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公开(公告)号：CN112602194A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201880096850.2
申请日：2018-08-23
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/353 , H04N5/374
Abstract: 提供一种能够维持在受光元件(PD)与浮动扩散电容器(CFD)之间设置有传送开关的以往的光传感器的优点和优势的同时比以往更高速地进行读取、并能够进一步降低消耗电力的光传感器。受光元件的半导体结部被完全耗尽，并且受光元件的电子的势能曲线朝向所述浮动扩散电容器的方向进行负的倾斜且保持着该负的倾斜的状态地与所述浮动扩散电容器的电子势阱的最上部相连。
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公开(公告)号：CN106796173B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201580046756.2
申请日：2015-02-23
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社富士金
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量范围的浓度的浓度测定方法，以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而以光学的方式从被测定对象通过的各波长的光，形成与该光接收相应地从所述光接收传感器输出的与第一波长的光相关的信号和与第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN107003236B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580063098.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01N21/27 , C23C16/52 , G01N21/33 , H01L21/205
Abstract: 提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量区域的浓度的浓度测定方法以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而从被测定对象以光学的方式通过的各波长的光，形成同该接收相应地从所述光接收传感器输出的同第一波长的光相关的信号与同第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110392936A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201780088206.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/068
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种太阳能电池，不受或实质上不易受UV光的照射历史记录的影响，不存在或实质上不存在使用寿命的劣化。一种将特定条件下的UV劣化防止层设置为层结构要素之一的太阳能电池。UV劣化防止层以使有助于半导体极性的半导体杂质在该UV劣化防止层的层厚方向上进行浓度分布并且在该UV劣化防止层的内部具有浓度分布的极大值(CDMax)的方式含有该半导体杂质，该UV劣化防止层的层厚(d1+d2)在2nm～60nm的范围内，极大值(CDMax)在以下范围内，1×1019个/cm3≤极大值(CDMax)≤4×1020个/cm3···式(1)；极大值(CDMax)的半值(b1)的位置位于从UV劣化防止层的光入射侧的表面起的深度位置(A1)处，该深度位置(A1)在极大值(CDMax)的深度位置(A0)
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公开(公告)号：CN106687800B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580046757.7
申请日：2015-08-24
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量范围的浓度的浓度测定方法以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而以光学的方式从被测定对象通过的各波长的光，形成与该光接收相应地从所述光接收传感器输出的与第一波长的光相关的信号和与第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN109804466A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201680089904.3
申请日：2016-10-07
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L29/78 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种对于工业的进一步发展、实现更放心更安全的社会作出较大贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法驱动。本发明的解决方案之一是一种光传感器，具有受光元件、蓄积电荷的蓄积电容以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容为浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关为LDD/MOS晶体管，并且使其漏极区域中的杂质浓度成为特定的浓度。
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公开(公告)号：CN107112334B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201580062460.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3559 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/14612 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L29/78 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个课题在于提供一种对进一步发展产业、实现更放心更安全的社会作出大的贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法驱动。本发明的一个解决方法是一种光传感器，该光传感器具有受光元件、用于蓄积电荷的蓄积电容、以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容是浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关是非LDD/MOS晶体管，且该传送开关的漏极区域中的杂质浓度为少50％的浓度的非LDD/MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN106537613A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580037174.8
申请日：2015-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/103 , H01L27/144 , G01J1/02
CPC classification number: H01L27/1443 , G01J1/0233 , G01J1/0271 , G01J1/4228 , G01J1/429 , G01J1/44 , G01J2001/0276 , G01J2001/4266 , G01J2001/446 , H01L27/144 , H01L31/035272 , H01L31/103 , H02S40/44
Abstract: 本发明提供一种紫外光用固体受光器件，能够通过简单的构造来高精度地适当地测定对人体有害的紫外光的照射量，还能够容易地与周边电路的传感器形成一体，该紫外光用固体受光器件小型/轻量且成本低，适于携带(mobile)或穿戴(wearable)。解决方案之一具备第一光电二极管(1)、第二光电二极管(2)以及差动电路，该差动电路被输入基于来自这些光电二极管的输出的各个信号，在上述光电二极管(1、2)内以及设置于各光电二极管上的半导体层区域分别设置半导体杂质的最大浓度位置，各光电二极管的受光面上设置有波长选择性不同的光透过层。
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