公开(公告)号：CN1697576A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510070260.7

申请日：2005-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  乡戶宏充 ,  二村智哉

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258

Abstract: 在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中，第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠，并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后，绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极，并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。