公开(公告)号：CN105977292A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510555749.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小川雅章 ,  小林仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明的实施方式提供一种进一步降低栅极电极与p型氮化物半导体层之间的电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层之上；第一电极，设置在所述第二氮化物半导体层之上；第二电极，设置在所述第二氮化物半导体层之上；p型第三氮化物半导体层，设置在所述第二氮化物半导体层之上，且设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且与所述第二氮化物半导体层相接；以及包含p型多晶硅的第三电极，设置在所述第三氮化物半导体层之上，且与所述第三氮化物半导体层相接。