公开(公告)号：CN114115369A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202210085057.0

申请日：2022-01-25

Applicant: 季华实验室

Inventor： 毛朝斌 ,  罗骞 ,  黄吉裕 ,  胡承 ,  王慧勇

IPC: G05D9/12 ,  H01L21/02 ,  C30B33/00

Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。

公开(公告)号：CN114082729A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202210056227.2

申请日：2022-01-18

Applicant: 季华实验室

Inventor： 唐卓睿 ,  孔倩茵 ,  毛朝斌 ,  王慧勇 ,  王鑫 ,  刘欣

IPC: B08B9/087 ,  B08B13/00

Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。

公开(公告)号：CN114060723A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111369721.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘欣 ,  唐卓睿 ,  毛朝斌 ,  赵海英

IPC: F17D1/02 ,  F17D3/01 ,  F17D5/00 ,  F16K17/16 ,  C30B25/16

Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延工艺设备用安全保护泄压系统及外延工艺设备，该系统用于调节外延设备反应腔内的气压，所述外延工艺设备用安全保护泄压系统包括:主动泄压管路，与所述反应腔出口连接；被动泄压管路，与所述反应腔出口连接，所述被动泄压管路上设置有爆破阀，所述爆破阀用于在所述反应腔内压力异常且所述主动泄压管路失效时进行泄压；控制器，与所述主动泄压管路电性连接，用于获取反应腔内的压力信息，并根据所述压力信息控制所述主动泄压管路的开关以调节所述反应腔内的气压。通过设计主动泄压管路和被动泄压管路实现反应腔中气压异常时的双重防护,有效保障人员与设备的人身财产安全。