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    复合基板及复合基板的制造方法
    31.
    发明授权
    复合基板及复合基板的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102468385B

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201110370293.9

    申请日：2011-11-10

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 多井知义 ,  堀裕二

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L21/02002 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

    Abstract: 针对于粘接由第13族氮化物构成的第1基板和由陶瓷构成的第2基板而成的复合基板，在改善放热性的同时简化其制造时的制造时工序。包括(c)在陶瓷构成的第2基板(12)的表面(12a)形成金属膜(23)，(d)介由该金属膜(23)接合由第13族氮化物构成的第1基板(21)和第2基板(12)。由于一般金属膜(23)相比于氧化膜，其热传导率高，因此，相比于介由氧化膜接合第1基板(21)和第2基板(12)的情况，其可以得到放热性好的复合基板(10)。此外，由于不使用氧化膜，故不需要向外扩散的工序，进而简化工序。

    复合晶片及其制造方法
    33.
    发明公开
    复合晶片及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103703542A

    公开(公告)日：2014-04-02

    申请号：CN201380002366.6

    申请日：2013-07-16

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 岩崎康范 ,  井出晃启 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  宫泽杉夫

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

    Abstract: 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。

    压电性材料基板与支撑基板的接合体
    36.
    发明公开
    压电性材料基板与支撑基板的接合体 审中-实审

    公开(公告)号：CN114731150A

    公开(公告)日：2022-07-08

    申请号：CN202080005724.9

    申请日：2020-11-11

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮

    IPC: H03H9/25

    Abstract: 本发明提供能够抑制无法通过对接合体的压电性材料基板或支撑基板的接合面的表面形状进行控制来加以抑制的寄生波的结构。接合体具备：支撑基板；压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层，其将支撑基板和压电性材料基板接合，并与压电性材料基板的主面接触。利用X射线反射率法对支撑基板的接合面和压电性材料基板的接合面中的至少一者进行测定，此时将全反射时的信号强度设为1时，在来自接合面的反射光的相对强度I为1.0×10－4以上1.0×10－1以下的范围内，通过下式(1)进行近似。【数学式1】I＝a(2θ)‑b·····(1)(θ为针对接合面的入射角，a为1.0×10－5以上2.0×10－3以下，b为5.0以上9.0以下。)。

    压电性材料基板与支撑基板的接合体
    38.
    发明授权
    压电性材料基板与支撑基板的接合体 有权

    公开(公告)号：CN112074622B

    公开(公告)日：2021-07-27

    申请号：CN201980026669.9

    申请日：2019-02-19

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 堀裕二 ,  高垣达朗

    IPC: C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

    Abstract: 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时，即便对得到的接合体进行加热处理时，也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2A，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。

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