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公开(公告)号：CN118198845B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410365577.6
申请日：2024-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种等离子激元共振增强的稀土掺杂微纳激光器及其构筑方法，它涉及微纳激光器及其构筑方法。它是要解决现有的微纳激光器对泵浦光源以及运行环境的限制苛刻的问题。本发明的微纳激光器是以β‑NaYF4:20Yb,2Er@NaYF4纳米晶和聚乙烯亚胺修饰纳米金颗粒为增益介质、以聚苯乙烯微球为谐振腔、增益介质负载在聚苯乙烯微球表面的微纳激光器；制法：先制备纳米晶并去除油酸配体，再将纳米晶和纳米金颗粒与回音壁式谐振腔耦合，得到微纳激光器。它通过对激活剂离子的交叉弛豫控制能量传递途径，达到551nm处的能量富集，并通过谐振腔的共振达到低阈值激光输出，可用于芯片光互联、集成光路、微型器件、化学检测和生物传感领域。
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公开(公告)号：CN118406495B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410527831.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉、其制备方法及LED器件的制备方法，它涉及近红外发光材料领域。它是要解决现有的双钙钛矿近红外量子产率低的技术问题。本发明的增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉的化学式为Cs2NaTbCl6:x％Yb,y％Sb，其中0＜x≤15，0＜y≤15。制法：向含有铯源、钠源、铽源、锑源和镱源的反应容器中注射三甲基氯硅烷进行反应，分离、干燥，得到荧光粉。将该荧光粉与聚苯乙烯制成胶状物，再负载于商用340nm紫外芯片上干燥，得到LED器件。该荧光粉在紫外光激发下分别产生Tb和Yb的特征发射，总量子产率可达155％，产生可见‑近红外发射，可用于食品、安防、生物和医疗领域。
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公开(公告)号：CN118406495A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410527831.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉、其制备方法及LED器件的制备方法，它涉及近红外发光材料领域。它是要解决现有的双钙钛矿近红外量子产率低的技术问题。本发明的增强近红外发射的双钙钛矿纳米荧光粉的化学式为Cs2NaTbCl6:x％Yb,y％Sb，其中0＜x≤15，0＜y≤15。制法：向含有铯源、钠源、铽源、锑源和镱源的反应容器中注射三甲基氯硅烷进行反应，分离、干燥，得到荧光粉。将该荧光粉与聚苯乙烯制成胶状物，再负载于商用340nm紫外芯片上干燥，得到LED器件。该荧光粉在紫外光激发下分别产生Tb和Yb的特征发射，总量子产率可达155％，产生可见‑近红外发射，可用于食品、安防、生物和医疗领域。
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公开(公告)号：CN117025211B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN117025211A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114589616A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210423800.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法，本发明涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置；第一电机带动抛盘逆时针转动；加热垫和抛光垫置于抛盘表面，第二电机带动工件盘顺时针转动；在工件盘上方设置振动装置和配重块，气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、精抛；四、精整；抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07～0.08nm，可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。
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公开(公告)号：CN110420652B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910749923.X
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/132
Abstract: 一种NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶及其制备方法，本发明涉及上转换@二维半导体材料及其制备方法。本发明的NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶是以Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶为内核并在核外包覆MoS2构成的。制法；将Na2MoO4·2H2O、SC(NH2)2、H2C2O4加入水中制成壳层原液；再将Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶加入到壳层原液中反应，再转入反应釜中进行水热反应，洗净，干燥，得到NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶。该核壳结构微米晶结构稳定。可用于光催化领域。
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公开(公告)号：CN109161970B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811181541.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法，它涉及晶体的生长装置及生长方法。本发明是要解决现有的坩埚下降法生长的硒化镓单晶应力分布不均匀、透过率低的技术问题。本发明的置包括外套筒、内套筒、加热电阻丝、环形腔、反射膜、测温热电偶、端盖和保温塞；其中反射膜附于外套筒的内壁；透明材质的外套筒和内套筒之间的环形腔为真空腔，加热电阻丝设置在环形腔中。方法：将硒化镓籽晶放在PBN舟中，并悬空倾斜密封于真空石英管中，将石英管放在生长装置中部，调节三个温区的温度梯度，先将籽晶部分熔化且多晶料全部熔化，然后再降温固化，最后降至室温，得到硒化镓单晶，该单晶的透过率达到64％～66％，可用于民用和国防领域。
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公开(公告)号：CN112103086A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010915048.0
申请日：2020-09-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种近红外宽带吸收的染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法，它涉及上转换基染料敏化太阳能电池光阳极材料及其制备方法。它是要解决现有的上转换基染料敏化太阳能电池对近红外太阳光的吸收带较窄的技术问题。本发明的光阳极由FTO导电玻璃基板、负载N‑719染料的二氧化钛层中间层和NaLuF4@NaErF4@NaLuF4核壳型上转换纳米晶层表层组成。制法：先制备核壳型上转换纳米晶，再通过浸渍法平铺于中间层表面而成。该电极能实现红外750‑850nm、950‑1050nm和1450‑1600nm的宽带吸收并转换成可见光，利用该电极的太阳能电池的光电转化效率为8.5％～8.8％，可用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN111410958A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010433539.1
申请日：2020-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以LiF作助熔剂制备红色荧光粉的方法，本发明涉及红色荧光粉的制备方法，本发明是要解决现有的荧光粉的固相反应制备方法温度高、显色指数低的技术问题。本方法：按红色荧光粉的化学计量比称取原料，再加入LiF，再加入乙醇搅拌混合均匀，得到混合物；将混合物置于高温箱式炉中，升温至1150～1450℃并保持5～6h，降至室温，得到红色荧光粉。本方法的制备温度比常规方法降低200℃，制备的荧光粉显色指数为88.0％～92.8％，可用于白光LED领域。
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