公开(公告)号：CN100474042C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN02811234.2

申请日：2002-06-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 高取宪一

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: H03K17/102 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0833 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/02 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2320/0257 ,  G09G2320/0261 ,  H03K17/693

Abstract: 经由利用选通扫描电压而导通的n型MOS晶体管103，将信号线102上的数据信号电压保持在电压保持电容106中，并提供给模拟放大器电路104-1。模拟放大器电路104-1由双栅结构的MOS晶体管构成，其工作点被设定在Ids对Vds几乎没有依赖性的工作范围内。即使由于液晶109的响应而使得Vds产生变动，Ids也大致保持一定。因此可以向液晶109施加与数据信号电压大致成正比的像素电压。

公开(公告)号：CN1750074A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510104135.3

申请日：2005-09-19

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 芳贺浩史 ,  音濑智彦 ,  浅田秀树 ,  野中义弘 ,  是成贵弘 ,  高取宪一

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0289 ,  G09G2310/0297

Abstract: 通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障，提供了一种电特性优异的器件。此外，改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中，使用MOS晶体管的电特性，输出除第一电路以外的其他电路所需的信号，以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中，在MOS晶体管的栅极和源极之间，施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。

公开(公告)号：CN1747172A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510103634.0

申请日：2005-09-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 高取宪一

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G01K7/015 ,  G01K1/14 ,  G01K2217/00 ,  G02F1/1362 ,  Y10S257/93

Abstract: 一种薄膜半导体器件，包括：温度传感器，由薄膜半导体形成且用于将温度传感为电流；以及电流电压转换器，由薄膜半导体形成且具有其电流电压特性不同于所述温度传感器的电流电压特性的温度相关性。由所述电流电压转换器将由所述温度传感器传感到的温度转换为电压。

公开(公告)号：CN1573432A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410059303.7

申请日：2004-06-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 高取宪一 ,  斯维特拉娜·A·克什克哈娜

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1396 ,  C09K19/0208 ,  G02F2001/13775

Abstract: 将扭曲排列的向列液晶的扭矩p与液晶层的厚度d之间的关系设置为p/d＜8，并且执行聚合物稳定。按照这种方法，可提高这样的扭矩，该扭矩用于将施加电压时的排列恢复为未施加电压时的排列，并且因此可提高液晶在衰减时间时的响应速度。即使当使用扭曲排列的向列液晶时，也可通过将现有技术应用到其由复位操作、过驱动操作、或者共用调制所驱动的液晶显示器上而获得很高的响应速度。其结果是，液晶显示器可对其要求更高响应速度的场序制显示模式进行处理。