公开(公告)号：CN1630024A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410048959.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN1206737C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山﨑舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1160936A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1129835A

公开(公告)日：1996-08-28

申请号：CN95115111.8

申请日：1995-08-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  尾形靖 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3685 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0218 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021

Abstract: 在液晶电光器件的外部驱动电路中包括由多个寄存器和对每个寄存器提供电源的电路配置而成的移位寄存器电路。当输入信号进入第n个寄存器时，停止向第n个寄存器之外的寄存器至少一部分加电源。移位寄存器电路是由P沟道TFT和电阻构成。通过使用移位寄存器电路的输出来控制向移位寄存器的供电。用于提供电源的电路由P沟道TFT和电阻配置而成。电流电路功耗不大于移位寄存器电路的功耗。