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公开(公告)号：CN112935249A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110186963.5
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石/金属基复合材料的高效制备方法，涉及一种金刚石/金属基复合材料的制备方法。为了解决现有金刚石表面制备碳化物涂层的方法能量损耗大、金刚石易发生石墨化和工艺复杂的问题。称取具有金属镀层的金刚石粉装填于石墨模具中，振实，进行低温扩散处理和高温反应处理，气压浸渗。本发明通过改变预热温度曲线，对金刚石进行低温长时间扩散和高温短时间反应的处理，高温短时间反应避免了金刚石发生石墨化，在复合材料制备过程中在金刚石表面原位合成了一层致密的碳化物涂层，减少了能量损耗，工艺简单、效率高、产品质量和稳定性易把控、成本低、易于实现产业化生产及应用。本发明适用于制备金刚石/金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN111235496B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010103000.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高强度SiC纳米线增强铝基复合材料的制备方法，涉及一种铝基复合材料及其制备方法。目的是解决现有方法制备含有三维连续碳化硅增强体的铝基复合材料的成本高的问题。方法：将SiC纳米线预分散及表面PVA包覆，放入钢模具中进行压制得到SiC纳米线预制体，预制体在保护气氛预热，然后切换为氧气气氛下加热并保温，最后进行熔融的铝金属的制备和压力浸渗。本发明给通过将SiC纳米线制成三维连续结构，从而提高了SiC纳米线的承载能力，最终提高了复合材料的力学性能。本发明适用于高强度SiC纳米线增强铝基复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN108642315B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810244856.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用回收的SiCp/Al复合材料制备团簇型铝基复合材料的方法，涉及一种团簇型铝基复合材料的制备方法。目的是解决现有方法制备的SiCp/Al复合材料塑性韧性差和SiCp/Al复合材料的回收利用难度大的问题。方法：一、复合材料废料清洗、烘干和分筛；二、复合材料粉末球磨；三、预制体冷压制备；四、模具预热和铝金属熔融；五、液态铝浸渗。有益效果：本发明制备的复合材料为团簇型复合材料，致密度高，抗拉强度以及塑性好，成本低，工艺难度低，易于实现材料的微观组织设计；本发明适用于制备团簇型铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN109133966A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811052291.3
申请日：2018-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
CPC classification number: C04B37/021 , C04B2235/666 , C04B2237/52
Abstract: 一种层状梯度石墨膜/铝复合材料的制备方法，本发明涉及一种层状梯度石墨膜/铝复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决金属基复合材料作为电子封装基片，基片热膨胀系数的单一性与不可设计性，从而导致芯片热应力无法缓解、寿命降低的问题。本发明的制备方法为：一、预处理石墨膜与铝箔；二、制备预制体；三、放电等离子烧结方法气氛保护烧结。本发明采用两种或两种以上不同石墨体积分数的预制块堆垛在一起，然后进行预制体制备并进行烧结，使得材料在垂直于片层方向，热膨胀系数呈现梯度变化。梯度变化能够有效的缓解芯片热应力，提高芯片使用寿命。本发明应用于电子封装基片领域。
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公开(公告)号：CN109133965A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811051318.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
CPC classification number: C04B37/021 , C04B2235/666 , C04B2237/52
Abstract: 一种二维高导热石墨膜/铝复合材料的制备方法，本发明涉及一种二维高导热石墨膜/铝复合材料的制备方法。本发明为了解决目前石墨膜/铝复合材料炉腔反应温度高、制备时间长以及石墨膜与铝基体界面反应严重的问题。本发明的制备方法为：一、预处理石墨膜与铝箔；二、制备预制体；三、放电等离子烧结方法气氛保护烧结。本发明采用等离子放电烧结的方法反应时间短，因此检测不出有Al4C3相生成，复合材料制备效率高，致密度高，可靠性高，热物理性能优异。本发明应用于电子封装基片领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109128134A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810960848.7
申请日：2018-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硅油修复石墨烯增强铝基复合材料的制备方法，涉及一种石墨烯增强铝基复合材料的制备方法。目的是解决石墨烯增强铝基复合材料过程中石墨烯的缺陷含量升高和石墨烯在金属基复合材料中的难以均匀分散的问题。称取石墨烯、铝金属粉末和硅油装入球磨罐中球磨并冷压得到硅油‑石墨烯/铝预制体，预制体保温得到硅油修复石墨烯/铝预制体，最后进行复合材料制备。本发明采用硅油助磨剂热分解产生活性Si原子形成更稳定的硅取代结构，使材料性能有提升。硅油包覆在铝金属粉末表面后使撞击中的剪切力更容易作用于铝金属粉末表面，从而利于铝金属粉末成片，有利于减少石墨烯在复合材料中的团聚。本发明适用于制备石墨烯增强铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN108927515A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810961848.9
申请日：2018-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以硅油作为助磨剂与修复剂制备片状石墨烯-铝混合粉的方法，涉及一种石墨烯-铝混合粉的方法。目的是解决球磨法制备片状铝粉过程中石墨烯的缺陷含量高、铝粉颗粒团聚和制备的片状铝粉易被氧化的问题。制备：称取石墨烯、硅油和铝粉作为原料；原料球磨预混后再次球磨，得到粉体真空或气氛恒温炉中保温，最后过筛分离，得到石墨烯-铝混合粉。本发明选择硅油作为助磨剂，有利于片状铝粉从球磨介质表面脱离，避免发生团聚，不会发生铝粉冷焊和氧化，可以显著缩短球磨时间，提高球磨效率，有利于石墨烯在铝粉中的分散，硅油分解产生游离Si原子对缺陷结构进行了修复与弥补，提升了石墨烯的稳定性，并且形成了良好的Al-Si-C界面结合。本发明适用于制备片状石墨烯-铝混合粉。
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公开(公告)号：CN107012355B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710311749.1
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单层石墨烯增强铝基复合材料的制备方法，涉及一种铝基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前单层石墨烯在铝基复合材料领域应用存在的成本高、分散难度大的问题。制备方法：一、称取多层石墨烯微片铝金属粉末，称取工业纯铝块体；所述工业纯铝块体和铝金属粉末的重量比为(3～10)：1；二、多层石墨烯微片分散与预制块成型；三、铝金属浸渗；四、大塑性变形处理；五、高温熔合处理；六、重复塑性变形和高温熔合处理。本发明是以低价格多层石墨烯微片为增强体原材料，因此成本较低，得到的复合材料中单层石墨烯的含量最高可达4wt.％。本发明适用于制备单层石墨烯增强铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN108034866A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201810059357.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法，它涉及一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法。本发明是要解决常规方法增强体添加含量受限的问题。高性能氮化硅铝基复合材料按体积分数由5％～45％Si3N4增强体和55％～95％铝基体制成。方法：一、计算粉体质量并称量；二、粉体球磨混合；三、粉体过筛；四、预压；五、在保护气氛下进行放电等离子体烧结(SPS)。本发明用于制备铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN107790683A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711066444.5
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B22D23/04 , B28B1/29 , B28B17/026
Abstract: 一种流延成型法、叠箔法和压力浸渗法结合制备层状铝基复合材料的方法。一种层状复合材料的制备方法。本发明为解决现有层状铝基复合材料制备过程中厚度控制方法复杂、厚度控制不准确、工艺复杂成本高、界面结合性能弱以及复合材料制备过程中预制体易坍塌的问题。一、称料；二、SiC浆料制备；三、SiC粉末生片流延成型；四、SiC粉末生片之间放置铝金属箔，冷压处理，得到层状预制体；五、去脂处理及模具预热；六、液态铝浸渗；本发明制备的层状复合材料，厚度控制方法简单，厚度准确、工艺简单，原材料成本低；因此复合材料工艺成本低；能保证了复合材料层状结构的完整性，界面结合优异；本发明适用于层状铝基复合材料的制备。
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