公开(公告)号：CN107564793B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201710754995.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  T-J·龚 ,  V·克尼亚齐克 ,  K·坦蒂翁 ,  D·A·马洛尔 ,  V·N·托多罗 ,  S·袁

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。

公开(公告)号：CN105515450A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610056402.2

申请日：2013-04-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  J·Y·孙 ,  M·马尔科夫斯基 ,  K·马赫拉切夫 ,  D·A·小布齐伯格 ,  S·巴纳

IPC: H02N13/00

Abstract: 描述具有射频(RF)及温度均匀性的静电夹盘(ESC)。例如，ESC包括顶部介电层。上金属部设置于该顶部介电层之下。第二介电层设置于多个像素化的电阻式加热器之上，且所述第二介电层部分地由该上金属部所围绕。第三介电层设置于该第二介电层之下，在该第三介电层与该第二介电层之间具有边界。多个通孔设置于该第三介电层中。总线条功率分配层设置于该等多个通孔之下并且耦接于该等多个通孔。第四介电层设置于该总线条功率分配层之下，在该第四介电层与该第三介电层之间具有边界。金属底座设置于该第四介电层之下。该金属底座包括多个高功率加热器组件容纳在该金属底座中。

公开(公告)号：CN105247967A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480028235.X

申请日：2014-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·比沙拉 ,  S·巴纳

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开的诸实施例包括用于使用经由匹配网络耦合至工艺腔室的RF电源在该工艺腔室中进行等离子体处理的方法与设备。在一些实施例中，该方法包括：当匹配网络处于保持模式时，由RF电源以第一频率将RF功率提供给工艺腔室；在第一时期期间，使用RF电源将第一频率调整为第二频率以点燃等离子体；在第二时期期间，使用RF电源将第二频率调整为已知的第三频率，同时维持等离子体；以及将匹配网络的操作模式改变为自动调谐模式以减小由RF电源提供的RF功率的反射功率。

公开(公告)号：CN104247002A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021270.4

申请日：2013-04-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  J·Y·孙 ,  M·马尔科夫斯基 ,  K·马赫拉切夫 ,  D·A·小布齐伯格 ,  S·巴纳

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  C23C16/46 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01L21/67103

Abstract: 描述具有射频(RF)及温度均匀性的静电夹盘(ESC)。例如，ESC包括顶部介电层。上金属部设置于该顶部介电层之下。第二介电层设置于多个像素化的电阻式加热器之上，且所述第二介电层部分地由该上金属部所围绕。第三介电层设置于该第二介电层之下，在该第三介电层与该第二介电层之间具有边界。多个通孔设置于该第三介电层中。总线条功率分配层设置于该等多个通孔之下并且耦接于该等多个通孔。第四介电层设置于该总线条功率分配层之下，在该第四介电层与该第三介电层之间具有边界。金属底座设置于该第四介电层之下。该金属底座包括多个高功率加热器组件容纳在该金属底座中。

公开(公告)号：CN102027810B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200980117820.6

申请日：2009-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  V·托多罗 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H05H1/36 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明的实施例大体而言提供一种用于在广工艺窗口(wide process window)内进行脉冲等离子体工艺的方法及设备。在某些实施例中，设备可包括：RF电源，所述RF电源具有调频；及匹配网络，所述匹配网络耦接至所述RF电源，所述RF电源与所述匹配网络共享共同感应器，所述共同感应器用于读取反射回所述RF电源的反射RF功率。在某些实施例中，设备可包括：RF电源，所述RF电源具有调频；匹配网络，所述匹配网络耦接至所述RF电源；及通用控制器，所述通用控制器用于调谐各个所述RF电源及所述匹配网络，所述RF电源与所述匹配网络共享共同感应器，所述共同感应器用于读取反射回所述RF电源的反射RF功率。

公开(公告)号：CN204206596U

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201290001108.7

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·N·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 兹提供用于处理腔室的基板支撑件的处理套组组件。在一些实施例中，一种处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.728英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度；以及多个凸部，该多个凸部位于该环形主体的该顶表面上，该多个凸部中的每一者对称地位于该环形主体周围。