-
公开(公告)号：CN106413360B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201510448955.8
申请日：2015-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有石墨烯网栅夹层的双层金属网栅电磁屏蔽光窗属于光学透明件电磁屏蔽技术领域，该电磁屏蔽光窗利用石墨烯网栅薄膜具有不同的网孔单元开孔面积比时表现出的不同透光和微波屏蔽特性，将石墨烯网栅薄膜的低反射和部分吸收微波特性与高透光导电薄膜的强电磁反射特性有机结合，构成多层结构：由依次重叠且平行配置的第一透明吸收层、透明介质A、金属网栅A、透明介质B、第二透明吸收层、透明介质C和金属网栅B装配构成，所述的第一透明吸收层由N层被透明介质分隔的石墨烯网栅薄膜构成，第二透明吸收层由1‑6层被透明介质分隔的石墨烯网栅薄膜构成，金属网栅A与B构成透明反射层；本发明解决了现有透明电磁屏蔽技术的强电磁屏蔽、低电磁反射和高透光不能兼顾的问题，具有强电磁屏蔽、低电磁反射、高透光性能的特点。
-
公开(公告)号：CN106659099B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201510449179.3
申请日：2015-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有双向吸波作用的石墨烯网栅/双层金属网栅透明电磁屏蔽器件属于光学透明件电磁屏蔽技术领域，该电磁屏蔽器件利用石墨烯网栅薄膜具有不同的网孔单元开孔面积比时表现出的不同透光和微波屏蔽特性，将石墨烯网栅薄膜的低反射和部分吸收微波特性与高透光双层金属网栅的强电磁反射特性有机结合，将多层石墨烯网栅薄膜置于双层金属网栅两侧构成多层层叠结构：用双层金属网栅作为透明反射层，用N层被透明介质分隔的石墨烯网栅薄膜作为透明吸收层；该结构可同时使器件两侧的射频辐射多次穿过吸收层被强吸收，实现双向的强屏蔽和低反射特性，可见光仅透过层叠结构一次而具有高透光率；该电磁屏蔽器件解决了现有透明电磁屏蔽方法双向低电磁反射、强电磁屏蔽和高透光不能兼顾的问题。
-
公开(公告)号：CN120072408A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510266138.4
申请日：2025-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相位梯度补偿及振幅约束的宽谱段光学增透方法，涉及光学透明电导体设计技术领域。本发明通过在不同波段选择对应折射率的介质材料控制每一界面反射系数的幅值，从而满足反射系数相消实现超薄金属光学增透的幅值条件。再通过调整介质厚度对反射系数的相位进行补偿，以满足反射系数相消实现超薄金属光学增透的相位条件。根据所给出的需要实现透明导电的波段可以找到对应的折射率范围和厚度范围，并根据折射率范围和厚度范围快速找到相应的介质材料，大大减少了筛选复合结构增透介质材料需要的时间成本。
-
公开(公告)号：CN119592924A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510152399.3
申请日：2025-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本申请涉及真空溅射镀膜技术领域，公开一种基于共速沉积模型的曲面超薄金属共掺杂镀膜方法，该方法首先根据预生成的膜厚确定两种靶材的溅射功率，利用在工作件上多溅射角度多点贴硅片沉积，测得沉积速率，并对同一水平半径带上的速率求平均值得到设定溅射角度下工作件上的点速率分布；对点速率分布进行多项式拟合，得到设定溅射角度下的速率分布曲线，并通过改变溅射角度多次重复前述过程，得到多天顶角度下的速率分布曲线；最后以平滑水平直线式的均匀速率为组合目标，找到令速率方差最小的一组权重因子，并根据组合出的均匀速率以及权重因子，分配不同溅射角度下的沉积时间。本申请可以实现在大面积复杂曲面上的高效单溅射或共掺杂均匀镀膜。
-
公开(公告)号：CN113056182B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110061244.0
申请日：2021-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种基于石墨烯/透明介质与超薄掺杂金属的透明完美微波吸收器属于光学透明件电磁屏蔽领域。该器件利用共掺杂沉积方法在超薄厚度条件下得到表面连续、粗糙度极低的高质量掺杂金属膜。将石墨烯与透明介质组成石墨烯/透明介质单元，进而与超薄掺杂金属构成微波谐振腔。由于超薄掺杂金属薄膜厚度在几十纳米以下，远远小于微波段电磁波波长，可以提供稳定的宽频段强电磁反射，解决了传统微波谐振腔中反射层电磁反射率存在频率依赖性的问题，为微波吸收器提供了新型的电磁反射结构。进一步，通过理论建模分析得到相应透明介质层厚度可以实现对设计频点微波的完美吸收，并可以使用多层石墨烯/透明介质单元与超薄掺杂金属组成多频点谐振腔，引入多个频点的吸收谐振，极大地拓展了微波吸收器的吸收带宽，实现高性能的宽频带微波吸收。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115236777A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210854713.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种可见光透明的红外/激光兼容隐身器件，包括若干个周期性排列的吸波单元，每个吸波单元由上层图案贴片层(1)、中间介质层(2)和下层导电薄膜层(3)组成，所述的上层图案贴片层(1)由四个全等的等腰三角形绕贴片层的中心点经90°的四重旋转后形成。本发明在10.6μm处实现高吸收，同时在8～14μm长波红外探测波段控制杂散吸收峰的影响，解决了长波红外与激光隐身难以同时兼顾的问题；在5～8μm红外非探测波段设计宽频多峰吸收，实现红外辐射散热功能；通过器件各层材料的选择，在实现多频段隐身功能的同时保证器件的表面高透光特性。
-
公开(公告)号：CN113056183A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110061247.4
申请日：2021-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种基于介质‑超薄掺杂金属‑介质的网栅结构电磁屏蔽光学窗属于光学透明件电磁屏蔽领域。该光学窗利用共掺杂沉积方法在超薄厚度条件下得到表面连续、粗糙度极低的高质量掺杂金属膜。并进一步利用透明导电的介质‑超薄掺杂金属‑介质取代传统的金属材料制作网栅结构，大幅提升可见光波段的透光率，并相对于金属网栅结构，抑制了其可见光波段的强光学衍射效应，解决高级次衍射能量分布集中带来成像质量退化的问题。同时开孔状的网栅结构增强了红外波段金属薄膜的通透性，扩展了金属薄膜在红外波段应用的范围。
-
公开(公告)号：CN112292014A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011121522.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于相变材料和石墨烯的微波透射通带可调高透光光窗属于光学透明电磁屏蔽及微波通信领域。该高透光电磁屏蔽光窗由图案化石墨烯层、透明介质层和集成相变材料的频率选择表面层共同构成，集成相变材料的频率选择表面层和图案化石墨烯层分别平行放置于透明介质层的两侧。所述的集成相变材料的频率选择表面层是由栅网化孔径型频率选择表面、栅网化贴片型频率选择表面和微小相变材料贴片组成。本发明解决了现有的微波吸收技术难以同时实现高光学透明性、可调的透射通带和以吸收为主的带外抑制的问题，具有高透光、透射通带可调和带外抑制以吸收为主的特点。
-
公开(公告)号：CN106413359B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201510448954.3
申请日：2015-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多层石墨烯网栅/金属网栅层叠结构的双向吸波强电磁屏蔽光窗属于光学透明件电磁屏蔽技术领域，该电磁屏蔽光窗利用石墨烯网栅薄膜具有不同的网孔单元开孔面积比时表现出的不同透光和微波屏蔽特性，将石墨烯网栅薄膜的低反射和部分吸收微波特性与高透光双层金属网栅的强电磁反射特性有机结合，将多层石墨烯网栅薄膜置于双层金属网栅两侧构成多层结构：用被石墨烯网栅薄膜分隔的双层金属网栅作为透明反射层，用被透明介质分隔的石墨烯网栅薄膜作为透明吸收层；该结构可同时使光窗两侧的射频辐射多次穿过吸收层被强吸收，实现双向的强屏蔽和低反射特性，可见光仅透过层叠结构一次而具有高透光率；该电磁屏蔽光窗解决了现有透明电磁屏蔽方法双向低电磁反射、强电磁屏蔽和高透光不能兼顾的问题。
-
公开(公告)号：CN106413357B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201510448900.7
申请日：2015-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于石墨烯网栅与透明导电薄膜层叠结构的电磁屏蔽光窗属于光学透明件电磁屏蔽技术领域，该电磁屏蔽光窗利用石墨烯网栅薄膜具有不同的网孔单元开孔面积比时表现出的不同透光和微波屏蔽特性，将石墨烯网栅薄膜的低反射和部分吸收微波特性与高透光导电薄膜的强电磁反射特性有机结合，构成多层结构：用透明导电薄膜作为透明反射层，用N层被透明介质分隔的石墨烯网栅薄膜作为透明吸收层；该结构可使射频辐射多次穿过吸收层被强吸收，实现强屏蔽和低反射特性，可见光仅透过层叠结构一次而具有高透光率，并且由于石墨烯网栅薄膜存在周期性的开孔结构，提高了其透光性能；该电磁屏蔽光窗解决了现有透明电磁屏蔽方法高透光、低电磁反射和强电磁屏蔽不能兼顾的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.02 seconds)
