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公开(公告)号：CN100590171C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200580020021.9
申请日：2005-06-14
Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 , 电气化学工业株式会社
IPC: C09K11/64 , C04B35/599 , C09K11/08 , C09K11/80 , H01L33/00
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/442 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/549 , C04B2235/658 , C04B2235/724 , C04B2235/766 , C04B2235/9646 , C09K11/0883
Abstract: 一种以通式(M1)X(M2)Y(Si、Al)12(O、N)16所示的α型赛隆陶瓷，且包含30ppm～1%的杂质氟，其中，M1为选自Li、Mg、Ca、Y和除La和Ce之外的镧系金属中的1种以上的元素，M2为选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Er中的1种以上的元素，且0.3＜X+Y＜1.5、0＜Y＜0.7。通过将该α型赛隆陶瓷的平均一次粒径控制在1～10μm，能够重现性良好且稳定地大量得到α型赛隆陶瓷荧光体。特别是，如果包含30～200ppm的杂质氟，会表现出作为白色用荧光体的良好的发光特性。
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公开(公告)号：CN1969029A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580020021.9
申请日：2005-06-14
Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 , 电气化学工业株式会社
IPC: C09K11/64 , C04B35/599 , C09K11/08 , C09K11/80 , H01L33/00
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/442 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/549 , C04B2235/658 , C04B2235/724 , C04B2235/766 , C04B2235/9646 , C09K11/0883
Abstract: 一种以通式(M1)X(M2)Y(Si、Al)12(O、N)16所示的α型赛隆陶瓷，且包含30ppm～1％的杂质氟，其中，M1为选自Li、Mg、Ca、Y和除La和Ce之外的镧系金属中的1种以上的元素，M2为选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Er中的1种以上的元素，且0.3＜X+Y＜1.5、0＜Y＜0.7。通过将该α型赛隆陶瓷的平均一次粒径控制在1～10μm，能够重现性良好且稳定地大量得到α型赛隆陶瓷荧光体。特别是，如果包含30～200ppm的杂质氟，会表现出作为白色用荧光体的良好的发光特性。
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公开(公告)号：CN103242833B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210489073.2
申请日：2012-11-26
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/592 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/646 , H01L33/486 , H01L33/504 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体（A）；峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（B）；峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体（C）。荧光体（A）的配比为20质量%以上至35质量%以下，荧光体（B）的配比为50质量%以上至70质量%以下，荧光体（C）的配比为10质量%以上至20质量%以下。
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公开(公告)号：CN102676163B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210072617.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7731 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/442 , C04B2235/445 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/761 , C04B2235/766 , C04B2235/767 , C09K11/08 , C09K11/0883 , C09K11/646 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , Y10T428/2982
Abstract: 一种荧光粉，它能够提供使用蓝色LED或者紫外LED作为光源且发光效率优异的白色LED，该荧光粉是以通式(M1)x(M2)y(Si，Al)12(O，N)16表示的α型赛隆作为主成分、比表面积为0.2～0.5m2/g的粉末，其中M1是选自Li、Mg、Ca、Y和镧系元素(除La和Ce外)中的1种以上元素，M2是选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er中的1种以上元素，0.3≤X+Y≤1.5，而且0＜Y≤0.7。
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公开(公告)号：CN102656249B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201180004529.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7729 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , G02F1/133603 , H01L33/502 , H05B33/14 , Y02B20/181
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种荧光体和使用该荧光体的发光装置，所述荧光体通过与蓝色LED的组合，能够得到接近单一且色温低的白色光，并且具有对高演色性有利的较宽的荧光光谱，发光效率高，并具有现有的氮化物系荧光体的特征，即热稳定性和化学稳定性以及高温下的亮度降低较小。本发明是一种用通式：Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101600778B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200780050029.9
申请日：2007-11-20
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C09K11/0883
Abstract: 提供了一种荧光物质，该荧光物质包括Eu激活的β-赛隆并且能够增强发光器件，如使用蓝光或紫外光作为光源的白色LED的亮度。该荧光物质具有作为其主组分的由通式Si6-zAlzOzN8-z表示的β-赛隆并且含有Eu，其中，在25℃下，对应于g＝2.00±0.02的吸收，由电子自旋共振光谱法测量的自旋密度是2.0×1017/g以下。在以上荧光物质中，优选该β-赛隆的晶格常数a是0.7608-0.7620nm，晶格常数c是0.2908-0.2920nm，并且Eu的含量是0.1-3质量％。
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公开(公告)号：CN103242842A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210488653.X
申请日：2012-11-26
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/7706 , H01L33/504 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明的荧光体具有：峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（A）；峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体（B）。荧光体（A）的配比为74质量%以上至89质量%以下，荧光体（B）的配比为11质量%以上至19质量%以下。
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公开(公告)号：CN103168086A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180046132.2
申请日：2011-04-21
Applicant: 电气化学工业株式会社
Inventor： 江本秀幸
CPC classification number: C09K11/7701 , C09K11/0883 , C09K11/7734
Abstract: 本发明的目的是提供具有更高荧光强度的β型赛隆的制备方法。本发明的β型赛隆的制备方法具有：对含有硅、铝及铕的原料粉末进行混合的混合工序；将混合得到的原料在惰性气体或非氧化性气体的气氛中进行烧成，生成由通式：Si6－zAlzOzN8－z:Eu（0＜z＜4.2）表示的β型赛隆的烧成工序；对生成的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火处理后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。退火处理在以下条件下进行：还原性气氛中、气氛压力为100kPa以上至10MPa以下、气氛温度为1200℃以上至1600℃以下、并且处理时间为1小时以上至24小时以下。
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公开(公告)号：CN101712869B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910208340.2
申请日：2006-02-28
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C09K11/80
CPC classification number: C09K11/7734 , B82Y30/00 , C04B35/597 , C04B35/62675 , C04B35/6281 , C04B35/62813 , C04B35/62884 , C04B35/62892 , C04B35/62897 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3409 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/441 , C04B2235/442 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/72 , C04B2235/724 , C04B2235/766 , C04B2235/767 , C04B2235/79 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , Y10T428/2993 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供以蓝色LED或紫外LED为光源的白色LED的荧光体材料。荧光体由通式：(M1)X(M2)Y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n表示的α型塞隆形成，式中，M1为选自Li、Mg、Ca、Y及镧族金属(La和Ce除外)的1种以上的元素，M2为选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb及Er的1种以上的元素，0.3≤X+Y≤1.5，0＜Y≤0.7，0.6≤m≤3.0，0≤n≤1.5，X+Y＝m/2；其特征在于，该α型塞隆粉末所含的氧量在不超过基于前述通式算得的值的0.4质量％的范围内比该值大。
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公开(公告)号：CN102939273A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180023906.X
申请日：2011-04-21
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C04B35/599 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/64 , H01L33/50
CPC classification number: C09K11/7729 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B35/6268 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/422 , C04B2235/658 , C04B2235/6587 , C04B2235/721 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/14
Abstract: 一种具有烧成工序的β型赛隆的制造方法，所述烧成工序是将氮化硅、氮化铝、氧化铝或氧化硅中的至少一种、光学活性元素化合物进行混合而得到的β型赛隆的原料，在1820℃以上至2200℃以下的温度进行烧成，在烧成工序中，将多个氮化硼制容器配置在石墨箱内，以使填充在多个氮化硼制容器中的β型赛隆的原料易于与氮气接触，并在氮气环境下进行烧成，由此可得到碳含量下降、且具有高发光强度的新型的β型赛隆。
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