公开(公告)号：CN116693006A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310876192.1

申请日：2023-07-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 郑君健 ,  王闪闪 ,  魏嘉琪 ,  蒋敏敏 ,  张媛媛 ,  韦巧艳 ,  马金星 ,  张星冉 ,  张学洪 ,  王志伟

IPC: C02F1/461 ,  C02F1/30 ,  C02F1/72 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明属于光催化氧化技术领域，具体涉及一种光电阳极及其制备方法和应用。本发明通过在多孔钛基底上生长高度有序的二氧化钛纳米阵列管，借助多孔钛基底的多孔膜状结构，实现光电阳极的连续流运行，从而增加污染物在光电阳极界面的接触氧化效率，克服污染物的传质受限问题；另外利用规则的纳米阵列管结构，有效提高界面的电荷转移以及二氧化钛内部电荷的定向迁移性能；同时在二氧化钛纳米管上负载具有强光吸收能力和高光催化活性的钒酸铋，二氧化钛与钒酸铋形成n‑n型异质结构，以扩大光电阳极的光吸收范围，提高了光催化活性，增加其光能利用效率；并且改变电极内部光生载流子浓度及迁移性能，进而提高光电阳极对有机污染物的降解效率。