公开(公告)号：CN107523828A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710787686.7

申请日：2017-09-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  赵继文 ,  代兵 ,  杨磊 ,  韩杰才 ,  舒国阳 ,  刘康 ,  高鸽 ,  吕致君 ,  姚凯丽 ,  王强 ,  刘本建

IPC: C23C28/04 ,  C23C16/27 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18

Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。

公开(公告)号：CN105223125A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510657869.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  高鸽 ,  代兵 ,  王杨 ,  舒国阳 ,  陈亚楠 ,  刘康 ,  赵继文

IPC: G01N17/00 ,  G06F19/00

Abstract: 基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法，涉及一种涂层寿命的预测方法。本发明为了解决目前还没有一种全面客观的涂层寿命预测方法的问题。本发明首先建立残余应力—时间变化关系和氧化层应力—时间变化关系；并建立涂层应力演变物理模型；然后进行热循环加速试样老化实验，根据涂层应力演变物理模型与试样应力值—时间关系得到人工加速老化的试样的加速倍数；再采用划痕仪对人工加速老化的试样进行结合强度测试，拟合出结合强度—老化时间的关系并绘制成变化曲线将变化曲线与时间轴的交点所对应的时间作为人工加速老化的试样寿命l；以L＝试样寿命l*最终加速倍数k作为的预测寿命。本发明适用于涂层寿命的预测领域。