公开(公告)号：CN1978698A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610160965.2

申请日：2006-12-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 李尚浩 ,  小松孝 ,  中村肇 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  谷典明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的内容为：磁控管溅射电极可以使磁铁组装件的磁铁之间产生的管状磁束的轮廓调节变得简单易行。在支撑板上安装中央磁铁和周边磁铁，构成在靶前方形成管状磁束的磁铁组装件。对包含中央磁铁和周边磁铁的支撑板相对两侧进行分割，分割后的中央部分与一块基础板固定在起，分割下来的分割部分借助可使其相对中间部分作前后、左右以及上下方向移动的位置变更装置安装在的基础板上。

公开(公告)号：CN1904133A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107628.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的其特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少3片的靶(241)和对各靶(241)交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E1～E3)，使来自交流电源(E1～E3)的至少一个输出分支，连接到至少2片的靶(241)上，在连接到该分支了的输出上的各靶(241)之间设置了作为切换从交流电源施加电位的靶的切换单元的开关(SW1～SW3)。

公开(公告)号：CN1904132A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107627.2

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少4片的靶(241)和逐一地连接以便对并列地设置的靶中的2片靶交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E)，将各交流电源(E)连接到互不相邻的2片靶(241)上。

公开(公告)号：CN1670243A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510056364.2

申请日：2005-03-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  石桥晓 ,  小松孝 ,  谷典明 ,  清田淳也 ,  太田淳 ,  中村久三 ,  中村肇 ,  田口信一郎 ,  大石祐一

IPC: C23C14/35

Abstract: 现有的磁控管溅射装置中，在成膜期间，使磁铁装配体连续移动，使靶前方的等离子体摇动，变得容易发生异常放电。为克服上述问题，本发明溅射方法及其装置，对最初处理衬底S成膜结束，把下一个衬底搬运到与靶对向位置的时候，使靶前方形成的磁通相对靶平行移动并保持，在这种状态下成膜。

公开(公告)号：CN1667155A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510052718.6

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  大石祐一 ,  石桥晓 ,  小松孝 ,  谷典明 ,  清田淳也 ,  太田淳 ,  中村久三

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部，并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a～31f)，对不同的靶(31a～31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a～31f)置于负电位时，另一方的靶(31a～31f)置于正电位，并作为阳极起作用，所以，相邻靶(31a～31f)之间不必配置阳极。因相邻的靶(31a～31f)之间什么都不配置，故可以缩短靶(31a～31f)间的距离s，由于在配置了靶(31a～31f)的区域内不放射溅射粒子的面积的比例减小，故溅射粒子均匀地到达衬底(5)，从而使膜厚分布变得均匀。