公开(公告)号：CN112292912A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201980042187.2

申请日：2019-08-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 青木克之 ,  深泽孝幸 ,  门马旬 ,  岩井健太郎

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/584 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。

公开(公告)号：CN104768899B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380056980.0

申请日：2013-10-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 船木开 ,  小松通泰 ,  山口晴彦 ,  青木克之

IPC: C04B35/584 ,  F16C33/32

CPC classification number: C04B35/587 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  F16C33/145 ,  F16C33/32 ,  F16C33/62 ,  F16C2206/60

Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，包含氮化硅晶粒和晶界相，在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时，每100μm×100μm单位面积晶界相的面积比为15～35％。另外，所述每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比优选为15～25％。另外，氮化硅烧结体适于耐磨件。根据上述构成，可以提供加工性良好、滑动特性优良的氮化硅烧结体及使用其的耐磨件。

公开(公告)号：CN104768900B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201380057709.9

申请日：2013-12-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 青木克之 ,  小松通泰 ,  船木开 ,  山口晴彦

IPC: C04B35/599 ,  F16C33/32

CPC classification number: F16C33/32 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  F16C2240/54

Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于：在对氮化硅烧结体进行XRD分析时，当将在对应于六方晶系α-SiAlON结晶的29.6±0.3°和31.0±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I29.6°、I31.0°、另一方面将在对应于β-Si3N4结晶的33.6±0.3°、36.1±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I33.6°、I36.1°时，各最强峰值强度满足下述关系式：(I29.6°+I31.0°)/(I33.6°+I36.1°)＝0.10～0.30 (1)在所述氮化硅烧结体的任意断面中，每单位面积100μm×100μm的晶界相的面积比为25～40％，可加工系数为0.100～0.120。根据本发明，可以提供适合于滑动特性长期稳定的滑动构件的氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件。

公开(公告)号：CN103764596A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280043049.4

申请日：2012-09-04

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 青木克之 ,  小松通泰 ,  船木开 ,  山口晴彦

IPC: C04B35/584 ,  F16C19/02 ,  F16C33/32

CPC classification number: F16C19/06 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  F16C33/32 ,  F16C2202/04 ,  F16C2202/10 ,  F16C2206/44 ,  F16C2206/60 ,  F16C2220/20

Abstract: 本发明提供氮化硅烧结体，实施方式的氮化硅烧结体含有：铝，以氧化物换算量计为2～10质量%的范围；R元素，为选自稀土元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围；M元素，为选自IVA族元素、VA族元素和VIA族元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围。铝的含量与R元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～5：1的范围，且铝的含量与M元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～10：1的范围。实施方式的氮化硅烧结体作为轴承滚珠这样的耐磨部件使用。

公开(公告)号：CN101541917A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000209.0

申请日：2008-02-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井启太 ,  青木克之

IPC: C09K11/08 ,  H01J9/227

CPC classification number: C09K11/025 ,  C09K11/642 ,  H01J29/20

Abstract: 使有机酸金属盐与荧光体粒子接触，从而使有机酸金属盐附着，形成表面形成有有机酸金属盐层的荧光体粒子，使用该荧光体粒子形成荧光体层时，在进行烧成的同时将有机酸金属盐层制成金属氧化膜。

公开(公告)号：CN1372297A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02106470.9

申请日：2002-02-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 千草尚 ,  高桥大树 ,  阿部美千代 ,  青木克之

IPC: H01J29/88 ,  H01J29/89 ,  H01J31/00 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J29/896 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种显示装置,具有荧光屏面和由上述荧光屏面上形成的3层以上的层构成的多层反射带电防止膜。上述多层反射带电防止膜从上述荧光屏面一侧起顺序具有吸收层、导电层和保护层。上述吸收层含有至少一种有机色素、SiO2和有机有机有机硅烷偶合剂,而且上述有机有机有机硅烷偶合剂的含有量相对于上述SiO2和上述有机色素的固形部分总计重量为7倍量以下。理想的是上述有机有机有机硅烷偶合剂具有从烷基、乙烯基、苯基、环氧基、羰基、醚基、羧基、酯基、巯基、酰胺基、氨基、氰基和硝基中选出的至少一个官能团。本发明的显示装置不用大规模的加热装置或冷却装置,可在比较低的温度而且短时间的条件下生产多层反射带电防止膜,而且外观无异常,显示图象的对比度特性方面也优良。