,通过加入Bi2WO6,促进烧结,获得致密,晶粒均匀的陶瓷材料,结合化学包覆法,在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面,采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒,合成时形成梯度分级结构,抑制Sn的变价,即克服了该体系漏电流大的问题,也同时提高压电性能,降低介电损耗,解决了该体系绝缘性差,难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能,同时具有超低介电损耗,环境友好型、稳定性好。
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公开(公告)号:CN107140968A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201710330695.3
申请日:2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷,其特征在于组成通式为:(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4;其中x表示摩尔分数,0.05
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公开(公告)号:CN107010941A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201710302248.7
申请日:2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,材料配方为:Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3;通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3) 13/3+,以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+,严格以1:1的比例,在B位取代Ti4+离子,产生不同带电缺陷类型,形成相邻晶胞缺陷有序排列,产生非空位补偿,而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴,进而产生纳米级非均匀电子相,结合热处理,因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量,具有优良的电致阻变性能,ΩHRS/ΩLRS=3.0×103,性能稳定,成本低廉,适合大规模工业生产。
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公开(公告)号:CN104671777B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201510103498.9
申请日:2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种同时具备高电致应变、高储能密度以及高温稳定介电常数等多功能无铅电子陶瓷材料及其制备方法,成分通式为:(1‑u‑v)(Bi0.5Na0.5)1‑x(Ca0.65Mg0.35)xTiO3‑uBaTiO3‑v(A0.5Ln0.5)Ti1‑yZryO3+0.05(0.5CeO2‑0.4Y2O3‑0.1MnO2)。其中A为一价金属元素,选自Li、Na、K与Ag的一种或两种,Ln为三价金属元素,选自Nd、La、Sm、Eu的一种或两种。x、y、u、v表示摩尔分数,0.001≤x≤0.3;0.001≤y≤0.4;0.02≤u≤0.2;0.08≤v≤0.3。本发明采部分组成采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体作为原料,通过电子陶瓷制备技术制备而成。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。本发明的多功能无铅电子材料组成是一种绿色环保型陶瓷,电致应变大,储能密度高,介电性能高温性好。
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公开(公告)号:CN104944952A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510301633.0
申请日:2015-06-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法,其中0.02≤x≤0.2,Re为La,Sm,Nd,Gd,Dy,Er,Y中的一种,R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3粉体,然后采用放电等离子烧结(SPS)技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷,基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。
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公开(公告)号:CN104671778A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201510103530.3
申请日:2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高场致应变、高储能密度无铅陶瓷介质材料,成分以通式[(Bi0.95La0.05)0.5Na0.5]1-x-y(Bi0.5K0.5)x(Ba0.85Sr0.10Mg0.05)yTi1-u-vCu(A1/2B1/2)vO3来表示,其中A为三价金属元素,选自Al、Fe、Cr、Mn、Co、Y、与Ga的一种或两种,B为五价金属元素,选自Nb、Sb、Ta与V的一种或两种,C为四价金属元素,选自Zr、Mn、Hf与Sn的一种。x、y、u、v表示摩尔分数,0.005≤x≤0.2,0.005≤y≤0.2,x+y≤0.3,0.005≤u≤0.3,0.005≤v≤0.3,u+v≤0.4。本发明采用冷等静压成型,可获得均匀致密的陶瓷组织。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。本发明的高场致应变、高储能陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高场应变,储能密度可达1.2J/cm3,储能效率可达59%,高场应变可达0.28%,环境友好、损耗低、实用性好。
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公开(公告)号:CN104671777A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201510103498.9
申请日:2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种同时具备高电致应变、高储能密度以及高温稳定介电常数等多功能无铅电子陶瓷材料及其制备方法,成分通式为:(1-u-v)(Bi0.5Na0.5)1-x(Ca0.65Mg0.35)xTiO3-uBaTiO3-v(A0.5Ln0.5)Ti1-yZryO3+0.05(0.5CeO2-0.4Y2O3-0.1MnO2)。其中A为一价金属元素,选自Li、 Na、K与Ag的一种或两种,Ln为三价金属元素,选自Nd、La、Sm、Eu的一种或两种。x、y、u、v表示摩尔分数,0.001≤x≤0.3;0.001≤y≤0.4;0.02≤u≤0.2;0.08≤v≤0.3。本发明采部分组成采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体作为原料,通过电子陶瓷制备技术制备而成。本发明制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。本发明的多功能无铅电子材料组成是一种绿色环保型陶瓷,电致应变大,储能密度高,介电性能高温性好。
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公开(公告)号:CN104671766A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201510103536.0
申请日:2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料,成分以通式(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3 +0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3 +0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeSbO3 +0.005 (0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)来表示,其中Me为碱金属元素Li、Na、K中的一种或两种,x、y表示摩尔分数,0.1≤x≤0.5,0.05≤y≤0.3。本发明采用分步合成结合两歩烧结,获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的高温压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度,储能密度可达1.1J/cm3,压电常数d33可达282pm/V、应变可达0.22%,居里温度可达501oC,绿色环保,实用性好。
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公开(公告)号:CN108675786B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201810669000.9
申请日:2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法,材料组成为:Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法,结合热处理技术,生长无铅压电微‑纳米线,长度在3‑8μm,直径为100‑500nm,工艺简单,成本低廉,适合大规模工业生产。
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