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公开(公告)号：CN101626064B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910152392.2
申请日：2002-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L2251/5315
Abstract: 发光设备及其制造方法。在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4，5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此，能够将阳极的空穴注射提高更多。而且，对于导电性能来说，该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此，它能够实现用作电线的功能，与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
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公开(公告)号：CN102651458A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210146133.0
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/32 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L33/56 , H01L51/0024 , H01L51/5221 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 提供了一种具有防止氧和潮气到达发光元件的结构的发光器件及其制造方法。而且，用不多的工艺步骤将发光元件密封而无须封入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构。其上形成发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。在此结构中，当键合二个衬底时，透明的第二密封材料覆盖着象素区的整个表面，而包含用来保护二个衬底之间的间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度大于第二密封材料)环绕着象素区。二个衬底被第一密封材料和第二密封材料密封。而且，借助于用透明保护层例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖各个电极，能够防止发光元件的电极(阴极或阳极)与密封材料之间的反应。
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公开(公告)号：CN102576736A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046492.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。
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公开(公告)号：CN1471065B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN03147149.8
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/32 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L33/56 , H01L51/0024 , H01L51/5221 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 发光器件及其制造方法提供了一种具有防止氧和潮气到达发光元件的结构的发光器件及其制造方法。而且，用不多的工艺步骤将发光元件密封而无须封入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构。其上形成发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。在此结构中，当键合二个衬底时，透明的第二密封材料覆盖着象素区的整个表面，而包含用来保护二个衬底之间的间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度大于第二密封材料)环绕着象素区。二个衬底被第一密封材料和第二密封材料密封。而且，借助于用透明保护层例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖各个电极，能够防止发光元件的电极(阴极或阳极)与密封材料之间的反应。
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公开(公告)号：CN1630443B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200410102044.1
申请日：2004-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供一种具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1913171B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200610114840.6
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/3276 , H01L51/506 , H01L51/5076
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵发光器件，其亮度性质在各个像素的发光元件之间不发生变化，而且甚至在面板具有更高清晰度时也能够实现。在所述发光器件中，发光元件具有位于第一电极和第二电极之间的含发光材料的层，所述发光元件的一个电极(第二电极)不仅仅在周边部分也在像素部分中和辅助布线电连接所述含发光材料的层具有至少第一缓冲层、发光层和第二缓冲层在像素部分中，在连接部分(第一连接部分)内，第一缓冲层和第二缓冲层之一或者全部位于辅助布线(第一辅助布线)和第二电极之间，其中在所述连接部分内第二电极和所述辅助布线电连接。
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公开(公告)号：CN1582070B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200410055681.8
申请日：2004-08-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提供一种蒸发淀积装置。该装置使用由价格低廉且加工容易的材料制成的用于蒸发淀积的容器，来蒸发淀积蒸发材料而不产生堵塞，因此能够稳定地执行蒸发淀积。在用于蒸发淀积的容器的侧面提供折叠式的结构。另外，使用于蒸发淀积的容器的盖子比蒸发源的开口部分还要大，并和加热部分直接连接。根据该结构，盖子的开口部分附近不容易被冷却，且不容易产生容器的胴体部分和盖子之间的温度差。所以，蒸发了的材料不会在开口部分堵塞，从而可以在长时间执行稳定的蒸发淀积，进一步实现蒸发淀积率的稳定化并提高生产性。
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公开(公告)号：CN100582195C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN02811296.2
申请日：2002-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5016 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1025 , C09K2211/183 , H01L51/0077 , Y10S428/917
Abstract: 由于铂或铱都是所谓的贵金属，所以使用了它们的铂络合物或铱络合物都是高价的，未来会不利于成本减低。本发明的课题在于提供比现有的三重发光材料廉价的三重发光材料。另外，利用该材料，提供明亮、功耗低，而且廉价的有机发光元件和使用了所述有机发光元件的发光装置。借助于将以作为廉价金属、并且作为重原子的钨为中心金属的螯合络合物应用于有机发光元件，制作了可以将三重激发能量转换为发光的有机发光元件。通过应用采用了这些金属络合物的有机发光元件，能够在明亮、功耗低的基础上提供廉价的发光装置和使用了所述发光装置的电气用具。
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公开(公告)号：CN100544535C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200580012658.3
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L27/3209 , H01L51/0067 , H01L51/5092 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光元件和发光器件，其中在一对彼此相对设置的电极之间堆叠有多个电致发光层，之间插入电荷发生层，从而其中电荷发生层可通过溅射法形成于电致发光层上而不会损害该电致发生层。对于电致发光层来说，使用了不易被蚀刻的材料作为最靠近在电致发光层上通过溅射法形成的电荷发生层的层。特别是，使用了苯并噁唑衍生物和吡啶衍生物。
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公开(公告)号：CN100527459C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN02149561.0
申请日：2002-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/5096 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L2251/5315
Abstract: 在制造一种向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的措施。本发明的特征在于属于元素周期表中第4，5和6簇中其中一簇的金属元素的氮化物或碳化物(此下文称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的功函数等于或大于常用阳极材料的功函数。因此，能够将阳极的空穴注射提高更多。而且，对于导电性能来说，该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此，它能够实现用作电线的功能，与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
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