公开(公告)号：CN105633008B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201410624296.4

申请日：2014-11-06

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 黄宏娟 ,  赵德胜 ,  张宝顺

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种铟柱及其制备方法，所述制备方法包括：A、在芯片(10)上涂布光刻胶层(20)；B、在光刻胶层(20)上形成沉积孔(21)；C、依次沉积金属和铟，在光刻胶层(20)上依次形成底金属层(30)和铟层(41)，并在沉积孔(21)内依次形成底金属层(30)和铟柱(42)；D、去除光刻胶层(20)以及位于其上的底金属层(30)和铟层(41)。所述制备方法可缩短铟柱制备的工艺时间，提高工作效率；同时还可避免器件中的砷化镓等易碎样品的碎裂，提高铟柱成品率。本发明还公开了根据该制备方法制备的铟柱在红外焦平面阵列探测器中的应用，所述铟柱可避免湿法剥离工艺造成的像元短路等问题，提高器件性能。

公开(公告)号：CN107346720A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201610288516.X

申请日：2016-05-04

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵德胜 ,  黄宏娟 ,  张宝顺

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明公开一种场发射器件，包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层，其中，所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质，可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度，而且，由于所述集电极采用的是金属材质，在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜，简化了工艺、降低了成本、提高了性能。

公开(公告)号：CN105097380B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410216831.2

申请日：2014-05-22

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵德胜 ,  张宝顺

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304

Abstract: 本发明公开一种场发射器件，其包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、分别设置在缓冲层两端的发射极层和集电极层、分别设置在发射极层和集电极层上的金属电极层，其中，发射极层与集电极层之间具有沟道。本发明还公开一种场发射器件的制作方法。本发明的场发射器件及其制作方法，可提高场增强因子，并可提高场致发射特性。

公开(公告)号：CN104576465A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310488116.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 黄宏娟 ,  赵德胜 ,  张宝顺

IPC: H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67333 ,  H01L21/68714

Abstract: 本发明提供一种芯片盛放装置，所述芯片正面朝下安放在所述盛放装置中，所述芯片正面包括沉积有焊接球的第一区和第一区周围的第二区，所述盛放装置包括盛放板和设于所述盛放板上的多组盛放单元，所述盛放单元包括用于支撑第二区的支撑部和设于所述支撑部上的用于放置第一区的放置部。其中盛放单元通过放置部来放置芯片正面沉积有焊接球的第一区，保证芯片第一区的表面与盛放单元底部有一定的距离，从而避免了芯片正面的物理划伤和污染；同时，还可以避免吸头触碰感应芯片时造成的焊接球局部压塌现象和焊接球粘贴于盛放单元底部的现象，从而提高了封装的精度及焊接的可靠性，增加了器件的成品率及器件性能。

公开(公告)号：CN103296578A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310219185.0

申请日：2013-06-04

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 黄宏娟 ,  赵德胜 ,  张宝顺

IPC: H01S5/02

Abstract: 本发明涉及半导体制备技术，尤其是提供一种解理装置，用于将半导体巴条解理为若干个芯片，其包括：一负压源，以及，一吸附腔体，通过一连接管与所述负压源连接；所述吸附腔体包括第一上盖和第二上盖，所述第一上盖与所述第二上盖成一夹角相互支撑形成脊部；所述第一上盖、第二上盖分别设有若干个通孔与跨设于所述第一上盖、第二上盖上的巴条对应，通过所述吸附腔体对巴条的吸附力，实现巴条以脊部为支点进行自然解理。本通过吸附作用对芯片结构面实现非接触式解理，可保护样品表面的结构不被损坏和提高良率。

公开(公告)号：CN114664938A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210148255.7

申请日：2022-02-17

Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院

Inventor： 袁旭 ,  于国浩 ,  赵德胜 ,  张宝顺

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法通过在GaN材料中注入n型离子并结合激活保护层进行高温激活，形成了高质量低电阻的欧姆接触，实现了低温欧姆制备工艺。同时，本发明所述金属的退火温度低，满足场板的制作工艺，进而可以通过一次金属淀积形成源极、漏极和漏场板，克服了现有GaN基HEMT器件欧姆接触电阻较大以及工艺复杂的缺陷/不足，具有广泛的应用前景。