公开(公告)号：CN114830354A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080087234.8

申请日：2020-10-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田实 ,  有马润 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的课题在于在氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止由沟槽与场绝缘层的对准偏差引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；隔着绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁并且与阳极电极(40)电连接的金属膜(64)；以及场绝缘层(70)。场绝缘层(70)包含：位于漂移层(30)的上表面(31)与阳极电极(40)之间的第一部分(71)以及隔着金属膜(64)和绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁的第二部分(72)。由此，即使沟槽(61)与场绝缘层(70)的对准发生偏差，也不会发生绝缘破坏。

公开(公告)号：CN114830353A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080087212.1

申请日：2020-10-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的课题在于在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止阳极电极与保护膜的界面的剥离。肖特基势垒二极管(11)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；和覆盖阳极电极(40)的保护膜(70)，保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内。这样保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内，因此，阳极电极(40)与保护膜(70)的密合性提高。由此，能够防止阳极电极(40)与保护膜(70)的界面的剥离。

公开(公告)号：CN106486237A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610657378.8

申请日：2016-08-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  森健太郎 ,  安原克志 ,  冈义人 ,  氏家彻

IPC: H01F1/34 ,  H01F27/24

CPC classification number: H01F1/344 ,  H01F27/24

Abstract: 本发明涉及一种铁氧体磁芯、电子部件以及电源装置。本发明提供在100℃附近的饱和磁致伸缩小、驱动时的音鸣声被抑制并且饱和磁通密度高的铁氧体磁芯。所述铁氧体磁芯其特征在于：是包含换算成Fe2O3为51.5～54.5mol％的氧化铁、换算成ZnO为6.5～12.5mol％的氧化锌、以及剩余部分为氧化锰的主成分的MnZn系铁氧体，相对于该主成分，包含换算成Li2CO3为50～4000ppm的Li，包含换算成TiO2为100～8000ppm的Ti，包含换算成CoO为500～4000ppm的Co。