三维电容性结构及其制造方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113661581A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202080027445.2

    申请日:2020-04-06

    Abstract: 三维电容性结构(150)可以通过在多孔阳极氧化物的区域(152a)中的孔(151)上方共形地形成电容性堆叠(153至155)来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层(159)的导电层(158、159)的堆叠上。在孔中,非常接近于孔底部存在具有受限直径(D)的位置(P)。在阳极氧化物的区域(152a)中的第一百分比的孔中,形成电容性堆叠(153至155)的功能部分(F),以便延伸到孔中,不超过直径受限的位置(P)。可能存在于抗阳极氧化层(159)中的裂纹对电容性结构的特性具有降低的影响。可以容忍抗阳极氧化层(159)的厚度增加,使得整个电容性结构的等效串联电阻能够降低。

    分布式LC滤波器结构
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110959197A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201880049558.5

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 公开了分布式LC滤波器结构。分布式LC滤波器结构在同一结构中同时提供分布式电感和分布式电容。因此,消除了分立无源元件,并且实现了高度的同构集成。调整分布式电感与分布式电容之间的互连,以利用分布式电容的寄生电感来增加分布式LC滤波器结构的整体电感。类似地,调整互连,以利用由分布式电感产生的寄生电容来与分布式电容相加,从而增加该结构的整体电容。

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