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公开(公告)号：CN106684143A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710086528.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7789 , H01L29/66462 , H01L29/7788
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的异质结场效应管器件(VC‑HFET)及其制备方法。所述异质结场效应管器件包括源极、漏极、栅极以及至少一异质结沟道，所述异质结沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述异质结沟道位于异质结构内，所述异质结构包括第二半导体和环绕第二半导体设置的第一半导体，第一半导体的禁带宽度大于第二半导体，且所述异质结沟道内形成有二维电子气或二维空穴气，所述源极与漏极经所述二维电子气或二维空穴气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的异质结场效应管器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN106411265A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610888690.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种拓展带宽的非对称Doherty功率放大器及其实现方法，采用非对称功分器用于将输入功率进行不等分，并将功率较小的第一信号输出给所述主功率放大电路以及将功率较大的第二信号输出给所述辅助功率放大电路；主功率放大电路的输出端与阻抗变换器T1的一端相连接，辅助功率放大电路的输出端与第二阻抗变换器T2的一端相连接，第二阻抗变换器T2的另一端与第三阻抗变换器T3的一端相连接，阻抗变换器T1的另一端与第三阻抗变换器T3的另一端相连接，并共同与负载的一端相连接。采用本发明的技术方案，使Doherty功放在功率回退9dB时仍然能够保持高效率的同时增大了非对称Doherty功放的工作带宽。
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公开(公告)号：CN105897182A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610307653.3
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端和峰值功率放大电路的输出端与负载调制网络相连接，经负载调制网络将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过在E类功率放大器中利用谐波控制电路控制高次谐波，并通过谐波控制网络将负载阻抗变换到需要的基波阻抗，同时在奇次谐波频率上开路，在偶次谐波频点上短路，实现波形整形的目的，在理论上功放管没有功率损耗，使得功放的理想漏极效率可以达到100％。
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公开(公告)号：CN204607576U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520205686.8
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81B7/02
Abstract: 本实用新型公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器；包括衬底、h-BN移除层、AlN缓冲层、GaN沟道层、隔离层AlN、非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层和帽层GaN；所述的h-BN移除层下方粘贴有开有孔洞的金属铜衬底，h-BN移除层上生长AlN缓冲层；接着在AlN缓冲层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长隔离层AlN，接着在隔离层AlN上外延生长非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层和帽层GaN；帽层上设有AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；本实用新型通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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公开(公告)号：CN205610591U
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201620421660.1
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种连续EF类高效率宽带功率放大器，包括基波输入匹配网络、E类功率放大器、连续型谐波控制网络以及基波输出匹配网络，其中，基波输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端接E类功率放大器的输入端；E类功率放大器的输出端与连续型谐波控制网络的输入端相连接，连续型谐波控制网络的输出端与基波输出匹配网络的输入端相连接，基波输出匹配网络的输出端作为功率输出。相对于现有技术，本实用新型在对“连续类思想”进行深入研究的基础上，提出新型基波输出匹配网络和连续型谐波控制网络，能够极大抑制负载阻抗随工作频率的漂移，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205792463U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620416990.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，功率放大器包括威尔金森功分器、载波放大电路和峰值放大电路；输入信号经威尔金森功分器输出端分别连接载波放大电路和峰值放大电路的输入端；所述载波放大电路由载波输入匹配电路、载波放大器、载波输出匹配电路、70.7Ω四分之一波长阻抗变换器依次串接组成；所述峰值放大电路由50Ω相位补偿线、峰值输入匹配电路、峰值放大器、峰值输出匹配电路和100Ω补偿线串接组成；70.7Ω四分之一波长阻抗变换器和100Ω补偿线并接作为输出端；本实用新型通过减少四分之一波长阻抗变换线的阻抗变换比，极大地增大了功率放大器的带宽，同时也减小了功率放大器整体尺寸。
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公开(公告)号：CN205081125U
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201520488512.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开了一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管，该装置包括阴极电极、渐变AlxGa1-xN极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变AlxGa1-xN极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变AlxGa1-xN极化掺杂层的外侧设有阴极。本实用新型中的高电子浓度材料，易于形成电子隧穿，获得良好的欧姆接触，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN206116406U
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201621179373.0
申请日：2016-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本实用新型提供一种具有复合势垒层结构的常关型III‑V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质墙、漏电极、源电极、第一介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质墙设置在第一半导体层本体上，介质墙的数目为n，第一半导体层本体沿介质墙外围形成重新外延部分，介质墙用于阻止第一半导体的重新外延部分的生长；重新外延部分使第一半导体层超出临界厚度从而在重新外延部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本实用新型利用特殊设计的复合势垒层获得不连续的沟道，从而获得常关型器件，是一种工艺可控、可重复性好，利于工业化生产的器件。
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公开(公告)号：CN205881909U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620407034.7
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205
Abstract: 本实用新型提供一种新型常关型III-V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质模板层、漏电极、源电极、第一介质层，第二介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质模板层设置在第一半导体层本体上并等间隔形成n个窗口，第一半导体层本体沿n个窗口生长形成n个凸起部分；凸起部分使第一半导体层超出临界厚度从而在凸起部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本实用新型利用特殊设计的势垒层获得不连续的沟道，并且栅电极将源、漏电极之间的沟道完全覆盖，从而实现对沟道二维电子气的完全控制，能够避免器件的“电流崩塌”效应；同时该器件可以同时获得较高的击穿电压和截止频率。
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公开(公告)号：CN205610588U
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201620421160.8
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端和峰值功率放大电路的输出端与负载调制网络相连接，经负载调制网络将功率输出给负载。相对于现有技术，本实用新型通过在E类功率放大器中利用谐波控制电路控制高次谐波，并通过谐波控制网络将负载阻抗变换到需要的基波阻抗，同时在奇次谐波频率上开路，在偶次谐波频点上短路，实现波形整形的目的，在理论上功放管没有功率损耗，使得功放的理想漏极效率可以达到100％。
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