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公开(公告)号：CN117984218A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410148872.6
申请日：2019-08-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B41/00 , B24B49/00 , B24B49/08 , B24B49/16 , B24B55/06 , B24B57/02 , F17D1/065 , F17D3/01 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供能更高精度地判定基板吸附的基板保持装置及具备该基板保持装置的基板研磨装置，另外，提供能更高精度地判定基板吸附的基板吸附判定方法及利用该基板吸附判定方法的基板研磨方法。基板保持装置具备：顶环主体，能安装具有能吸附基板的面的弹性膜，当安装弹性膜时，在弹性膜与顶环主体之间形成多个区域；第一管线，与多个区域中的第一区域连通；第二管线，与多个区域中的与第一区域不同的第二区域连通；压力调整单元，能经由第一管线而送入流体对第一区域加压，并能经由第二管线使第二区域为负压；及判定部，基于送入到第一区域的流体的体积或与第一区域的压力对应的测定值进行基板是否吸附于弹性膜的判定，在判定时，不从第一区域排气。
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公开(公告)号：CN110476226B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201880022273.2
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B23Q15/16 , B24B37/30 , B24B49/10 , H01L21/02
Abstract: 基板处理装置具有基板研磨单元(40)，该基板研磨单元具备对晶片(W)进行研磨的研磨垫和用于对晶片进行保持并向研磨垫按压晶片的顶环(41)。在顶环(41)，作为消耗品而安装有弹性膜(80)，该弹性膜对晶片(W)的与研磨面相反的一侧的面进行保持。在弹性膜(80)设置有在研磨中对产生于弹性膜(80)的变形进行测量的多个变形传感器(85、86)，控制装置(15)通过检测部(90、91)而读出变形量的数据。控制装置(15)基于由变形传感器测量出的弹性膜(80)的变形信息来设定对于晶片(W)的研磨制程等处理条件。
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公开(公告)号：CN111376171B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911309643.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备：用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3)；具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11)；与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20)；旋转环(51)；固定环(91)；及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧，第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。
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公开(公告)号：CN109366344B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201810326027.8
申请日：2018-04-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种在基板边缘部分可精密调整研磨轮廓的弹性膜、基板保持装置以及研磨装置。用于研磨头(1)的弹性膜(10)具备：抵接于晶片(W)的抵接部(11)；直立设置于抵接部(11)外周端的圆环状的侧壁(15)；从侧壁(15)朝向径向内侧以剖面观看呈直线状延伸的第一分隔壁(14f)；及从抵接部(11)的外周端部朝向径向内侧的上方以剖面观看呈直线状延伸的第二分隔壁(14e)；以第一分隔壁(14f)、第二分隔壁(14e)以及侧壁(15)构成用于按压晶片(W)边缘的边缘压力室(16f)。
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公开(公告)号：CN113329845A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980090127.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , H01L21/304 , G06N3/02 , G06F17/15
Abstract: 本发明将基板处理装置的多个参数调节为提高基板处理装置的性能值。具有：第一人工智能部，该第一人工智能部针对多个第一学习数据集分别进行学习，该多个第一学习数据集将参数类别的组合相互不同的参数的组作为输入值，并将对应的基板处理装置的性能值作为输出值，该第一人工智能部在学习后，将多个验证用数据集分别作为输入，来预测性能值，所述多个验证用数据集的参数类别的组合与学习时通用；选择部，该选择部使用表示预测的该性能值的正确回答的比例的值、该学习所花费的时间及该第一人工智能部预测性能值所需的时间中的至少一个，从该多个验证用数据集中所包含的多个参数类别的组中选择一个参数类别的组；以及第二人工智能部，该第二人工智能部使用多个第二学习数据集进行学习，该多个第二学习数据集将由选择出的该参数类别的组构成的过去的参数值的组作为输入值，并将对应的过去的性能值作为输出值，该第二人工智能部在学习后，将由选择出的该参数类别的组构成的参数中的按每个基板处理装置必然确定的固定参数作为输入，在使由选择出的该参数类别的组构成的参数中的可变的参数变化的情况下预测该基板处理装置的性能值，并输出预测出的性能值中的、该性能值满足提取基准的参数值的组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107186617B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201710150426.9
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够恰当地处理基板的基板研磨方法、基板研磨装置以及用于那样的基板研磨装置的顶环。本发明提供一种基板研磨方法，具备如下工序：输送工序(S2)，在该输送工序(S2)中，利用弹性膜的第一区域吸附基板而将该基板向研磨垫上输送；研磨工序(S4)，在该研磨工序(S4)中，使所述基板与所述研磨垫接触而对所述基板进行研磨；以及提离工序(S6)，在该提离工序(S6)中，利用所述弹性膜的比所述第一区域宽的第二区域吸附所述基板而将所述基板从所述研磨垫提离。
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公开(公告)号：CN111376171A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911309643.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备：用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3)；具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11)；与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20)；旋转环(51)；固定环(91)；及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧，第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。
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公开(公告)号：CN108515447B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810348607.7
申请日：2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置，尤其是提出一种抛光方法，用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法，该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前，顶圈(1)移动至第一高度，且接着在衬底压抵抛光表面之后，顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号：CN110476226A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880022273.2
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B23Q15/16 , B24B37/30 , B24B49/10 , H01L21/02
Abstract: 基板处理装置具有基板研磨单元(40)，该基板研磨单元具备对晶片(W)进行研磨的研磨垫和用于对晶片进行保持并向研磨垫按压晶片的顶环(41)。在顶环(41)，作为消耗品而安装有弹性膜(80)，该弹性膜对晶片(W)的与研磨面相反的一侧的面进行保持。在弹性膜(80)设置有在研磨中对产生于弹性膜(80)的变形进行测量的多个变形传感器(85、86)，控制装置(15)通过检测部(90、91)而读出变形量的数据。控制装置(15)基于由变形传感器测量出的弹性膜(80)的变形信息来设定对于晶片(W)的研磨制程等处理条件。
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公开(公告)号：CN109366344A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201810326027.8
申请日：2018-04-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/00 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种在基板边缘部分可精密调整研磨轮廓的弹性膜、基板保持装置以及研磨装置。用于研磨头(1)的弹性膜(10)具备：抵接于晶片(W)的抵接部(11)；直立设置于抵接部(11)外周端的圆环状的侧壁(15)；从侧壁(15)朝向径向内侧以剖面观看呈直线状延伸的第一分隔壁(14f)；及从抵接部(11)的外周端部朝向径向内侧的上方以剖面观看呈直线状延伸的第二分隔壁(14e)；以第一分隔壁(14f)、第二分隔壁(14e)以及侧壁(15)构成用于按压晶片(W)边缘的边缘压力室(16f)。
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