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公开(公告)号：CN1538392A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
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公开(公告)号：CN114927147B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN117917732A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310990375.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、导电部、元件部、第1端子、第2端子、第3端子以及第4端子。所述导电部与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘。所述第1端子及所述第2端子与所述导电部电连接。所述元件部设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接，是导电性的。所述第3端子与所述第1磁极电连接。所述第4端子与所述第2磁极电连接。向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
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公开(公告)号：CN115910115A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210065035.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
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公开(公告)号：CN114512149A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114387998A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110838075.7
申请日：2021-07-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供能够评价磁头的特性的磁头的评价方法及磁头的评价装置。根据实施方式，磁头的评价方法包括取得在向包括第1磁极、第2磁极、磁元件及线圈的磁头的所述线圈供给了第1交流电流且向所述磁元件供给了第2电流时从所述磁元件得到的电信号。所述磁元件设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，包括第1磁性层。所述评价方法包括基于所述电信号来检测以所述第1交流电流的极性反转的时刻为基准的所述磁元件的电阻的变化所需的时间。
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公开(公告)号：CN113409829A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010951377.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
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公开(公告)号：CN113393868A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
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公开(公告)号：CN110910908B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910187027.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/11
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
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公开(公告)号：CN112466341A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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