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公开(公告)号：CN103822715B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410053302.5
申请日：2014-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01J3/453 , G01J3/0208 , G01J3/2823 , G01J3/447
Abstract: 一种基于偏振分光器的快照式成像光谱仪与成像方法属于快照式成像光谱技术领域；该光谱仪在传统成像光谱仪的基础上，在准直镜和微透镜阵列之间设置有偏振分光器一，增加了成像臂光路；在光谱臂光路上，通过设置偏振分光器二，将传统单光路结构改变为平衡光谱臂和非平衡光谱臂的双光路结构；该成像方法，利用平衡光谱臂光电探测器及信号处理部件得到的干涉信号减去非平衡光谱臂光电探测器及信号处理部件得到的干涉信号，再经过去直流、切趾、相位校正和傅里叶变换处理，得到目标的图像和光谱信息；本发明不仅可以快速地捕捉运动目标的图像和光谱信息，而且可以大幅提高系统的空间分辨率和信噪比，有利于在精细测量领域中应用。
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公开(公告)号：CN104837326A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510262996.8
申请日：2015-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 具有金属网栅结构的电磁屏蔽曲面光学窗制作方法属于光学窗技术领域；该方法首先在曲面衬底外表面边缘粘贴胶带，并涂覆裂纹漆，然后在合适的条件下将裂纹漆自然干燥，形成裂纹模板，再揭除胶带，接着在裂纹模板表面沉积导电金属层，最后溶解去除裂纹模板，得到电磁屏蔽曲面光学窗；本发明不仅避免因金属线宽增加而降低光学窗透光性能的问题，而且避免传统机械摩擦方式同时降低光学窗的透光性能和电磁屏蔽性能，还给出能够解决高级次衍射能量分布不均匀问题的具体加工条件，使本发明方法制作出的电磁屏蔽光学窗，不仅具有良好的电磁屏蔽性能，而且具有良好的光学性能，同时应用范围更广。
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公开(公告)号：CN103630077A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310675317.0
申请日：2013-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 一种使用双频激光的两轴光栅位移测量系统涉及一种光栅位移测量系统；该测量系统包括出射端接光纤的双频激光器、分光部件、干涉光路部件、光电探测及信号处理部件和一维反射式测量光栅；所述干涉光路部件包括偏振分光棱镜、测量臂四分之一波片、测量臂折光元件、参考臂四分之一波片、参考臂折光元件和一维反射式参考光栅；所述一维反射式测量/参考光栅周期、测量/参考臂折光元件折光角度、出射端接光纤的双频激光器的波长之间满足2d1sinθi1=±mλ1、2d2sinθi2=±mλ2；本发明不仅能够同时测量沿x轴、z轴两个方向的直线位移，而且提高了测量信号的抗干扰能力，同时相比已有技术该系统的z向位移量程得到了极大的扩展。
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公开(公告)号：CN102868087A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210371710.6
申请日：2012-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及激光器，特别是端面集成有光栅-菲涅尔复合结构的亚波长聚焦激光器，属于微纳光学、应用光学和衍射光学交叉技术领域。该激光器包括半导体激光器和加工在端面上的光束整形结构，其端面具有微结构，构成光栅、菲涅尔透镜的复合结构。该激光器具有体积小、集成度高的特点，同时具有远场实现超分辨、长焦深的聚焦效果，具有抗波长扰动能力，能实现带通功能，消除非目标波长的影响。
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公开(公告)号：CN102053489B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201010533159.1
申请日：2010-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法属于微光学元件制造领域。在传统连续浮雕结构微光学元件紫外压印工艺中，使用硫醇-烯类紫外光引发高分子材料作为抗蚀剂使用，通过调节压印压力、控制残胶层厚度的方法使抗蚀剂固化产生的收缩应力通过流体流动的方式得以弛豫，使连续浮雕结构微光学元件的收缩误差降低至3％以下，残胶层厚度为500-1000nm。该方法具有复制收缩误差小、刻蚀选择性优良等特点，可实现连续浮雕结构微光学元件向石英玻璃基底的图形传递。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101870165A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010206856.6
申请日：2010-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 连续浮雕阳模的止挡栅结构属于微光学元件加工技术；在阳模的连续浮雕结构的周边外围设有止挡栅结构，止挡栅结构下端面低于连续浮雕结构下端面，可用于承载作用于压模的总压力，并以栅形设计减小结构下方抗蚀剂所需横向流动的距离，克服了连续浮雕阳模的尖锐顶部结构在压印中易受损伤的问题，并保持了阳模的良好填充效果。
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公开(公告)号：CN101487907B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910071492.2
申请日：2009-03-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种连续浮雕结构微光学元件干法刻蚀图形传递误差补偿方法，该方法包括以下步骤：①以连续浮雕结构微光学元件的理想形貌为基准，得到抗蚀剂表面设计轮廓，并以此为起点；②通过MCFPM模型，仿真分析得到该抗蚀剂轮廓经过干法刻蚀后的传递形貌；③将步骤②中得到的仿真传递形貌与理想形貌相比较，得到图形传递误差，并将其叠加到步骤②起始的抗蚀剂表面轮廓上，得到经过补偿后抗蚀剂设计轮廓；④以步骤③中得到的抗蚀剂设计轮廓作为新的仿真起点，重复进行步骤②和③，得到二次补偿的仿真形貌；⑤重复步骤④所述的仿真及迭代过程，直至仿真传递形貌和理想形貌的误差满足要求；该方法具有成本低、普适性好等特点。
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公开(公告)号：CN101487907A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910071492.2
申请日：2009-03-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种连续浮雕结构微光学元件干法刻蚀图形传递误差补偿方法，该方法包括以下步骤：①以连续浮雕结构微光学元件的理想形貌为基准，得到抗蚀剂表面设计轮廓，并以此为起点；②通过MCFPM模型，仿真分析得到该抗蚀剂轮廓经过干法刻蚀后的传递形貌；③将步骤②中得到的仿真传递形貌与理想形貌相比较，得到图形传递误差，并将其叠加到步骤②起始的抗蚀剂表面轮廓上，得到经过补偿后抗蚀剂设计轮廓；④以步骤③中得到的抗蚀剂设计轮廓作为新的仿真起点，重复进行步骤②和③，得到二次补偿的仿真形貌；⑤重复步骤④所述的仿真及迭代过程，直至仿真传递形貌和理想形貌的误差满足要求；该方法具有成本低、普适性好等特点。
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公开(公告)号：CN101131538A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710144392.9
申请日：2007-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 应用热压印技术制作微光学元件的方法，涉及光学元件制作技术；该方法制作具有多台阶或连续浮雕结构特征的微光学元件包括以下四个步骤：①应用微细加工技术制备具有表面浮雕结构的压模；②应用热压印将压模上的浮雕结构压印到基片上的聚合物上；③以聚合物结构为掩模，应用反应离子刻蚀技术在基片上获得浮雕结构；④根据制作需要按上述①～③步骤进行一次或者重复①～③步骤，直至加工完成最终的微光学元件；本方法具有工艺简单、精度高、速度快、重复性好、费用低、产率高的特点。
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