抛光研磨处理中研磨量的模拟方法及抛光研磨装置

    公开(公告)号:CN107107309A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680003000.4

    申请日:2016-01-18

    Abstract: 本发明以如下为一个课题:考虑小径的抛光垫从被研磨基板突出时在基板的边缘附近产生的压力集中,来进行抛光研磨量的模拟。根据本发明的一实施方式,提供一种研磨量的模拟方法,对使用尺寸比研磨对象物小的研磨垫来对研磨对象物进行抛光研磨时的研磨量进行模拟,该研磨量的模拟方法具有以下步骤:依研磨垫相对于研磨对象物的突出量,使用压力传感器测定从所述研磨垫施加给研磨对象物的压力分布;及根据突出量及测定出的压力分布,修正用于研磨量的模拟的压力。

    抛光组件及基板处理装置
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105390417A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510532602.6

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 本发明提供一种抛光组件及基板处理装置,用于对基板进行抛光处理,该抛光组件具有:抛光台,该抛光台用于支承所述基板且该抛光台能够旋转;以及安装有抛光垫的一个抛光头,该抛光头构成为能够旋转,且构成为能够向靠近所述抛光台的方向及从该抛光台远离的方向移动,所述抛光垫具备第1部位与第2部位,所述第2部位在所述第1部位的外侧以包围所述第1部位的方式配置,所述第1部位与所述第2部位的特性相互不同。通过该抛光组件及基板处理装置能够抑制基板的损伤地进行研磨,或者,能够高效率地清洗去除粘性较大的异物等。

    抛光方法和抛光装置以及用于控制抛光装置的程序

    公开(公告)号:CN101262981A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200680033601.6

    申请日:2006-09-12

    CPC classification number: B24B37/042 B24B37/345 B24B49/00

    Abstract: 一种抛光方法,其可在重新开始抛光之前使抛光表面达到适于抛光的最佳状态,而不需要使用假晶片等,因此省去了假晶片等的成本。该抛光方法包括:在抛光休止时间段中进行待机运行;在待机运行完成之后,通过在向抛光表面供给抛光液体的同时修整抛光表面进行抛光准备过程;以及在抛光准备过程完成之后开始工件的抛光。可基于待机运行的总运行时间或待机运行的总有效次数确定是否在待机运行完成之后进行抛光准备过程。

    修整盘
    36.
    外观设计

    公开(公告)号:CN303504280S

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201530194431.1

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称为修整盘。2.本外观设计产品是在半导体制造用化学机械研磨(CMP)装置等中与研磨垫接触来进行修整的修整盘,在底面侧的孔中插入定位销,并且通过磁铁等的吸附力来固定在保持器上使用,俯视图平坦面部分的全部或一部分是粘固有金刚石磨粒等的修整面。3.本外观设计为针对同一产品的2项相似外观设计,其中指定设计1为基本设计。4.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。5.指定设计1立体图为最能表明设计要点的视图。6.由于设计1、设计2各自的后视图、左视图、右视图分别与设计1、设计2各自的主视图相同,故省略设计1、设计2各自的后视图、左视图、右视图。

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