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公开(公告)号：CN113763994B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110210749.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。
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公开(公告)号：CN115691564A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210026346.3
申请日：2022-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。层叠体中包含的第3磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy，第2元素E包含选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。
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公开(公告)号：CN113409829B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010951377.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
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公开(公告)号：CN113393868B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
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公开(公告)号：CN112786074B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010952619.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466341B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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公开(公告)号：CN113889152A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN111681684B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910851771.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/35
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括：屏蔽件；磁极；第1磁性层，其设置在屏蔽件与磁极之间；第2磁性层，其设置在第1磁性层与磁极之间；第3磁性层，其设置在第2磁性层与磁极之间；第1非磁性层，其设置在屏蔽件与第1磁性层之间；第2非磁性层，其设置在第1磁性层与第2磁性层之间；第3非磁性层，其设置在第2磁性层与第3磁性层之间；以及第4非磁性层，其设置在第3磁性层与磁极之间。第1非磁性层和第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层和第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111210847B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910789284.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。磁性层设置于磁极与第1屏蔽件之间。第1导电层设置于第1屏蔽件与磁性层之间，与第1屏蔽件及磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于磁极与磁性层之间。第2导电层包括第1区域及第2区域。第1区域与磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域设置于第1区域与磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
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公开(公告)号：CN105023584A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410449901.9
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及高频振荡器件、磁记录头及盘装置。本发明的实施方式提供一种改善了与记录介质的共振特性的相符性、能够进行高密度记录的磁记录头及具有该磁记录头的盘装置。根据实施方式，磁记录头包括：向记录介质的记录层施加记录磁场的主磁极(60)；隔着写入间隙与主磁极相对的写屏蔽件；使主磁极产生磁场的记录线圈(70)；具有振荡层及自旋转矩注入层，在主磁极与写屏蔽件之间配置于写入间隙内的高频振子(74)；用于向高频振子通电的布线；对振荡层施加调制电压的调制电极(76)；和夹在振荡层与调制电极之间的调制绝缘层。
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