硬质皮膜形成部件以及硬质皮膜的形成方法

    公开(公告)号:CN103168113B

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201180050474.1

    申请日:2011-10-20

    Abstract: 本发明提供一种第1硬质皮膜形成部件,在基材上交替层叠A层和B层,A层满足组成为TiaCrbAlcSidYe(BuCvNw)(其中,a、b、c、d、e、u、v、w为特定量的原子比),B层满足组成为TifCrgAlh(BxCyNz)(其中,f、g、h、x、y、z为特定量的原子比),在设A层和B层的1组的层叠构造为1单位时,该1单位的厚度为10~50nm,且硬质皮膜的膜厚为1~5μm。另外,本发明还提供一种第2硬质皮膜形成部件,其隔着厚度为0.5μm以下的中间层或不隔着中间层而在所述B层上面层叠所述A层,A层的厚度为0.5~5.0μm,B层的厚度为0.05~3.0μm。

    半导体检测装置用接触式探针

    公开(公告)号:CN102023241B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201010273558.9

    申请日:2010-09-03

    CPC classification number: G01R3/00 G01R1/06761 H01R13/03

    Abstract: 目的在于提供一种半导体检测装置用接触式探针,其是在探针与焊料接触时,防止作为焊料主要成分的锡粘着在探针的接触部,而将抗锡粘着性优异的非晶碳系导电性皮膜形成于基材表面而成的半导体检测装置用接触式探针。一种在导电性基材表面形成非晶碳系导电性皮膜而成的半导体检测装置用接触式探针,其特征在于,所述非晶碳系导电性皮膜具有如下外表面:在原子力显微镜下4μm2的扫描范围中,表面粗糙度(Ra)为6.0nm以下,均方根斜率(RΔq)为0.28以下,表面形态的凸部的前端曲率半径的平均值(R)为180nm以上。

    塑性加工用模具及其制造方法、以及铝材的锻造方法

    公开(公告)号:CN102527899A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110375527.9

    申请日:2011-11-23

    Inventor: 山本兼司

    CPC classification number: B21J3/00 B21J13/02 B21K5/20 Y10T428/265

    Abstract: 提供一种通过控制表面性状而使耐热粘性优异的塑性加工用模具及其制造方法、以及铝材的锻造方法。这种塑性加工用模具其特征在于,通过以下工序进行制造,即基材表面粗糙化工序,采用喷丸法使基材表面粗糙化,将算术平均粗糙度Ra调整为超过1μm且2μm以下;基材研磨工序,对该表面进行研磨,保持Ra为0.3μm以上且调整偏度Rsk为0以下;成膜工序,在该基材表面形成硬质覆膜,硬质覆膜的表面的算术平均粗糙度Ra为0.3μm以上且2μm以下,偏度Rsk为0以下。通过调整为不偏向凹部的凹凸形状,由此抑制蓄留润滑剂的凹部的容积,在凸部表面也能够附着足够的润滑剂。

    滑动性优异的硬质皮膜及该硬质皮膜的形成方法

    公开(公告)号:CN101451228B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200810176085.3

    申请日:2008-11-11

    Inventor: 山本兼司

    Abstract: 提供一种耐磨耗性优异,另外难以发生烧粘等,即使长期使用滑动性仍优异的硬质皮膜,以及能够以短时间形成该滑动性优异的硬质皮膜的硬质皮膜的形成方法。是由通式MxBaCbNc表示的硬质皮膜,其特征在于,M为从4A族、5A族、6A族的元素及Si、Al中选择的至少1种金属元素,并满足如下各式:0≤a≤0.2,0≤c≤0.2,0

    硬质皮膜及硬质皮膜被覆材

    公开(公告)号:CN100558552C

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:CN200710136652.8

    申请日:2007-07-18

    Inventor: 山本兼司

    Abstract: 本发明提供一种硬质皮膜及硬质皮膜被覆材,其与现有的表面被覆层相比,耐磨损性好,并且摩擦系数低且滑动性好。由M(BaCbN1-a-b)构成的皮膜层A,满足下式(1A)~(2A),由Ti1-x-yCrxAlySiz(C1-ANA)所构成的皮膜层B,满足下式(1B)~(5B),其各自层厚分别为5~100nm,层叠而成的硬质皮膜等(其中,上述M为W、V、Mo、Nb中的1种以上,在下式中,a表示B的原子比,b表示C的原子比,x表示Cr的原子比,y表示Al的原子比,z表示Si的原子比,A表示N的原子比。)。0≤a≤0.3式(1A);0≤b≤0.5式(2A);0≤1-x-y≤0.5式(1B);0≤x≤0.5式(2B);0.4≤y≤0.7式(3B);0≤z≤0.15式(4B);0.5≤A≤1式(5B)。

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